Одновитковый разъемный индуктор

Номер патента: 1286770

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Герасименко, Задорожний, Кулинич, Лозовский, Санжаренко, Тейтель

МПК: E21C 39/00

Метки: образования, оси, перпендикулярной, плоскости, скважины, трещины

...трещины 3. В торцовой части скважинь 1 2 с помощью гидрозатвора 4 образуют нагнетательную камеру 5 собеспечением между забоем 6 скважины2 и герметизирующей поверхностью 7;гидрозатвора 4 зазора не более 0,1диаметра скважины 2. После этого насосом 8 в камеру 5 со скоростью1-3 МПа/с нагнетают по трубопроводу9 рабочую жидкость до.гидроразрыва,который фиксигуют по показаниям ма"нометра 10,В лабораторных условиях на образ-: цах песчаника, гипса, песчаного сланца и эквивалентных материалов осу" ществляли гидроразрыв в при различных геометрических параметрах нагнетательных камер, При длине нагнетательных камер более 0,1 диаметра скважины трещины образовывались, как правило, параллельно ее продольной оси, при длине камеры менее 0,1 диаметра -...

Номер патента: 280870

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Носов

МПК: B43L 13/14

Метки: данной, перпендикулярной, плоскости, построения, прибор, проекций, прямоугольных, чертежный

...8 и винтам бкоторые равновелико перемещают гайки 7 с линейками 4 и б.На линейке 4, которая моделирует направления участков ломаных линий связи, параллельных старой оси проекции, нанесены продольные риски а, Ь, с, с 1, е и поперечные риски 6. Первые расположены перпендикулярнонаправляющей 1 и служат для совмещения сточками чертежа заменяемой проекции объекта, а вторые - параллельно оси направляющей 1 и предназначены для совмещения ихс линиями связи между заданными проекциями объекта при установке прибора на поле чертежа.Линейка б моделирует направление участков ломаных линий связи, располагающихсяпараллельно новой осн проекций в новойсистеме плоскости проекций. Линейка б, вдолькоторой нанесены линейные шкалы для оценкиразмеров...

Номер патента: 883424

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Бобров, Власов, Исаков, Таран, Чернов, Шемякин

МПК: E21C 37/00

Метки: образования, оси, перпендикулярной, плоскости, скважины, трещины

...встречаютсяв середине заряда ВВ. В этом месте происходит многократное увеличение давления, чтоприводит к возникновению дискообразной трещины в массиве,В данном случае важным моментом является введение демпфирующего материала, который предохраняет стенки скважины от разрушения, а также улучшает эффект направленного образования дискообразной трещины. Проведенные взрывы показали, что предлагаемый способ трещлнообразования является более эффективным по сравнению с известным способом.:Фс МИГ Формула изобретения1, Способ образования трещины в плоскости,перпендикулярной оси скважины, включающийввод заряда взрывчатого вещества в скважинуи эабойку, установку центра заряда в местеобразования трещины, инициирование заряда спротивоположных...

Номер патента: 481845

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Ефименко, Конашинский, Лазарев

МПК: G01R 5/02

Метки: измерительный, магнитоэлектрический, механизм

...1, через которые проходит магнитный потокзамыкающийся в воздушном зазоре б.Магнитный поток, проходящий через воздушный зазор б в полюсный наконечник 2, достигает поверхности полюса магнита 1 с двух противоположных сторон относительно плоскости, в которой находится рамка 3.Большая часть магнита 1 выполнена из магнитотвердого материала (например типа ЮНДК). Для концентрации в воздушном зазоре б возлюжно большей величины магнитного потока полюса Я и Й частично выполняются в частях 5-8 излюагнитомягкого латериала,Части 5 и 7, охватывая большук частьлагнита 1 в направлении, параллельномповоротной оси 4, соединены соответственно с частили 6 и 8, охватываюшилиэту же часть лагнита 1 в направлении,перпендикулярном поворотной оси 4. Покрывая...

Номер патента: 1038840

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Бородин, Бородина, Кузнецов

МПК: G01N 21/17

Метки: 180-градусных, бария, выявления, доменов, кристаллах, пластинчатых, титаната, топографии

...выглядит темным в скрещенных николях, а структура доменов не выявляется. Не выявляется она и при наклонном падении света: домены просветляются одинаково, Возбуждение в кристалле электрического поля, направленного перпендикулярно оси С., сопровождается появлением компоненты поляризации, направленной по полюс. При этом происходит деформация оптических индикатрис в соседних доменах. Кристалл становится оптически двуосным; при этом главные оси индикатрис соседних доменов отклоняются от оси с на некото рый угол Ы в противоположные стороны. И в этом случае при нормальном падении светового потока доменная структура не выявляется: домены просветляются одинаково. Если же световой поток проходит вдоль главной оси индикатрисы доменов с одним...