342247

Союз Советскиз Социалистичеакил РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваН 0 Ц 31 явлено 24.П 1.1971 ( 1640594/26 25 исоединением заявкиПриоритетОпубликовано 14 М,1972, Бюллетень1Дата опубликования описания 29.И.1972 Комитет по деламбретений и открытийи Совете МинистровСССР К 621385,832;535 (088,8) Авторыизобретения еликман, Л. М, Клюкин, Б, М, Степанов и В, А. Фабрико явитель Л ЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛ остоит в него диапазона ича етсяй слой ериала, воздейпример,редложенной конртеже. Изобретение относится к элекпровакуумной технике, в частности к электронно-о 1 птическим преобразователям (ЭОП),Известен ЭОП, содержащий вакуумную оболочку, многослойный фотоэмиттер, состоящий из подложки, прозрачной в видимой и поглощатощей, например, в,длинноволновой области спектра, промежуто лного слоя, обладающего прозрачностью в видимой области спектра, с расположенным на нем полупрозрачным проводящим слоем и полу 1 проводниковым фотокатодом, электронно-оптическую систему, выходной люиинесцируюзций экран. Недостаток известного ЭОП сдостаточной ширине спектральнорегистрируюшего излучения,ЭОП предложенной конструкциями отлот известнэго тем, что промежуточнывьрполнен из полу 1 проводникового матиэменявощего свою прозрачность подствием регистрируемото излучения, наиз селена.В предложенном ЭОП расщирен опектральный диа(назон в инфракрасной области (свыше 10 мк), что обеспечивает проведение научпых исследований параметров ИК-излучателей,ЭОП п струкции представлен на че Электронно-оптический преобразователь содержит корпус с прозрачным оконом 1, в котором размещен теплопреобразователь, выполненный из подложками 2, полупроводниковой 5 пленки 3 и фотокатодного поторьттия 4, и электронно-эптическую систему 5. На сторону, противоположную входному окну, нанесен люминоформный экран б,Элок пронно-оптический преобр азова тель р а ботает следующим образом. Через прозрачноеокно излучение попадает на подложку. Для пропускания ИК-излучения окно выполняюг из германия или бромистого калия. Подложка сделана из поплощающего ИК-излучение 15 материала (слюды или стекла) и служит дляфисосации полупроводника, обладающего свой.ством сдвига нрая поглощения при нагреве (таким свойством обладает аморфный селен или соединения на основе селена). При под свечивании натриевой лампой такой полупроводник имеет различную прозрачность в зависимости от температуры. Более нагретые участки вьрглядят темными, Таким образом, при подсветке распределение яркости регистриру емого излучения станет однозначно передаваться распределением яркости полупроводникового слоя. Это распределение, воздействуя на слой фотокатода, вызывает эмиттирование электронов,по такому же закону. Усиленный 30 фототок фокусируется нд экоан и (Ьормирует342247 Составитель И. ЕреминаОрловская Текред Т. Ускова Корректор О. Торипа едак Изд.834 Тираж 406 11 одппспоеитета по делам изобретений и открытий при Совете Ммнистров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 аказ 2010/1 НИИПИ К Типо фии, пр. Сапунова, 2 изображение. Для правильной передачи простр а нственных частот в из обр ажении необходима реализация двух условий - малая толщина подложки (подложка из слюды может иметь толщину 10 мк) и малое время эиспозиции (регистрация в импульсном режиме или стробирование непрерывного излучения модулятором, стоящим на пути к преобразователю). Оба эти условия лепко выполняюпся а практике.Предам ет изобретения Электронно-оптический преобразователь, содержащий вакуумную оболочку, многослойный фотоэмиттер, состоящий из подложеки,прозрачной в видимой и поглощающей, например, в длинноволновой области спектра, промежуточного слоя, Обладающего прозрачностью в .видимой области спекпра, с раасположенным на нем полупрозрачным проводящим слоем и полупроводниковьгм фотокато. - дом, электронно-оптическую систему, выходной люминесцирующий экран, отличающийся тем, ччо, с целью расширения спектрального 10 диапазона регистрнруемого излучения, промежуточный слой вьнполнен из полупроводникового материала, изменяющего свою прозрачность под воздействием регистрируемого излучения, например, из селена.15