Ждущий мультивибратор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
270785 ОПИСАНИЕИЗОЬЕЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик1 татеит,;.чесийябиблиот=на цБКл, 21 а 1 3602 Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 08,И 1.1968 ( 1255103/18-24) с присоединен м заявкиМПК Н 031 сУДК 621,373.531(088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР. М, Наумов и Д. И. За гаирогский радиотехнический институт аявитель Й МУЛЬТИВИБРАТОР Устройства задержки типа ждущего мультивибратора применяются для выраоотки импульса определенной длительности при подаче импульса на вход схемы.При м икр оминиатюрном исполнении ждущего мультивибратора, предназначенного для работы на длительности более 100 лазеек в конструкциях применяются навесные элементы, так как изготовить емкость в несколько микрофарад методами пленочной или твердосхемной технологии практически невозможно.Известны схемы ждущих мультивибраторов, использующие в качестве времязадающего элемента элемент тепловой связи (тепловая емкость) между компонентами схемы.В предложенном ждущем мультивибраторе температурозависимый элемент - диод подключен параллельно переходу база - эмиттер транзистора одного из плеч мультивибратора, что позволяег уменьшить габариты и обеспечить независимость времени релаксации от температуры окружающей среды.На чертеже показана принципиальная схема ждущего мультивибратора, представляющего собой триггер.В цепь базы одного из транзисторов 1 введен температурозависимый компонент с отрицательным т.к.р. (диод 2, термистор и т. д.), имеющий тепловой контакт с резистором 3 (стрелкой показана тепловая связь).В исходном состоянии транзистор 4 открыт,а транзистор 1 закрыт. При подаче положи.тельного импульса на вход схема опрокидывается, транзистор 4 закрывается, транзистор 1 открывается. По резистору 3 начинает про текать коллекторный ток транзистора 1, Реюзистор 3 нагревается и нагревает температурозависимый элемент, в результате чего шунтируется вход транзистора 1. Это приводит к уменьшению базового тока транзистора 1.10 По достижении определенной температурытемпературозависимого элемента ток базы транзистора 1 уменьшается настолько, что перестает выполняться условие насыщенияЕ 15 1 о ЗРгде 1 о - ток базы; Е - напряжение питания; р - коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером. В этом случае схема воз вращается в исходное положение.Таким образом, длительность импульса определяется временем, необходимым для нагревания температурозависимого элемента до температуры срабатывания схемы. Это время зависит от конструкции элемента тепловой связи и мощности, рассеиваемой резистором 3,Если в качестве температурозависимого элемента используется диод, у которого температурное смещение прямой ветви вольт-ампер- ЗО ной характеристики одинаково с температурным смещением входной характеристики тран270785 Предмет изобретения зол Составитель А. Д. федороваРедактор Н, Г. Михайлова Техред А. А. Камышникова Корректор С. М, Сигал Заказ 2202/10 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва Ж, Раушская наб., д. 415 Типография. пр. Сапунова, 2 зистора 1, то схема возвращается в исходное состояние только по достижении определенной разности температур между диодом 2 и транзистором 1. Следовательно, в этом случае время релаксации не зависит от температуры окружающей среды.Идентичность температурного смещения характеристики диода и транзистора выполняется, в частности, в интегральных полупроводниковых схемах, так как там диоды и транзисторы изготавливаются из одного материала по единой технологии. Ждущий мультивибратор на транзисторах,содержащий,в качестве времязадающего 5 элемента тепловую емкость между компонентами схемы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и обеспечения независимости времени релаксации от температуры окружающей среды, температурозависимый 10 элемент - диод подключен параллельно переходу база - эмиттер транзистора одного из плеч мультивибратора.
