Интерференционный фильтр

Номер патента: 266265

Авторы: Валидов, Гисин

ZIP архив

Текст

В есоюзнал утатентно-техчиче : 1 би лиоте МГ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СЗИДНЕЛЬСта266265 Саюа Саеетских Социалистических Республик.6(088,8) ет Комитет пс деламзобретений и открытийпри Спеете Министров публиковано 17.111,1970, Бюллетень1 ата опубликования описания 7 Х 111,1970 вторызобретен алидов и М. А, Ги Заявитель ЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ФИЛЬТР е в зом, аниференционный ф бой подложку с тями с высоким ения, отличающ ния устойчивост и климатические ирения области выполнены из п стронций,ильтр, представляюнанесенными на нее и низким показателем йся тем, что, с цельюфильтра к механивоздействиям, а такего прозрачности, поры: германий - фтоИнтерщий сопокрытпреломлповышеческимже расшкрытияр истый присоединением заявки М Известны многослойные интерференционные фильтры, изготовленные путем нанесения на прозрачную для рабочей области спектра подложку многослойных систем, состоящих из чередующихся между собой покрытий с высоким и низким показателями преломления.В качестве материалов покрытий используют, например, трехсернистую сурьму, теллур и фтор истый стронций.Предложенное устройство отличается от из вестного тем, что покрытия выполнены из пары: германий - фтористый стронций.Это позволяет повысить устойчивость фильтров к климатическим и механическим факторам, а также расширить область их прозрач ности до 25 мкм.Изготовление фильтров осуществляется на вакуумной установке, обеспечивающей контроль за толщинами слоев и нагрев подложек в процессе испарения. Германий (монокри сталл) испаряется из графитовых тиглей, а фтористый стронций - из вольфрамовых лодочек. Давление в процессе испарения не должно превышать 5 10 "мм рт. ст. Подложки перед испарением нагреваются до темпе ратуры 270 - 300 С, В процессе нанесения слоев их температура должна поддерживаться в интервале 270 - 320 С. Необходимо обеспечить равномерный нагрев подложек и образца, по которому ведется контроль за толщиной на пыляемых пленок, В качестве подложек могут использоваться кварц, фтористыи барии, германий, кремний и другие полупроводниковые монокристаллы.На чертеже показаны оптические характери. стики двух отрезающих фильтров, изготовленных на подложках фтористого бария (кривая 1) и просветленного слоями сульфида цинка монокристаллического германия (кривая 2) .Первый из них состоит из 13- и 11-слойных четвертьволновых систем с крайними слоями в /е длину волны, а второй - из 11- и двух 9- слойных систем. Все системы нанесены одна на другую, Подложка из германия просветлена на область спектра 8 - 12 мкм.Фильтры, изготовленные таким обра обладают высокой устойчивостью к мех ческим и климатическим воздействиям.Так, например, фильтр на германиевой подложке обеспечивает работоспособность при низких температурах, вплоть до 20 К,Предмет изобретения266265 13 lбФгоо г в ъ в гпСоставитель М. Пантелеевктор Н. Д. Воликова Техред Т. П. Курилко Корректор И, С. Хлыстова Заказ 2000/12 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

1255485

М. А. Валидов, М. А. Гисин

МПК / Метки

МПК: G01J 1/22, G01J 3/02

Метки: интерференционный, фильтр

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-266265-interferencionnyjj-filtr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интерференционный фильтр</a>

Похожие патенты