Устройство для охлаждения полупроводниковыхприборов

Номер патента: 306320

Авторы: Васильев, Массообмеиа, Сенин

ZIP архив

Текст

Союз Советских 306320 ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Социалистических Республикисимое от авт. свидетельства-Заявлено 24.111.1969 (М 1314с присоединением заявки1 ПК Г 25 Ь 1904 Р 25 д 7/ОО Комитет по деламбретений и открытийи Совете МинистровСССР риоритет - публиковано 11.71.1971, Бюллетень19 К 621.565.58(088 Дата оп вания описания 17.Л 11.1971 Авторыизобретения. Васильев и В, В. Сени 3 аявител ститут тепло- и массообмена АН Белорусско ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВ ПРИБОРОВ ТРОЙ СТВ КОВЫХ охл рения стого и имУстройство для охлаждения полупроводниковых приборов, например диодов, транзисто ров, выполненное в виде герметичной камерыс капиллярно-пористым материалом у стенок, пропитанным диэлектрическим теплоносителем, циркулирующим в камере с изменением агрегатного состояния, отличающееся тем, что, 20 с целью повышения термодинамической эффективности, охлаждаемый прибор размещен в зоне испарения теплоносителя внутри капиллярно-пористого материала, а камера в зоне конденсации имеет развитую поверхность,о опись полупр Известны устроиства для охлаждения полупроводниковых приборов, например диодов, транзисторов, выполненные в виде герметичной камеры с капиллярно-пористым материалом у стенок, пропитанным диэлектрическим теплоносителем, циркулирующим в камере с изменением агрегатного состояния.Цель изобретения - повышение термодпнамической эффективности.Это достигается тем, что аждаемый прибор размещен в зоне испа теплоносителя внутри капиллярно-пори материала, а камера в зоне конденсаци еет развитую поверхность.На чертеже схематично изображенваемое устройство для охлаждения оводниковых приборов.Устройство выполнено в виде герметичной камеры 1 с капиллярно-пористым материалом 2 у стенок, пропитанным диэлектрическим теплоносителем. В зоне испарения, внутри капиллярно-пористого материала, размещен охлаждаемый прибор 3, Капиллярно-пористый материал пропитан диэлектрическим теплоноснтелем. При разогреве прибора в материале испаряется теплоноситель и охлаждается прибор, Теплоноситель в виде пара под действием разности давлений перемещается в зону, где в результате конденсации пара происходит выделение скрытой теплоты парообразования, которая отводится в окружающую среду. Теплоноситель в результате действия капилляр. ных сил возвращается в зону испарения. Предмет изобретенСоставитель В. Константиновская ктор Н, Вирко Техред А. А, Камышникова Корректор Т. А, Миронов Заказ 2891 ПО Изд.789 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5ип. Харьк, фил. пред. Пате

Смотреть

Заявка

1314814

Л. Л. Васильев, В. В. Сенин Институт тепло, массообмеиа Белорусской

МПК / Метки

МПК: F25B 19/04, F25D 7/00

Метки: охлаждения, полупроводниковыхприборов

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-306320-ustrojjstvo-dlya-okhlazhdeniya-poluprovodnikovykhpriborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для охлаждения полупроводниковыхприборов</a>

Похожие патенты