Способ контроля относительного изменения смачиваемости поверхности материала

(5 С 01 И 13/О НИЕ ИЗОБРЕТЕНИ лозы/ Рига: оницаемост изменения различных материалвлажности. Устро изменениво контроля отн мачиваемости по ительногорхности1 СВЧ,водную линию отрезок вол 1 м материалом, а а структурнаяустройства кон фиг. 1 приведрическая схема ом, эале ния смачииала, реаотносительного изм сти поверхности щего способ конт изменения смачив ваем я относительлизуюного аемости поверхвисиатериала; на иг,нос ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Методы исследования целлюПод ред. В,П, Карливана и др,Зинатне, 1981, с. 56-61.Авторское свидетельство СССРР 842492, кл, С 01 И 13/00, 1979.(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОТНОСИТЕЛЬНОГОИЗМЕНЕНИЯ СМАЧИВАЕМОСТИ ПОВЕРХНОСТИМАТЕРИАЛА(57) Изобретение касается физическиизмерений, Цель изобретения - обесИзобретение относится к физическим измерениям, в частности к определению удельной поверхности, и можебыть использовано в материаловедениипри создании и оценке свойств материалов с различной сорбционной способностью,Цель изобретения - обеспечение определения удельной поверхности материала, сорбирующего влагу и энергиивзаимодействия молекул жидкости споверхностью материала,лечение определения удельнои поверхности материала, сорбирующего влагу,и энергии взаимодействия молекул жидкости с поверхностью материала. Паставленная цель достигается тем, чтоопределяют диэлектрическую проницаемость Е материала - жидкости для всехизмеренных величин влажности. Но по"лученным значениям Е в зависимостиот влажности исследуемого материаластроят соответствующие графики и поним фиксируют точки с максимальнымизменением крутизны и определяютего значение, . а удельную поверхность исследуемого материала и энергию взаимодействия молекул влаги споверхностью материала определяют поформулам. 2 ил. мости диэлектрическ материала содержит раторизмерительную волно 2,стрелочный прибор 3новода 4 с исследуемьанлитические весы 5,Устройство контроля относительногизменения смачиваемости поверхностиматериала работает следующим образОбразцы исследуемых материаловмачивают в дистиллированной воде добольших влажностей и (,. 1007), далеепри помощи измерительной волноводнойлинии 2 измеряют смещение узла стоя(-2 РЕ лновода 4 исериала по мереальных условиях)-Е(Е) + Е рР мат+3( влажность при этна аналитическихным значениям Евлажности исследстроят графики ЕНа эависимост лировалас По получ ости от,)1еская проницедуемого су завис емого г(и) .с=йР ным изм атери ае ;ого) фиксируют енением круточки с максимал наче е влажност значению, ледуемого о формуле1 ат +1 5 где У. крегибаазой; параметр ющий ав бойклонпослмене аЯ=Е (Уиэе 6 ре з р мул35 его л( - -1)+А ейволны ( что пропор лектрической проница омещении в отрезок в ледуемых образцов ма их высыхания при норм тиэны и определяют з ни и Ик, соответствующее этому крфа удельную поверхность исс материала 8 у определяют пИкр см"д 1 Дгвде 8 - удельная поверхность, сорбирующая влагу;У - влажность в точке перегибадиэлектрической проницаемостиматериала от влажности;1 - толщина граничного слоя воды;Р - плотность воды, г/см,Энергию взаимодействия молекул влаги с поверхностью материала определяют по формуледП=К-Т 1 п --Дж,1, (,)р вгде- время Оелаксации молекулР сввлагинаходящихся в граничном.слое, с;7.в - время релаксации молекулвлаги вне граничногослоя, с;К - постоянная Больцмана;Т - абсолютная температура.При этом времена релаксации молекул влаги находятся из Формул Дебая:1 Ез- Е(Е)ь л 1 Еб-Е Ею рс 0- частота внешнего электрнитного поля, Гц;Е - диэлектрическая прон5свободной влаги приЕ- диэлектрическая проницасвободной влаги при ЕВ случае 1=8,5 10 (Гц) Ев=80при этом для свободной воды Е(Для связанной воды, находящв граничном слое, Е(Г) находпо формуле где А=9 Ем тС -ЗС ,-2 Е ,)+Р(Е(Е) +2 Е мат) ь СаС кр (Е(Е) в+2 Е ,) +3 (Е (Е) в - Е ма Е ; диэлектрич мость иссл материала;- влажность исследуемогосухого материала;материала в точке перэкспериментальной крПЛОТНОСТЬ ИССЛЕДУЕМОГОхого матер:.ала;р - плотность воды.В формуле (4), кроке основногоаметра Ъ , используется такжео( Р= , предст ляЕ 8 Ртношение тангенсов угловэкспериментальной кривойи до точки максимальногоия крутизны. Способ контроля ОтносительногО изменения смачив аемос ти поверхности материала, включающий облучение материала-жидкости СВЧ электромагнитным сигналом, прием провзаимодействующ с материалом-жидкостью СВЧ электромагнитного сигнала и определение диэлектрической проницаемости материала-жидкости, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью определения удельной поверхности материала сорбирующего жидкость и энергии взаимо" действия молекул жидкости с поверхностью материала, в качестве жидкости используют воду, измерение провзаимодействующего с материалом-жидкостью СВЧ электромагнитного сигнала проводят при изменении влажности У материала от нормальной до полного влагопоглощения, определяют диэлектрическую проницаемость материала- жидкости для всех измеренных величин влажности, а значение удельной поверхности материала, сорбирующего жидкость 8 , рассчитывают по форУАФмуле"реая Больцмана,ая температурщ 1 . ктрической исследуемог- постоя - абсолю г едуемог ра р ескоири еве25 качение етвей г мости Е углов наклонаафика на зависи Ю) в точке, со щей значению Д соответственно;частота электром итног ответст ол 5Ю)р смфЮ)1, гтолщина граничного слоя воды в сантиметрах;плотность воды, г/см значение максимального изменения крутизны зависимости диэлектрической проницаемост материал-жидкость для всех значений влажности,ю взаимодеиствия ЛОс молекул оверхностью материала - по Е - значение диэлектр5аемости свободной водь 6(Е) - значение диэлектрической проницаемости свободной воды в нормальных условиях; 5 И) ( -- ,1)+ Е се 2 А А ИлитС,р ЭС ( 2 РЕм,+Рр(Г) +2 Е, )-Е(Е)+ с 10 В 27 С С кр+18 С кр Р Ямам+ СффС кр(Е ф 2мат)+31508134 оставитель Е. Ежовекред М.Моргентал Г рректор М.Кучеряв ор 7822/ДСП Тираж 789 Государственного комитет 113035, Москва, венно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгор од Гагарина, 10 роиз ЗаказВНИИПИ Подписноео изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС35, Раущская наб., д. 4/5,