Способ определения напряжения пленочных материалов на подложке
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ 29786 ОИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советник Социалистических РеспуОликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 31.11.1969 ( 1330408/26-25) МПК Ст 01 Ь 9/ рисоединением заявкиПриоритет публиковано 11.111,1971, Бюллетень1 ата опубликования описания 7 Х,1971 Комитет по деламизобретений и отнры К 535.417(08 при Совете Министров СССР, И. Жуко Заявител ОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЛЕНОЧН МАТЕРИАЛОВ НА ПОДЛОЖКЕПредм изобрстени Способ определен материалов на под лучевой интерферов что, с целью повы ия напряжений ложке при помо гетрии, отлиааюиг шения точности иленочныхщи многоийся тем,змерений,Известен способ измерения напряжении, при котором подложка под действием механических напряжений в осажденной на пее пленке деформируется, приобретая форму, близкую к сферической. Величину прогиба подложки, по которому судят о напряжениях в пленке, измеряют с помощью многолучевой интерферометрии.Недостаток известного способа состоит в том, что этим способом невозможно измерять 1 напряжения в неотражающих и слабоотражающих пленках, а также в пленках, неравномерных по толщине. Используемые зеркала с однослойным металлическим покрытием не обеспечивают качественной интерференцион ной картины, что приводит к значительным погрешностям в определении радиуса кривизны подложки.Предложенный способ дает возможность проводить с высокой точностью измерения на пряжений в неотражающих и неравномерных по толщине пленках по качественно новой интерференционной картине.Сущность способа состоит в том, что интерференционная картина образуется между по верхностью подложки н поверхностью девятислойного диэлектрического зеркала, а пленка расположена на поверхности, противоположной измеряемой, и не является отражающей плоскостью. 3 Предложенный способ поясняется чертежом.Луч 1 высокой монохроматичности (1, =о= 5461 А), проходя зеркало 2, на поверхность которого нанесены тонкие диэлектрик ческие слои оптической толщины гггг = - , отражается от поверхности подложки г, имеющей радиус кривизны Л. Проходя поочередно каждый слой многослойного зеркала, луч об. разует на границе раздела новые отраженные лучи 4. Поэтому между поверхностями 5 и 6 подложки и зеркала накапливается большое количество световой энергии, благодаря чему создается мнгоголучевая интерферометрия нового качества. При этом пленка 7 не участвует в образовании интерференционного поля, так как она расположена на подложке с противоположной стороны.Разработанный способ может быть использован и для измерений механических напряжений в многослойных структурах.света высокой монохроматичности, при этомпо изменению интерференционной картины судят о напряжении в исследуемом материале. Составитель В. С. Зверев Редактор Т, 3. Орловская Текред Е. Борисова Корректор В. П, Федуловаказ 1124/10 Изд.499 Тираж 473 НИИПИ Комитета по делам изобретений и огкрытий при С Москва, Ж.35, Раушская наб д, 415Типография, пр. Сапунова поверхность пОдлОжки пРиводят В контакт с поверхностью полупрозрачного многослойного диэлектрического зеркала и облучают пучком Подписное е Министров СССР
СмотретьЗаявка
1330408
В. В. Долгов, Ю. Н. ков, А. С. Валеев, В. И. Жуков
МПК / Метки
МПК: G01B 9/02
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-297860-sposob-opredeleniya-napryazheniya-plenochnykh-materialov-na-podlozhke.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения напряжения пленочных материалов на подложке</a>
Предыдущий патент: Фотоэлектрическое устройство для контролякрая ленты
Следующий патент: Способ определения деформаций по картине муаровых полос
Случайный патент: Корпус радиоэлектронного блока