Массообмеиа

Номер патента: 306320

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Васильев, Массообмеиа, Сенин

МПК: F25B 19/04, F25D 7/00

Метки: охлаждения, полупроводниковыхприборов

...внутри капиллярно-пористого материала, а камера в зоне конденсации имеет развитую поверхность,о опись полупр Известны устроиства для охлаждения полупроводниковых приборов, например диодов, транзисторов, выполненные в виде герметичной камеры с капиллярно-пористым материалом у стенок, пропитанным диэлектрическим теплоносителем, циркулирующим в камере с изменением агрегатного состояния.Цель изобретения - повышение термодпнамической эффективности.Это достигается тем, что аждаемый прибор размещен в зоне испа теплоносителя внутри капиллярно-пори материала, а камера в зоне конденсаци еет развитую поверхность.На чертеже схематично изображенваемое устройство для охлаждения оводниковых приборов.Устройство выполнено в виде герметичной...