Способ герметизации корпусов полупроводниковыхприборов

Номер патента: 289884

Авторы: Гурский, Институт, Клименкь, Хренов, Шапиро, Шульман

ZIP архив

Текст

289884 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВ 7 ОРСЯОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советсних Социалистических РеспублинЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 28.Х,1969 ( 1373338/25-27)с присоединением заявкиПриоритет МПК В 231 с 21/00УДК 621.791,12(088,8) Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано 22,Х 11,1970, Бюллетень2за 1971 Дата опубликования описания З.П.1971 К. К. Хренов, П. И. Гурский, Г. А, Шульман, Г. А. Клименко и И. И. Шапиро Институт электросварки им. Е, О, ПатонаАвторыизобретения Заявитель СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КОРПУСОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ10 Предмет изобретения Известен способ герметизации корпусов полупроводниковых приборов путем холодной сварки их фланцев с использованием пуансона с рабочим выступом и матрицы с выемкой, при котором в выемке матрицы размещают фланец из более пластичного металла. Этот способ требует высокой степени деформации фланца из более пластичного металла и большого удельного давления.Предлагаемый способ лишен этого недостатка благодаря тому, что фланец из более пластичного металла выполняют по высоте не превышающим глубины выемки матрицы и перекрывают его фланцем из менее пластичного металла.Сущность изобретения поясняется чертежом.Фланец 1 из более пластичного металла помещают в матрицу 2 с выемкой 3, равной по глубине 1 - 1,2 толщины фланца 1, а фланцем 4 другой, менее пластичной, детали перекрывают фланец 1 и выемку 3. При этом рабочий выступ 5 пуансона б, установленного на более жестком фланце 4, превышает по высоте суммарную исходную толщину обоих фланцев. Таким образом, металл нижнего фланца 1 при сварке оказывается в замкну том объеме, образованном выемкой 3 матрицы и верхним (жестким) фланцем 4, При этом суммарная степень деформации и удельное давление уменьшаются,Способ герметизации корпусов полупроводниковых приборов путем холодной сварки их фланцев с использованием пуансона с рабо чим выступом и матрицы с выемкой, при котором в выемке матрицы размещают фланец из более пластичного металла, отлипающийся тем, что, с целью уменьшения необходимой степени деформации указанного фланца и сни жения удельного давления, его выполняют повысоте не превышающим глубины выемки матрицы и перекрывают фланцем из менее пластичного металла.289884 Составитель Т. ОлесоваТехред А. А. Камышникова Корректор А. 11, Васильева Редактор Н. Г. Михайлова Типография, пр. Сапунова, 2 Изд.38 Заказ 29/16 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1373338

К. К. Хренов, П. И. Гурский, Г. А. Шульман, Г. А. КлименкЬ, И. И. Шапиро, Институт электросварки Е. О. Патова

МПК / Метки

МПК: B23K 20/00

Метки: герметизации, корпусов, полупроводниковыхприборов

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-289884-sposob-germetizacii-korpusov-poluprovodnikovykhpriborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ герметизации корпусов полупроводниковыхприборов</a>

Похожие патенты