289465

Номер патента: 654889

Опубликовано: 30.03.1979

Автор: Романенко

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, параметров, прибор

...источника питания соединен с линией через активное сопротивление, размещенное на входе источника питания, а частотомер включен между точкой соедпнсния линии с резистором и землей.На чертеже показана схема предлагаемого прибора. Прибор содержит резонансный ЬС-контур, подключенный к входному каскаду на тразинсторе 1, и усилитель на транзисторе 2. Элементом прямой связи между этими узлами является резонансная линия 3, подключенная к регулируемому источнику 4 питания через резистор 5, сопротивление которого равно волновому сопротивлению линии 3. Для измерения частоты автогенератора применен частотомер 6, на который поступает часть высокочастотного падения напряжения на резисторе 5.При включении питания в,С-контуре начинается...

Номер патента: 696362

Опубликовано: 05.11.1979

Автор: Романенко

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, параметров, прибор

...первичный преобразователь 1, включенный вколебательный контур 2 автогенератора3. Усилитель 4 и элемент связи 5 (впростейшем случае резистор) составляют цель положительной обратнойсвязи автогенератора 3.Амплитудный детектор б соединенпо входу с контуром 2 автогенератора3, а по выходу - с входом компаратора 7. Выход компаратора подключенк управляющему входу шунтирующего696362 Формула изобретения 1 ИИПИ Заказ 6757/4 ЭЛемента 8, который может быть выполнен на симметричном полевом транзисторе,Управляемый шунтирующий элементвключен параллельно элементу связи 5.определяющему величину положительнойобратной связи. В прибор включенытакже частотомер 9 и вольтметр 10,показания которых могут быть пересчитаны в значения диэлектрическойпроницаемости...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 1034850

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Дюкарев, Ларин, Манухин, Машкин, Согачев, Суворов

МПК: B23B 41/00

Метки: блока, горизонтальной, ориентации, плоскости, расточном, станке, цилиндров

...3 - схема разложения сил для определения угла наклона центрируюших пальцев к горизонтальной плоскости; на фиг. 4 -схема для определения зависимости вылетацентрируюших пальцев,Растачиваемый блок цилиндров 1 с крыш 30 ками коренных опор 2 устанавливается наопоры 3 станка 4 плоскостью разъема блокацилиндров. Борштанга 5 с выставленнымина определенные размеры центрируюшимиэлементами б, выполненными, например,в виде пальцев, и резцами 7 вводится в35 поддерживаюшие опоры 8 и растачиваемые отверстия, а затем устанавливается порискам на крышке 9 поддерживающей опоры 8 в положении, при котором центрируюшие элементы б располагаются выше плос 4 О кости разъема коренных опор под определенным, постоянным углом к горизонтальнойплоскости. Предельное...

Номер патента: 144299

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Обморышев, Шустов

МПК: G01C 15/00

Метки: залегания, камеральных, падения, пластов, полевых, прибор, трещин, угла, условиях, элементов

...шарнирно установленный патрон 1. вания в него керна 7, горизонтальный круг 8, располож б для вкладь енный под пат144299роном, с градусным делением для определения азимута падения пластов; горизонтальную рамку 9, предназначенную для установки на азимут с учетом наклона буровой скважины; наклонную рамку 10 для измерения угла падения слоев на поверхности керна и вертикальный полукруг 11 с градусным делением, предусмотренный для отсчета угловых значений величины падения пластов и трещин.Шарнирно установленный патрон 6 для керна 7, наклонная 10 и горизонтальная 9 рамки взаимодействуют через керн соответственно каждая с вертикальным полукругом 11 и горизонтальным кругом 8, снабженными градусными делениями подобно применяемым в лимбе и...