Регистр сдвигапйтен t iiu ii: aji г.: .: . a

350048 Сава Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. сппдетельстваМ. Кл. С 11 с 19/00 Заявлено 29,1 Х,1969 ( 1363406/26-9 присоединением заявкириоритетпублцковано 04,1 Х.19ата опубликования о тот ла аелам изобретений и откритилри Совете МинистровСССР 2. Гиоллстсць26 ДК 681.326,33(088.8) сания 25.Х.1972 Авторыизобретения В. Я, Загурский и Ю. Н, А х техники АН нститут электроники и вычислительнЛатвийской ССР аявитель ВСЕГО;:3 -ЛЯ ЕГИСТР СДВИ стп Вычцслик регистрам Изобретение относится к облательной техники, в частностисдвига.Известны регистры сдвига, выполненные ца тунцельцых диодах и транзисторах сброса,Однако быстродействие и надежность известных регистров сдвига ограничиваются цз-за наличия реактивных компонентов, так как уменьшение их (для уменьшения инерционности цепей промежуточного запоминания) ведет к резкому увеличению критичности схемы к параметрам импульсов, к разбросу компонент и уменьшению стабильности их работы. Кроме того, ограничение обусловлено наличием транзисторного инвертора потенциального сигнала независимо от его конкретных функций в схеме. При работе ицвертора потенциального сигнала возможен режим насыщения транзистора, что приводит к усложнению схемы и уменьшению ее надежности. Прц циркуляции кодов, близких к нулевым, в известных регистрах туннельные диоды переключаются дважды на каждый тактовый импульс, в результате чего умецьшается быстродействие и надежность работы.С целью повышения быстродействия и надежности работы в каждый разряд предлагаемого регистра введен пороговый элемент ца транзисторе и туннельном диоде, причем катод туннельного диода соединен с эмиттером транзистора, коллектор которого соединен с основной шиной синхронизации, база транзистора через диодно-резистцвцую цепочку подключена к выходу триггера ц коллектору 5 транзистора сброса, база которого соединенас катодом туннельного диода порогового элсмента предыдущего разряда.Иа чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого регистра.10 Каждый разряд регистра содержит бцстабильный элемент памяти на туннельном диоде 1 и резисторе 2, транзистор 3 сброса, дцодно-резпстцвцую схему (резистор 4, диод 5) и пороговый элемент на туннельном диоде 6 15 и транзисторе 7.Прп хранении О (цпзковольтное состояниедиода 1) в ячейке регистра через резистор 2 и туцнельцый диод 1 протекает ток, Остальные элементы схемы практически обесточены, 20 При рацениц 1 (высоковольтцое состояние диода 1) ток протекает как через рези стор 2 и диод 1, так и через резистор 4, коллекторно-базовый переход транзистора 7. Так как напряжение ца прямой ветви вольтампер ной характеристики диода 5 выбирается обычно больше, чем напряжение ца вольтамперной характеристике коллекторно-базового перехода транзистора 7, то ток через диод 5 нс протекает. Ток, ответвляющийся через эмцттер но-базовый переход транзистора 7 в цепь тун350048 Уя --Составитель С. Прониндактор Т. Морозова Тскред А. Камышникова Корректор В. Жолудева аказ 3552/1 О Изд.1459 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4,5 2Типография, пр. Сапунов польного диода 6, необходим для работы схемы. Ток, протекающий через резистор 4 и коллекторно-базовый переход транзистора 7, обеспечивает накопление заряда в базе транзистора 7 за время хранения единичного состояния в ячейке регистра. Г 1 оскольку величина его обычно незначительна 1 несколько десятых долей миллиампера), то нагрузка диода 1 невелика, поэтому обеспечивает сохранение почти полной величины потснциального сигнала на диоде , практически отсутствует влияние нагрузки на режим работы бнстабильной ячейки на диоде 1 и резисторе 2 и существенно уменьшается статическая мощность, потребляемая схемой, определяющаяся лишь выбором пикового тока диодаи составляющая 1,5 - 3 мвт,Тактирование производится по двум тактовым шинам: основной шине 8 и вспомогательной шине 9 - импульсами отрицатсльной полярности. При использовании для тактирования коротких импульсов (н(5 - 7 и/сек) шины 8 и 9 могут быть соединены вместе, т. е. заменены одной тактовой шиной, Однако для расширения диапазона изменения длительностей тактовых импУльсов (до 1 п(15 - 20 иlсек) применены две тактовые шины,Для правильного функционирования схемы необходимо, чтобы длительность и амплитуда импульсов по шине 9 не должна быть больше длительности и амплитуды импульсов по шине 8. Необходимо также одновременное их воздействие. Тактирование производится от источников напряжения,Работа регистра происходит следующим образом.При хранении О в а - 1-ом разряде регистра тактовый импульс по шине 8 не вызывает срабатывания порогового элемента, и на эмиттере транзистора 7 отсутствует отрицательный импульс. Поэтому последующий п - 1-ый разряд регистра устанавливается в нуль с помощью транзистора 3 сброса тактовым импульсом по шине 9. Из-за малой длнтельности тактового импульса, действующего по шине 9, а также благодаря нелинейной нагрузке транзистора 3 сброса исключается его насыщение, что значительно увеличивает бы стродействие устзойства.При хранении 1 в п - 1-ом разряде тактовый импульс по шипе 8 рассасывает накопленный в базе транзистора заряд и вызывает срабатывание туннельного диода 6, Г 1 ри сра батывании диода 6 существенную роль играет также усиление транзистора 7 по мощности, что увеличивает надежность работы схемы, Отрицательный импульс на эмиттере транзистора 7 запрещает установку в О 15 и-ого разряда. Если при этом в гг-ом разрядеуже хранился О, то происходит его установка в единицу через коллекторно-базовый переход транзистора 3 импульсом по тактовой шине 9, 11 ромежуточное запоминание предшс ствующего состояния бистабильного элементапамяти 11 или О) обеспечивается подготовленностью или неподготовленностью порогового элемента на транзисторе 7 и туннельном диоде 6.25Предмет изобретенияРегистр сдвига, содержащий в каждом разряде триггер на туннельном диоде, соединенный с транзистором сброса, диодно-резистив. ЗО ную цепочку, основную и вспомогательнуюшины синхронизации, отличаюиийся тем, что, с целью повышения быстродействия и на.дежности, в каждый разряд регистра введен пороговый элемент на транзисторе и туннель. ЗЬ ном диоде, причем катод туннельного диодасоединен с эмиттером транзистора, коллектор которого соединен с основной шиной синхро.низации, база транзистора через диодно-рези.стивную цепочку подключена к выходу тригге ра и коллектору транзистора сброса, база которого соединена с вспомогательной шиной синхронизации, а эмиттер соединен с катодом туннельного диода порогового элемента предыдущего разряда.