Устройство для моделирования распределенной rc-структуры
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Саввтских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М Заявлено 07.711.1969 ( 1344421/18-2 МПК 6 06 д 7146 присоединением заявки ч 0риоритет Комитет по дел изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано 12.11.1971, Бюллетень М 8 Дата опубликования описания 26.П 1.1971 681,332. 35 (088. вторызоб ретени. Петуха осибирский электротехнически сти явител СТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИ РАСПРЕДЕЛЕННОЙ КС-СТРУКТУРЫ Настоящее изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для моделирования физических процессов, протекающих в реальных однородных и неоднородных ЯС-структурах, которые применяются в микроэлектронике в качестве избирательных ЯС-фильтров, фазосдвигающих цепей в ЯС-генераторах и др,Для моделирования РС-структур с распределенными параметрами используются соединенные последовательно РС-звенья из сосредоточенных ЯС-элементов.Однако такие устройства имеют тот недостаток, что для более точного соответствия между моделью и реальной ЯС-структурой требуется большое число звеньев, исчисляемых десятками, Кроме того, усложняется задача моделирования неоднородных ЯС-структур, когда параметры ЯС-элементов отдельных звеньев модели должны изменяться по определенному закону.Цель изобретения заключается в наибольшем приближении модели к реальной ЯС- структуре, а также в упрощении конструктивного изменения абсолютных значений параметров модели и закона их изменения по длине модели,Эта цель достигается благодаря тому, что сама модель представляет собой систему с распределенными ЯС-элементами, где роль распределенного сопротивления выполняет раствор электролита, а распределенная емкость создается слоем электролита и металлическим основанием, которые отделены друг от друга пленкой диэлектрика, например фторопласта.Конструкция устройства для моделированияраспределенной ЯС-структуры изображена начертежеУстройство ЯС-структуры состоит из металлического основания 1, боковых стенок 2, изготовляемых из непроводящего материала с 1 О укрепленными на них металлическими пластинами 3, которые являются входом 4 и выходом 5 устройства. Контуры внутренних поверхностей боковых стенок б выполнены по закону исследуемой ЯС-структуры (линейному, показательному, гиперболическому и др,), Эти стенки делаются съемными, что позволяет легко переходить от одного закона изменения параметров ЯС-структуры к другому, Между боковыми стенками б и металлическим основанием 1 прокладывается по всей поверхности основания тонкая диэлектрическая пленка. Распределенное сопротивление создается электролитом, который заливается во внутренний объем модели. Электролитом может слу жить слабый водный раствор солей. Распределенная емкость образуется между раствором и металлическим основанием, которые разделены пленкой.Подавая на вход 4 модели гармонический Зо сигнал, можно исследовать частотные и фазовые характеристики системы как в режиме холостого хода, так и при работе ца активнуюЗаказ 745/16 Изд.329 Тираж 473 Подписное ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д, 4(5Типография, пр. Сапунова, 2 или комплексную нагрузки на выходе. Изменяя концентрацию электролита, что соответствует изменению удельного сопротивления модели, можно моделировать процессы в требуемом диапазоне частот. Предмет изобретенияУстройство для моделирования распределенной ЯС-структуры, содержащее ЯС-элементы, отличающееся тем, что, с целью наилучшего приближения к реальной РС-структуре, в нем ЯС-элемент выполнен в виде корпуса, заполненного электролитом и содержащего металлическое основание, покрытое слоем диэлектрика, и съемные боковые стенки из не- проводящего материала, контуры внутренних поверхностей которых выполнены по закону исследуемой ЙС-структуры.
