Способ образования отверстий
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 310762
Авторы: Быховский, Кунин, Никифоров, Сак, Серебровский, Теслер, Ткачевский, Фирсов
Текст
Союз Советских Социалистических Республик330762 ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛВСТВУ авт. свидетельства Хв зцсцмое 327046,25-2 МП 1 х В 23)с 311 В 231 17 ОЗаявлено 28.1 К 19 ециех За 5 вкц,хс -ИСОЕДЦ Комитет по деламизобретений и открытипри Совете и 1 инистровСССР цорит публиковано 09.И 11.1971. Бюллетень Л. 24ата опубликова 1 ця описан;1 я 13.1971 У 1 К 621.791.947.5Авторыизооретсц Г. Быховский, В. С. Кунин, В. А. Никифоров, А. В. Сак,ребровский, В. И, Ткачевский, В. Н. Фирсов и Ш. Л; Тесле явцтель ПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ОТВЕРСТИИ Изобретение относится к ооласти плазменной обработки, а точнее к способам полученияотверстия в деталях из токопроводящих материалов,Известен с особ образования отверстий преимущественно при плазменно-дуговой, при котором деталь вращают вокруг оси отверстия, аобрабатывающему инструменту придают возвратно-поступательное перемещение параллельно оси отверстия. Однако это очень слож- Оный процесс, требующий оольшого расходасложного и дорогостоящего оборудования.Предлохкенный способ отличается от известного тем, что обработку ведут плазмотроном,ось которого наклоняют по отношению к оси 5вращения на угол 5 - 45. При этом плазмотрону придают одновременно с возвратно-поступательным колебательное движение, перпендикулярное оси вращения. В отверстие дополнительно вводят подогревные плазтмотроны, мощность которых выбирают, исходя из условиясохранения постоянным диаметра отверстия.Это позволяет получить глухие и глубокиеотверстия прц одновременном упрощении оборудования.На чертеже схематично представлено устройство, поясняющее способ.На вращающейся планшайбс манипулятора 1 закреплена обрабатываемая деталь 2.Ось вращения планшайбы совпадает с осью 30 обрабатываемого отверстия (контур предпола гасмого отверстия ооозначсн штриховыми линиями), она располагается относительно горизонтальной плоскости в пределах угла р от О до 90. Плазмотрон 3 располагается так. чтоОсь плазмотрона оносително осц врацения (О ь оораоатываехОГО цздс,ця) оь 1 ла расположена под углом с от 5 до 45. После зажигания основной дуги включается механизм вращсния планцайоы с закрепленной на ней деталью ц плазмотрон вводится в образующееся отверстие по мере выплавления цз него металла. В результате того, что деталь вращается, расплавленный металл центрооежнымц силами прижимается к сенкам ц по нцм вьтскает из отверстия. Это обеспечивает высокую чистоту поверхности ц оолегчаст защиту плазхОтрона от расплавленного металла, Наклон осп отверстия на угол больший 5 значительно облегчает удаление расплавленного металла, Для того, побы исключить прцмерзанис выплавляемого металла на входных кромках отверстия, плазмотрон совершает возвратно-поступательное движение вдоль оси отверстия с частотой, достаточной для равномерного прогрева стенок отверстия, ц одновременно колебательное движение, перпендикулярное оси вращения.