287637

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ 282637 Союз Советских Социалистических РеспубликТЕНТ Зависимый от патента М Заявлено 16.Х 1.1966161802,22 иоритет; 16.Х 1,1965,776940895 1966,Япония Комитет по делам зобретений и открыти при Совете Министров СССРУДК 669,27.7;669. ,28.284 (088,8) Опубликовано 19,Х 1,1970 хЪ 35 ллете та опубликования опис я 1.111.197 Иностранцыа Кано, Джииичи Мацу(Япония) и Шигетоси Такаяна Иностранная фирмаМацушита Электроникс(Япония) аявител пг Б ОСАЖДЕНИЯ ТУГОП ИХ МЕТАЛЛО Изобретение относится к области осажления тугоплавких металлов из газо-паровойфазы.Известны способы осаждения тугоплавких металлов, например вольфрама ц молцбдена, из газо-паровой фазы восстановлениемгалоидопроизводных этих металлов воЛорслом на подложке, нагретой ло температуры800 - 1100 С.Однако известные способы не обеспечцвд Оют получения покрытия на нелсстаточно термостойких материалах. Кроме того, осалкцчасто оказываются загрязненными низшимигалоидопроизводными этих металлов и имеютплохое сцепление с поверхностью поЛложкц 15Предлагаемым способом можно получатьпокрытия из тугоплавких металлов ца нелостаточно терыостойких материалах, своболные От при медеи низших ГалсцлОпроизвслнь 1 хметалла. Это Лостигается тем, что сме ь гд Ологенида тугоплавкого металла с водородомподогревают ло температуры б 00 - 1300 С инаправляют на полложку, нагретую допературы 350 - 700 С,На чертеже показана схема для пояснсния описываемого способа.На схеме даны следующие обозначения:кварцевый трубчатый реактор 1, подставка 2,порошкообразное галоидопроизволцос 8 тугоплавкого металла, нагреватель 4, высокочас- ЗО темАвторызобретенияМорио Иноуэ тотцый нагреватель 5, подставка 6, покры. васмая подложка 7 ц сетчатый, зубчатый илц пористый пологревдтель 8.Газовая смесь, состоящая из газообразного галогенцлд, полученного прц нагревании псрошкоооразногс галоцлопроцзволцого тугоцлавкого металла, в смеси с волоролом прохолцт через подогреватель 8 ц подогревается ло температуры б 00 в 13 С, после чего по- лается ца цсв:рхнссть полложкц 7, нагретой ло температуры 350 - 700 С, После прохожленця редкцнт вслсролного восстановления цд поверхности подложки остаточная газовая смссь Отсдсывается цз реактора.П р ц м е р 1. Осажденце молцблецд.Испаряемсс вещество - пятцхлорцстый мслислец, нагретый ло 150 С. Температура цологревателя 700 С; темпсратура полложкц 400 С; расстояние межлу подогревателем и псллотккой 0,7 сл; скорость подачи водорода 1 1/зИн. Материал подложки - плавленый кварц, стекл сви;1 на 51 керамика, сапфир, русин, кварц, углерсл, каыенна 51 сс,1 ь.В этих условиях процсхолцт осджлецце пленки металлического молибдена, облдлающец характерным металлическим блеском, высокой плотностью ц прочностью алгезцц. Скорость осажлеция 100 Л/л 111 н.П р ц м с р 2. Осажлеццс вольфрама.Испарясмое вещество - шестцхлорцстый287637 Предмет изобретения Составитель Е. Кубасова Редактор Н, Л. Корченко Техред Л. В. Куклина Корректор Т. А. КитаеваЗаказ 13/48 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Тип. Харьк. фил, пред. Патент вольфрам, Температура подогревателя 50 С; температура подложки 460 С; расстояние между подогревателем и подложкой 0,8 см; скорость подачи ,водорода 1,5 л/,яин, Материал подложки - керамика, плавленый кварц, сапфир, алмаз, рубин, бриллиант, углерод, каменная соль.В этих условиях происходит осаждение плотной пленки металлического вольфрама, обладающей высокой прочностью адгезии.аСкорость осаждения 80 Л/мин.П р и м е р 3. Осаждение ниобия,Газообразную смесь пентахлорида ниобия с водородом в соотношении 1: 100 при скорости потока 1 л/мин нагревают подогревателем 8 до температуры 900 С и направляют на подложку, нагретую до температуры 350 - 700 С. Ниобий осаждается в виде чистой и компактной пленки на подложки из керамики, кварца, металла, Расстояние между подогревателем и подложкой 0,5 - 1,2 см.П р имер 4. Осаждение ванадия, Осаждение осуществляют из смеси тетрахлорида ванадия и водорода в соотношении 1: 100, подогретой до 1200 С при температу. ре подложки 350 - 700 С и скорости газового потока 2 л/мин. Материалом подложки являются керамика, кварц, металл, Расстояние между подогревателем и подложкой0,5 - 1,2 сл,П р и м е р 5. Осаждение тантала.При осаждении используют смесь пента 5 хлорида тантала и водорода в соотношении1: 100 при скорости газового потока 1,5 л/лин,Смесь подогревают до температуры 900 С, атемпературу подложки поддерживают в интервале 350 - 700 С с зазором между подогревателем и подложкой 0,5 - 1,1 сл, Подложки изготовляют из керамики, кварца, металла.Зеркальные покрытия указанных металловмогут быть получены на полированной поверхности подложки.15 Способ осаждения тугоплавких металловиз газо-паровой фазы путем восстановления 20 галоидопроизводных этих металлов водородом на нагретой поверхности подложки, отлииаощийся тем, что, с целью получения незагрязненных низшими галоидо-производ, - ными металла покрытий на недостаточно 25 термостойких материалах, смесь галогенидаметалла с водородом подогревают до температуры 600 в 13 С и направляют на подложку, нагретую до температуры 350 - 700 С,