СмотретьЗаявка
1255103
Н. М. Наумов, Д. И. Закс Таганрогский радиотехнический ииститут
МПК / Метки
МПК: H03K 3/284
Метки: ждущий, мультивибратор
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-270785-zhdushhijj-multivibrator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ждущий мультивибратор</a>
Динамический элемент «исключающее или» на мдп-транзисторах
Номер патента: 307518
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Шагурин
МПК: H03K 17/66
Метки: динамический, или, исключающее, мдп-транзисторах, элемент
...низкий потенциал, 15 недостаточный для отпирания транзисторов 8и 4, а также транзисторов 10 и 11, Тактовый импульс положительной полярности через шину 14 заряжает конденсатор 7 через диод 9 и, действуя через емкости 5 и б на затворы тран зисторов 3 и 4, препятствует отпиранию последних. По окончании импульса диод 9 закрывается, а полов ительно заряженная обкладка конденсатора 7 оказывается заземленной через внутреннее сопротивление генерз тора тактовых импульсов.Таким образом, затвор пнвертирующеготранзистора 8 оказывается под отрицательным потенциалом, достаточным для отпирания транизстора, Орицательный тактовый им пульс по шине 15 открывает нагрузочныйЗаказ 2241/14 Изд.877 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам...
Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах
Номер патента: 1530059
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения...
Логический элемент “исключающее или” на кмдп-транзисторах
Номер патента: 790340
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Грибов, Шафранский, Якушев
МПК: H03K 19/32
Метки: или, исключающее, кмдп-транзисторах, логический, элемент
...двунаправленного ключа, а затвор - к истокам транзисторовдвунаправленного ключа, к затворуи-канального транзистора и к шиневторого входного сигнала, сток и-канального транзистора подключается квыходной шине, а исток - к выходуинвертора.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема устройства.Устройство содержит инвертор 1,образованный р-канальным трназистором 1 э2 и и-канальным тразистором 3 ивключенный между шиной 4 питанияи общей шиной 5; выход инвертора 1подключен к затвору и-канальноготранзистора б двунаправленного ключа 7 и к истоку и-канального транзистора 8, а вход - к шине первоговходного сигнала А, к затвору р-.канального транзистора 10 двунаправленного ключа 7 и к истоку р-канального транзистора 11,...
Логическая схема «не» на транзисторе
Номер патента: 260681
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H03K 19/20
Метки: логическая, не, схема, транзисторе
...экономичность и коэффициент использования напряжения коллекторного источника питания.Схема устройства изображена на чертеже.Оно содержит транзистор 1, резисторы 2 и нелинейный двухполюсник 3,При подаче на вход схемы 11 Е положительного импульса с предыдущей схемы транзистор переходит в режим насыщения и почти все напряжение источника коллекторного пи. тания прикладывается к зажимам двухполюсника, Сопротивление двухполюсника возрастает, что приводит к уменьшению коллекторного тока насыщения транзистора. Ток базы при этом определяется сопротивлением базы и небольшим сопротивлением двухполюсника предыдущей схемы, транзистор которой находится в режиме отсечки, В результате степень насыщения транзистора увеличивается и возрастает...
Устройство для бесконтактного измерения преимущественно температуры вращающихся элементов машин
Номер патента: 773458
Опубликовано: 23.10.1980
Автор: Черкасов
МПК: G01K 13/08
Метки: бесконтактного, вращающихся, машин, преимущественно, температуры, элементов
...устройства.Устройство измерения параметроввращающихся элементов машин содержит вращающийся и неподвижный блоки,которые соответственно содержат датчик 1 измеряемого параметра, ограничительное сопротивление 2, индуктивность 3, варикап 4, фотоварикап 5, 15светодиод 6, неподвижную индуктивность 7, генератор 8 высокочастотных колебаний, фотосопротивление9, преобразователь 10 сопротивлениеток, регистратор 11 и светодиод 12, 2 ОУстройство работает следующимобразом.Вращающийся блок устройства представляет собой резонансный колебательный контур, собственная резонансная частота которого определяется индуктивностью 3, варикапом 2и фотоварикапом 4. Благодаря индук-тивной связи катушек 3 и 7 в контуре возбуждаются колебания частоты,...
Предыдущий патент: Устройство для воспроизведения полутоновых
Следующий патент: Генератор импульсов
Случайный патент: Управляемый источник напряжения