Хандж

Номер патента: 262952

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Филиппов, Хандж

МПК: H03K 19/08

Метки: «и—неи», логическая, схема

...13 подсоединен ко входу 15 источника смещения.Тактовые импульсы (фиг. 3) имеют симмет 0 ричную прямоугольную, форму со сосважностью, равной 2. Импульсы питания соседнихлогических схем сдвинуты один относительнодругого на четверть периода,Если во время действия положительного им 5 пульса, генератора импульсов (ГИ) па одномили нескольких входах элемента 1 действуетзапрещающий низкий уровень потенциала%рею алие/Р оставитель Г. С. Колото Редактор Т. 3, Орловск Техред А. А. КамышникоКорректор С, М. Сигал иг. 3 пография, пр. Сапунова,циала, а в элементе 2 - через разделительный конденсатор 12 в базу транзистора 14. Ток, те. кущий к базе транзистора 14, открывает его, и на коллекторе транзистора устанавливается низкий уровень потенциала...

Номер патента: 239380

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Булкин, Хандж

МПК: H03K 3/29

Метки: генератор, импульсный, трехфазный

...схему синусоидального трехфазного кольцевого генератора диодов между базой и эмиттером транзисторов каждого усилительного каскада.На чертеже показана схема предлагаемого генератора.Он состоит из трех идентичных усилительных каскадов 1 - 1 П на транзисторах по схеме с общим эмиттером и содержит следующие элементы: триод-транзистор 1, являющийся усилителем мощности, коллекторную нагрузку 2, сопротивление 3 и емкость 4 стабилизирующей эмиттерной цепочки, сопротивление 5 и емкость б квазидифференцирующей цепочки, базовое сопротивление 7, обеспечивающее возникновение генерации, диод 8, замыкающий положительный ток квазидифференц цепочки на землю, развлзывающую е н выходной трансформатор 10.Предположим, что в некоторый интерва мени транзистор...

Номер патента: 235817

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Хандж

МПК: H03K 19/084

Метки: динамический, инвертор

...уровню туннельного диода 10, то отрицательный импульс генератора импульсов Г 11 заряжает конденсатор 4 по испокс: резистори диОд б. Зряд кондсис 1 235817тора закан швастся к ксццу по,тупериода отр:- цатсльного импульса, а уровень напряжения ца конденсаторе фиксируется вы:оким уровцеч туннельного диода 10 ца входе.Одновременно с этим отрицательный импульс ГИ током через цепочку; резистор 11 и диод 12 переключает туннельный диод 10 в состояние с высоким потенциалом. Этот ток, складываясь с током смещения, протекаощего через резистор И, превышает значение пикового тока туннельного диода 10.Приходящий вслед за этим положительный опульс генератора импульсов Г 111 создает ток разряда конденсатора 4, превышающий ток заряда, поскольку...