Логическая схема «и—неи»
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1 Ф О П рГС А Н ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 262952 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства1263017/18-24) 11.196 Кл, 21 ат, 3611 явл исоединением заяв МПК Н 031 сУДК 681.325,65(088,8) орнтет Комитет оо делам обретений и открытий ри Совете Мииистрое СССРОпубликовано 04,11,1970. БюллетеньДата опубликования описания ЗХ 1.1970 Авторыизобретения илиппов и О, А, Ханджян аявител И - НЕ ЛОГИЧЕСКАЯ С Предложенная логическая схема И - НЕ 1 И относится к динамическим элементам вычислительной техники и предназначена для использования в качестве универсального логического элемента в цифровых вычислительных устройствах,Логические схемы И - НЕ/И динамического типа, содержащие входные диодные схемы И и транзисторы, известны, Недостатком их является наличие индуктивностей, трансформаторов; сложность схемы либо зависимость работы от постоянной времени накопления и рассасывания заряда в базе транзистора,Предложенная логическая схема, состоящая из двух динамических элементов с взаимно инверсными выходами, отличается тем, что в каждом элементе база инвертирующего транзистора соединена через разделительный конденсатор с,выходом диодной схемы И и через диод цепи разряда конденсатора - с источником смещения, причем выход каждого из динамических элементов соединен с одним из входов второго элемента. Это позволяет,повысить быстродействие и увеличить помехоустойчивость схемы.На фвг. 1 приведена предложенная логическая схема; на фиг. 2 - динамический элемент; на фиг, 3 - временные диаграммы тактовых импульсов и выходных напряжений. Предложенная логическая схема И - НЕ/Исостоит из двух динамических элементов 1 и 2с входами д, 4, 5 и выходами б. Выход каждого элемента соединен с одним из входов5 второго элемента, причем остальные входыэлемента 2 подключены к источнику,постоянного питания.Каждый динамический элемент (фиг. 2) состоит из входной диодной схемы И на дио 0 дах 7, 8, 9 и резисторе 10, подключенном ковходу 11 источника тактовых импульсов, разделительного конденсатора 12, разрядногодиода 13 и инвертирующего транзистора 14.База транзистора 14 через разделительный5 конденсатор 12 соединена с выходом диоднойсхемы И и с катодом разрядного диода 13,анод разрядного диода 13 подсоединен ко входу 15 источника смещения.Тактовые импульсы (фиг. 3) имеют симмет 0 ричную прямоугольную, форму со сосважностью, равной 2. Импульсы питания соседнихлогических схем сдвинуты один относительнодругого на четверть периода,Если во время действия положительного им 5 пульса, генератора импульсов (ГИ) па одномили нескольких входах элемента 1 действуетзапрещающий низкий уровень потенциала%рею алие/Р оставитель Г. С. Колото Редактор Т. 3, Орловск Техред А. А. КамышникоКорректор С, М. Сигал иг. 3 пография, пр. Сапунова,циала, а в элементе 2 - через разделительный конденсатор 12 в базу транзистора 14. Ток, те. кущий к базе транзистора 14, открывает его, и на коллекторе транзистора устанавливается низкий уровень потенциала (сигнал б). Транзистор элемента остается закрытым, и на его выходе сохраняется высокий уровень потенциала.Транзистор 14 элемента 2 будет открыт до конца положительного импульса ГИ. С приходом отрицательного импульса ГИ транзистор быстро закроется обратным током базы, текущим через резистор 10 и,конденсатор 12. После закрывания транзистора конденсатор 12 разряжается через диод 13.Запрещающий сигнал а на входе элемента 1 с предыдущего элемента заканчивается вместе с положительным импульсом ГИпред (фиг, 3), т. е, на 1/4 периода раньше окончания положительного импульса ГИ питания элемента 1. Чтобы транзистор 14 в элементе 1 аставался закрытым до окончания положительного импульса ГИ, на входе его подается за(прещающий импульс б с выхода элемента 2.Если во время дейстгзия,положительного импульса ГИ на всех входах элемента 1 действует разрешающий высокий уровень потенциала, то на выходе этого элемента формируется импульс, который поступает на вход элемента 2 и запрещает формирование импульса на его выходе. Для обеспечения задержки открывания транзистора в элементе 2 сопротивление резистора 10 в нем выбирается большей величины, чем сопротивление резистора 10 в 5 элементе 1, а свободные входные диоды подключаются к источнику постоянного питания.Предложенная логическая схема обладаетповышенной помехоустойчивостью, обеспечиваемойой р азделением входных и выходных це пей элементов конденсатором и введением вцепь базы транзисторов напряжения смещения - Еси,Предмет изобретения 15Логическая схема И - НЕ/И, состоящаяиз двух динамических элементов с взаимно инверсными выходами, каждый из которых содержит входную диодную схему И, раздели тельный конденсатор, диод в цепи разряда иинвертирующий транзистор, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия и увеличения помехоустойчивости, в каждом элементе база инвертирующего транзистора 25 соединена через разделительный конденсаторс выходом диодной схемы И и через диод це.пи разряда конденсатора - с источником смещения, причем выход каждого из динамических элементов соединен с одним из входов 30 второго элемента. Заказ 1328/16 Тираж 500 Подписно ЦНИИПИ Комитета по делам изооретени и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж-З 5, Раушская набд, 4/5
СмотретьЗаявка
1263017
А. Г. Филиппов, О. А. Хандж
МПК / Метки
МПК: H03K 19/08
Метки: «и—неи», логическая, схема
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-262952-logicheskaya-skhema-inei.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логическая схема «и—неи»</a>
Предыдущий патент: Ультразвуковая линия задержки на поверхностныхволнах
Следующий патент: Трехтактный криотронный дешифратор
Случайный патент: Релейное устройство его варианты