Диодно-магнитный дешифратор

Номер патента: 292154

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лашевский, Свердлов

МПК: G06F 7/06

Метки: дешифратор, диодно-магнитный

...из основных составляющих емкостнотрансформаторной помехи образуется следующим образом. При подаче на одну из координатных шин управляющего импульса напряжения в каждом узле матпицы возникает паразитный емкостный ток, проходящий через паразитную емкость диода, первичную обмотку координатного трансформатора, междуобмоточную емкость трансформатора к нулевой 5 шине накопителя (нулевая шипа соединяетвторичные обмогки всех тоансформаторов с землей запоминающего устройства).Проходящий по первичной обмотке паразитный ток трансформируется во вторичную об мотку, вызывая в адресном проводе накопителя (в числовой линейке) ток помехи, Следствием этого тока является помеха в выходной (разрядной) обмотке накопителя. Помехи, создаваемые...

Номер патента: 466552

Опубликовано: 05.04.1975

Автор: Свердлов

МПК: G11C 17/00

Метки: записью, запоминающего, информции, накопитель, постоянного, устройства, электрической

...содержит разрядные 1, 2 и числовые 3, 4 шины, в местах пересечения которых расположены МОП-транзисторы 5 - 8. Через разделительные диоды 9 - 12 исток запоминающего МОП-транзистора подключен к соответствующей числовой шине У. Накопи- гель содержит управляющие МОП-транзисторы 13, 14 и координатные шины 2, каждая из которых подключена одним концом через управляющий МОП-транзистор к шине нулевого потенциала 15, 16 .5 В исходном состоянии затворы запоминающих транзисторов не заряжены, и во всех ячейках памяти хранится О, Для записи 1 например, в транзистор 5 на числовую шину У 3 подается напряжение записи, достаточное 0 по величине для пробоя истокового диодатранзистора 5. На затвор транзистора 13 подается напряжение, открывающее его. При...

Номер патента: 1141451

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Науман, Служеникин, Шумкин

МПК: G11C 8/00

Метки: выборки, информации, накопителя

...тока чтения второй группы, аноды других диодов с выходами ключей тока записи первой группы, другие аноды и катоды диодов являются вторым выходом устройства, одни из анодов диодов соединень 1 с первыми выводами элементов смещения первой группы, вторые выводы которых соединены с шиной нулевого потенциала, одни из катодов диодов соединены с первыми выводами элементов смещения второй группы, вторые выводы которых соединены с шиной питания, первые входы ключей тока чтения первой группы соединены с первым выводом первого согласующего элемента, второй выход которого соединен с шиной питания, первые входы ключей тока записи первой группы соединены с первым выводом второго согласующего элемента, второй вывод которого соединен с шиной питания,...

Номер патента: 1607620

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...НЯТГряжение а Е 1 сэ выбранцьэе раз э)я 11 ные шиээы 3 подаэат низкое положигельное напряжение, я на соседн 11 е выбранные пэины 3 - нулевое цапря:жение, на остальные разрядные шины 3 нцзкое положительное напряжение. Если пороговое напряжение транзистора 6 ячейки памяти 1 низкое, то через НЕГО ПРО 1 ЕКЯЕТ ТОК ЧТО ЭКВИВЯЛЕНТ цо единичному сОСтояциюе Если ПО 1)о говое напряжение транзистора 6 высокое, то через него не протекает ток что эквийалентно нулевому состоянию,Если при проверке работоспособно" сти матричного накопителя будет ус" . тановлено наличие де 11)ектной строки ячеек памяти 1, то оця заменяется строкой из ячееэ," памяти 4 программируемых электрически, исходные состояния которых эквивалентны единично-, муЯля этого Йя...

Номер патента: 942151

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: матричный, накопитель

...устройства является низкая надежность при использовании матричного накопителя в ЗУ,Цель изобретения - повышение на- г 5 дежности матричного накопителя.Поставленная цель достигается тем, что матричный накопитель для запоминающего устройства, содержащий элементы памяти, каждый из которых зо состоит из транзистора и конденсатора, причем затвор транзистора подключен к адресной шине, сток транзистора - к разрядной шине, а исток соединен с первым выводом конденсато- з 5 ра, элементы памяти разбиты на группы, причем вторые выводы конденсаторов элементов памяти первой и второй групп подключены соответственно к первой и второй шинам питания.4 о 1 4ция логического нуля, - к шине 6 нулевого потенциала.Непосредственно после включенияисточника...