Басиан
Усилитель мощности
Номер патента: 1220105
Опубликовано: 23.03.1986
Авторы: Акопов, Басиан, Валиев
...7, на базо-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 13 и на токозадающем резисторе 15. Токозадающий резистор 15 и баэо-эмиттерный переход дополнительного транзистора 13 образует цепь, включенную параллельно цепи, состоящей из компенсирующего прямо- смещенного диода 9 и базо-эмиттерного перехода второго транзистора 7, поэтому напряжение на токозадающем резисторе 15 изменяется прямо пропорционально изменению напряжения на баэо-эмиттерном переходе второго транзистора 7, так как изменение напряжения на базо-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 13 компенсируется изменением напряжения на компенсирующем прямосмещенном диоде 9. Так как характер изменения напряжения на базо-эмиттерных перехоЗаказ 1331/59 Тираж 816...
Усилитель мощности
Номер патента: 1053270
Опубликовано: 07.11.1983
Авторы: Акопов, Басиан
МПК: H03F 3/20
...транзисторах с непосредственной связью,включенных по схеме с общим эмиттером, имеющих противоположный типпроводимости, при этом базы первых,транзисторов подключены к соответствующим разделенным нагрузкам входного фазоинверсного каскада и соединены между собой через диоднуюцепь смещения, в плече выходногодвухтактного каскада коллектор вто.рого транзистора через первый резистор соединен с эмиттером первоготранзистора., который через второйрезистор подключен к общей шине, при 1этом коллекторы вторых транзисторовобъединены, и через цельотрицательной обратной связи подключены к неинвертирующему входу входного фазоинверсного каскада, а первый транзистор одного плеча и второй транзистор другого плеча имеют одинаковый тип проводимости, в...