СмотретьЗаявка
1344421
Г. П. Каблов, О. К. Кочергин, В. Я. Петухов Новосибирский электротехнический институт
МПК / Метки
Метки: rc-структуры, моделирования, распределенной
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-296125-ustrojjstvo-dlya-modelirovaniya-raspredelennojj-rc-struktury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для моделирования распределенной rc-структуры</a>
Передвижное устройство для пробивки корки электролита алюминиевого электролизера
Номер патента: 108816
Опубликовано: 01.01.1957
Автор: Кузнецов
МПК: C25C 3/14
Метки: алюминиевого, корки, передвижное, пробивки, электролизера, электролита
...1 З погружения пики 11, что дает возможность правильно рассчитывать силу удара поршня и не делать холостых ударов.Наличие трех воздушных камер в цилиндре инструмента 1 позволяетвести работу без отдачи.Верхняя камера 14 постоянно сообщается с атмосферой через калиброванное отверстие (с малым пропуском воздуха) и воздушно-масляный фильтр 15.В нижнюю камеру 1 б с помощью крана 17 подается по стрелке И сжатый воздух и шток поднимается в исходное положение. После установки с помощью стрелы 2 и системы гидроцилиндров 4 пики 11 на корку электролита 19 рукоятка крана 17 ставится в положение атмосфера, а рукоятка крана 10 на положение подъем поршня, и сжатый воздух поступает по стрелке 20 в среднюю камеру для подъема поршня; затем быстрым...
Устройство для регистрации изменений давления со следящей системой
Номер патента: 133782
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: G01L 19/08, G01L 7/18
Метки: давления, изменений, регистрации, системой, следящей
...свободно перемещающаяся индуктивная катушка 3, состоящая нз двух секций. Движение феррнтового поплавка меняет индуктивность секций катушки и мостовая схема 4 выходит нз баланса. Ток разбаланса подается на усилитель б типа УЭ(от электронного моста ЭМП), который, в свою очередь, приводит в действие реверсивный двигатель б типа РД - 09. Под действием двигателя б перемещается стрелка 1 плп перо), а также катушка 3 датчика, Движение катушки о но стеклянной трубке 1 происходит до те пор, пока ферритовый оплаво 2 не окес в среднем положении между секциями катушки т и не восстановится баланс моста,133782 Предмет изобретения Устройство для регистрации изменений давления со следящей системой, содержащее 1.1-образный ртутный манометр, самопишущий...
Устройство для электрохимического насыщения электролитов металлами
Номер патента: 470554
Опубликовано: 15.05.1975
Авторы: Березина, Клещев, Рахматуллин
МПК: C23B 5/68
Метки: металлами, насыщения, электролитов, электрохимического
...в ван.нс. Корпус для анода проницаем для электролита как через нижнюю часть для анолита,ля ов Известно устройство ского насыщения электро держащее проницаемые пуса, анод в виде грану женные в корпусах, токо приспособления. Такое у лую скорость насыщения лами из-за неподвижной Кроме того, обслуживани так как его корпуса для странственно разделены этом плохо используется зеркало ванны. для электрохимичелитов металлами, содля электролита корл и катод, располоодводы и завесочные стройство имеет маэлектролита метал- масса гранул анода. е устройства сложно, катода и анода пров электролите, приполезнын объем и я - облегчить обслуживавеличить скорость насыщеля этого предлагаемое устподвижной пластиной, своой поверх анода, а корпус ожен...
Устройство для уплотнения слабого грунта основания под здания, сооружения
Номер патента: 737562
Опубликовано: 30.05.1980
Авторы: Ермолаева, Ларина, Рельтов
МПК: E02D 3/02
Метки: грунта, здания, основания, слабого, сооружения, уплотнения
...сборных элементов, которое выполнено из бетбйных "илиперфорированных труб. Диаметр труб и высота балочек равны высоте фильтрующегослоя и составляют 100 - 200 мм. В случаевыполнения сборных элементов из перфорированных труб, приспособленйе для откачивания воды и воздуха подсоединяется непосредственно к ним. Трубы применяютсяметаллические или пластмассовые,Концентрично пригружающему приспособлению 4 на расстоянии 1 - 2 м от негоразмещен замкнутый барьер 5 из сборныхэлементов, В этом случае приспособление 3для откачивания воды и воздуха и фильтрующего материала размещено не тольковнутри барьера, но и подведено к фильтрующему материалу, размещенному междупригружающим приспособлением 4 и барьером 5,При выполнении барьера 5 из перфорированных...
Устройство для присоединения кристаллов к основаниям полупроводниковых приборов
Номер патента: 1038984
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов
МПК: H01L 21/50
Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения
...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...
Предыдущий патент: Электролитическая ванна для моделирования нередающих линий
Следующий патент: Устройство для моделирования постепенного изменения параметров технических систем
Случайный патент: Стабилизированный преобразователь напряжения