При обработке отверстия оольшой глубины возвратно-поступательное перемещение одного основного плазмотрона 8 не сможет обеспеИЬ,ОСГЯ ГО 1:ОГ И 1 ГР : ВЯ (. СИО С ОВСР СТИ 5. В ЗТОХ СГ 1)И) С 3 О ГВС;) С Гпс;3 СЛ ЕД ЗЯ ГГ(1 С)И 13- иНСЯ ОСИОВИЬ 1)И ИЛс 13)10 ГРОНО 1 3130 ДИс 51 ОДИН ИЛ: НСССОЛНО ДОИОЛНИ 1 СЬНЬ., ;) Н НЯЕ ),)СЛЬНЯЯ )ЯОИ)НЗ ТЬ, НСОС)ХОД)ЯЯ 51151 ИО:ОГ 1032. знаИ ГОЛЫ 0 )1 СН 1111 СХ )С) ДГ 51,ВИЛ Я 35 Сн:51 ТЯЛЯ 0Дс)(303 ЛИИ 51 ОТЗЕРС 1 И)1) - 0 ИонПОСТ ИХ ЗНЯ) ИТС 1 ИО )1 СИЬИС ОСНОВ ОГО ИЛ Я 3) ОТРО НЯ. ОСЛЫЬ ГС ИЛ 0130 ПОТОС:ОнС)ЛИ(ТСЩИХ ИЛЯЗ)ЯОТ;,)ОПО:1 ОЛЖРН О) ЯИИ 1ЯТЬСЯ ТС), ТО ОНИ НС;ОЛЖИЫ ):3(Л:ИВЯ ГЬ,.ЯСТР 0):(ОЯГЬ)ЯСОГО ОТ 30 СИЯ. . ИСЛ.С) )СН 1 эн 1 СИ 51СГ,ЛООГО И 010 Ес 1 ГЯЗОВЯ 51 ССС(э ДЛЯ ДОИОЛИИГ С Л Ь Н 0 ГО И,1 Я 3 )10 " 10 И с 1 И 0 Ж С Г С) ИС С ".3 С И И 0 О ГЛнЯТ 1 СЯ. Т, С "51:1 ОС)ОИ 0 ИЛЯ,)ЯО ГРОИ 0Ь 1- НО РЯООТс 1 С ИЯ ВОДОРО:ОСОДС;)ЖЯИИХ С:)СС 5., ГО ДОПОЛНИ ГСЛЬИ ЫС МОГТ ) ЯООТЯТ 1 ИЯ: И; ГС) Ч с 130 С ИЛИ сРОНС.П .) С ДЛ и Г с 3 С 1 Ы ) С 10 С 0 О 0 )1 1 0 )И 0 1 О Л 3) Т 1 01- 1)С)( 1 И 51 С;1 ОЖ НОИ (РОР 1, И Я ПРИ 1(н О:)сЛ Ь 10( ИЛИ ИР 5)0)ГГОЛЬНОС.,э ГС) ДОС ГИ)з)С ГС 51 ТС 1, ) ЯХПЛ:ТДс 1 ПОР ИСНДНС)ЛЯ)сНэ Х ОСИ ВРЯНСНИЯ (ОЗСОЯНИ ИлаЗХОт(РОНЯ СВЯЗаца С ВРсСИСНИС)3 :,С,1 51 ТаС 11) 00" ЯЗО)1, 110 ИР Н( Ж 0) ООэ)о( 3 оиЗ"З.т,э).о е (3.,г, летали ПГЯзтотроп отклоняется от оси от(")сТИ 51 Нс ЗЯДЯННО )ЯССТОЯНИС 13 КЯЖДОИ .;11- Ьс ОТ)со):Т:Я,11;:1 с:1 си 3 о 0 р е 1 с)и и я. СНОГОО ООРс 30сИИЯ ;)ГВСРстиЙ п)с)х ссгвониО и,)и иляз 1 с 11 но-дГОВОЙ резее, пии :;0 ОРО 1 ДЕТЯ:1 Ь 13)с 1 ЩЯ ОТ ВО 1 СРГ ОСИ 0 ПВС) СТИ 51, 1;) и ,)и,)И 11)с 10 ЩЕЭ, И СТР)1 С)Г" Г ЭРИДЯС)ВО:- .) ( ГНО - ОСТ ИЯ СЛэнОС 1 С.",) Сэ) СЩСН 1 Си Я.) - ЗСИО Осн ВРс)ЩСНИ 51, ОТйИМИСЗ ТЕ 1, 1 ГС),ельО и )Г сния Глухих ОГверстиЙ иовышсиГ;)И ГГ 1)501 ИЫ, 00.)сООТК ЗОД)Т )1 ЛЯЗХ:ОТРОНО, 1 ) С)С СОТО 10 ГО ИЯ 1 ЛО)Н 5110 Т ИО ОТНОШРННО 1 ОСИ3 (исии) Па у.Ол О 40 ри зтом ПГЯзчотрс)ИР ИДЯО ОДИ 01)РС 1 Сс 1 НО С ВОЗВРЯТНО-ПОСТУП а СХ 1 И 1) СОЛО)ОсТСЛЬ:ОС ДВИЖ(НИС, ПСРПЕНДИЮ - Г я; ) и о с и "3 р а не и и я.:и )срст;)с оиолн;тельно вводят подогрев)ые :1 Г;13)ЯО 1 РОНЫ, .1 ОЩНОС 1 Ь КОТОРЫХ 13 ЫОИР 210 Т, ИС- Х") 51 ИЗ )С По 3 ИИ СОХР ЯНСНИ 51 ИО:ТОЯННЫЧ ДИЯ.
СмотретьЗаявка
1327046
Д. Г. Быховский, В. С. Кунин, В. А. Никифоров, А. В. Сак, В. Б. Серебровский, В. И. Ткачевский, В. Н. Фирсов, Ш. Л. Теслер
МПК / Метки
МПК: B23K 17/00, B23K 31/10
Метки: образования, отверстий
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-310762-sposob-obrazovaniya-otverstijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ образования отверстий</a>
Предыдущий патент: Способ оценки стойкости металла против хрупких разрушений в околошовной зоне
Следующий патент: Флюс для пайки цинка и его сплавов
Случайный патент: Захват-кантователь тяжеловесных изделий