Мультивибратор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 306553ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства-ЭЙ 1293526/2 ЪПК Н 031 с 3/2 аявлено 03.1,196 присоединенглем аявки-Комитет по дел Приори изобретений и открытии при Совете Министров СССРнь 71, Бюлл но 11 Л( ДК 621.33.52(088 публи Дата бликования описания 5 11.19 В С.:СОЗНАЙ"г,-.11-".;и т:црщ вторызобретения И. М, Жовтис и Л. В. Казачков в. с( явитель МУЛЬТИВИБРАТ Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано вустройствах автоматики и промышленнойэлектроники,Известен низкочастотный мультивибратор, 5генерирующий импульсы большой длительности, выполненный по симметричной схеме цзтранзисторах одинакового типа проводимости, содержащий в каждой цели связи двадополнительных соединенных последовательно транзистора с противоположным транзисторам мультивибратора типом проводимости,включенны между базами основных транзисторов мультивибратора и отрицательньпгполюсом источника питания, причем один из 15этих дополнительных транзисторов включенпо схеме с общим эмиттером, а другой - посхеме с общим коллектором.Недостаток известного мультпвибраторасостоит в низкой температурной стабильно Ости длительности и периода генерируемыхимпульсов.Цель изобретения - повышение температурной стабильности длительности и периодагенерируемых импульсов.25Это достигается тем, что базы первых дополнительных транзисторов через времязадающие конденсаторы, а базы вторых дополнительных транзисторов через времязадающиерезисторы подсоединены к общей шине, при- З 0 чем эмиттеры и оазы первых дополнительцых транзисторов соединены через диоды с коллекторами основных транзисторов противоположных плеч мультивибратора.Принципиальная схема мультцвцбратора приводится ца чертеже.Мультцвцбратор выполнен по симметричнойой схеме ца транзисторах 1 ц 2 р - гг - р типа проводимости. В каждой его цепи связи последовательно включены два дополнительных транзистора 3, 4 и 5, 6 л - р - гг типа проводимости, причем транзисторы 3 и 5 включены по схеме с общим коллектором. а транзисторы 4 и 6 - по схеме с общим эмиттером. Базы транзисторов 3 и 5 через времязадающие конденсаторы 7 и 8 подсоедццецы к общей шине источника питания, базы транзисторов 4 и 6 через времязадающпе резисторы 9 и 10 также - к общей шине источника питания. Диоды 11, 12 и 13, 14 соединяют эмцттер и базу транзистора 3 и эмиттер и базу транзистора 5 с коллектором транзистора 2 и коллектором транзистора 1 соответственно.Заряд времязадающпх конденсаторов 7 и 8 производится базовым током соответствующих транзисторов 3 ц 5. Конденсаторы заряжаются через базовые переходы транзисторов 3 и 5, коллекторно-эмпттерцые переходы транзисторов 4 и 6 и источник питания. За счет этого время заряда конденсаторов, и,306553 Составитель Г. Челей Редактор А, В. Корнеев Техред А, А. Камышникова Корректор Т, А. Китаева Заказ 281/1062 Изд. М 783 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Тип, Харьк фил. пред. Патент следовательно, длительность импульсов, генерируемых мультивибратором, увеличивается в Р раз, где Р - коэффициент усиления тран. зпстора 3 по току. Так как в процессе заряда конденсаторов зарядный ток уменьшается, необходима его стабилизация. В качестве стабилизирующих элементов применены транзисторы 4 и 6, включенные по схеме с общим эмиттером, токи базы которых стабилизированы высокоомным сопротивлением времяза. дающих резисторов 9 и 10 соответственно. Транзисторы 3, 5 и 4, 6 выбираются однотипными с одинаковыми изменениями коэффициентов усиления по току в интервале рабочих температур, В этом случае при изменении температуры окружающей среды изменяются коэффициенты усиления транзисторов по току, а также коллекторные токи транзисторов 4 и 6, которые одновременно являются эмиттерными токами транзисторов 8 и 5, а базовые токи транзисторов 3 и 5 остаются неизменными.Мультивибратор может работать в жд. щем режиме, Тогда дополнительные транзис. торы включают в одну цепь связи, а времязадающие конде 1 сатор и резистор включаютвышеописанным образом. Предмет изобретения 5 Мультивибратор, генерирующий импульсыбольшой длительности, выполненный по симметричной схеме на р - и - р транзпсгорах, содержащий в каждой цепи связи два дополнительных включенных последовательно 10 п - р - п транзистора, подсоединенных между базами основных транзисторов мультивибратора и отрицательным полюсом источника питания, при этом первый из нпх включен по схеме с общим коллектором, а 15 второй - по схеме с общим эмиттером, отлиаюи 1 ийстем, что, с целью повышения температурной стабильности длительности и периода генерируемых импульсов, базы первых дополнительных транзисторов через времяза дающие конденсаторы, а базы вторых - через времязадающпе резисторы подсоединены к общей шине, причем эмиттеры и базы первых дополнительных транзисторов соединены с коллекторами основных транзисторов про тивоположных плеч мультивибратора.
СмотретьЗаявка
1293526
И. М. Жовтис, Л. В. Казачков, ПТНО ТЕК ННЕ
МПК / Метки
МПК: H03K 3/282
Метки: мультивибратор
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-306553-multivibrator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мультивибратор</a>
Предыдущий патент: Генератор прямоугольных импульсов
Следующий патент: Устройство для передачи информации
Случайный патент: Способ изготовления блока магнитных головок