Способ лужения стальных изделий

Номер патента: 133235

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Гавриленко, Дмитриев

МПК: C22B 19/18, F28B 11/00

Метки: жидкостных, конденсаторах, температуры, цинка

...на входе 1 и выходе 2 змеевика одинакова. При полном погружении змеевика в цинк (фиг, 2) достигается большой тепловой поток (даже больше критического).Коэффициент теплопередачи изменяется от нуля до очень высоких значений (на границе перехода пузырькового кипения в пленочное) Соответственно возрастает количество отнимаемого змеевиком тепла. При переходе пузырькового кипения в пленочное коэффициент теплопередаПредмет изобретения Ь строиство для автоматического регулирования температуры В жидкостных конденсаторах цинка, снабженных змеевиковыми теплоотъемниками с проточной водой, расположенными в выносных зумпфах конденсатора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения степени тсплоотдачи от расплава к охлаждающей воде,...

Номер патента: 125669

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Дубинкер

МПК: G01N 3/18

Метки: быстрого, высоких, движении, длиномерных, нагрева, образцов, покое, температур

...чего для их нагрева до заданной температуры или изменения ее требуется весьма продолжительное время.С целью устранения отмеченных недостатков, предлагается способ нагрева образцов или изделий до высоких температур с большой скоростью при равномерном распределении техператур в нагреваемом теле и минимальных потерях тепла (энергии). Для этой цели применяются инфракрасные лучи, испускаемые нитью, спиралью или стержнем. нагретыми до заданной температуры, Излучатель располагается между двумя цилиндрическими вогнутыми отражающими поверхностямн параллельно их образующим в одной из сопряженных точек; нагреваемосПредмет изобретения Способ быстрого нагрева до высоких температур длинномерных изделий или образцов при движении или в покое,...

Номер патента: 128227

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Церих

МПК: A01K 41/00, G01D 21/02

Метки: влажности, воздуха, движения, других, инкубаторах, обмена, подобных, помещениях, прибор, скорости, температуры

...полупроводниковые термочувствительные сопротивления или термисторы Т, и Т, соответственно подобранные по значению номинального сопротивления, стабильности и термочувствительности.Электроизмерительными схемами служат мостовые схемы: одинарная (для измерения и регулирования температуры) и дифференциальные (для измерения и регулирования влажности, скорости движения воздуха и воздухообмена). Питание схем производится от сети переменного тока через стабилизатор напряжения и понижающий трансформатор,Термисторы Т и Т, в схемах дифференциальных мостов нагреваются током косвенного ооогрева при постоянной подводимой к ним мощности, Каждый из этих термисторов покрывается специальной обмоткой для внешнего обогрева.При изменении значения...

Номер патента: 322658

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Глускина, Гуслицер, Кувичкин

МПК: G01K 7/16

Метки: датчик, движения, процессе, температуры, шины

...и близлежащих слоев каркаса камерных и бескамерных шин, увеличить срок службы при высоких скоростях движения, а также обеспечить контроль температуры любых шин без предварительнойзакладки держателя во время сборки. На чертеже представлен предлагаемый дат чик.Микротерморезистор 1 вставлен в медицинскую иглу 2, запаянную с торца и спаянную с корпусом 3, в пазах которого выводы терморезистора 4 закреплены с помощью съемной 1 О крышки 5,Сигнал датчиков передается через выводы,расположенные в боковине шины, токосъемники соединительные провода на прибор,115 Корпус датчика выполнен в виде соосно расположенных цилиндра с диском, в пазах которого с помощью съемной крышки б закреплены выводы терморезистора 1. При ввернутом 20 датчике с...

Номер патента: 1096312

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Войцеховский, Николаева, Якобсон

МПК: C30B 7/00

Метки: насыщения, раствора, температуры

...насыщения), раствор 1 в дворике растворения имеет более высокую концентрацию и, следовательно, более высокий показатель преломления по сравнению с окружающей массой раствора. При росте кристалла т.е. при температурах ниже точки насыщения (при концентрациях вьппе концентрации насыщЕния, концентрация раствора и показатель преломления в дворике кристаллизации ниже, чем в основной массе раствора. В насьпценном растворе, когда кристалл не растет и не растворяется, отсутствует различие в концентрациях, а следовательно, и в показателях преломления в основной массе раствора и в слое, примыкающем к кристаллу. чтобы часть очертаний предмета просматривалась через дворик кристаллизации. Искажения очертаний предметов или их линий при росте и...