Тейт. но. f-xhp4aj; . fl lt; gt; amp; s5u. lijutj, .

Номер патента: 256100

Автор: Вчерашний

ZIP архив

Текст

256 ЮО ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикпоритетублпковано 04.Х.196 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРБюллетень М 3 та опубликования описания 24.111.19 т т т,"1 ВТОР изобретени Вчерашн явите РОЙ СТВО ЕНИЧ ЧНОГО УП СТВЯ, фСРМИРУ 1 ОЩ 1на сетках ио ных Известны устрои 1 е отпирающие импульсь, ртутных вентилей (ИВ).Эти устройства обь 1 чно содержат изолирующий импульсный трансформатор, сеточные цепи, по которым отпирающий импульс передается на сетки ионных вентилей, н источник отрицательного запирающего напряжения.При отпирании вентилей по сеточным цепям протекает в прямом направлении от импульс ного трансформатора к сетке электронный сеточный ток Г 1 о окончании положительного отпирающего импульса в период времени, пока промежуток сетка - катод вентиля остается замкнутым, по сеточным цепям вентилей 1 протекает в обратном направлении ионный сеточный ток - ток деионизации. В известных устройствах для формирования отпирающих импульсов источник отппрающего импульса не пропускает через свою цепь достаточный 2 обратный ток деионизации. Поэтому обычно эти источники шунтируются для замыкания обратного тока деионизации балластным сопротивлением, что вызывает увеличение мощности источника огпирающего импульса. 2Так, если допустить, что величины амплитуды сето ного тока и тока деионизации равны, то мощность источника отпирающего импульса из-за подключения балластного сопротивления возрастает в несколько раз по сравне нпю с мощностью, нсооходимой для зажигания дги В промс 5 кткс сст 1 а - катод.Если вентиль являегся игнптроном с двумя сетками, то при значигельном потенциале зажигания игнайтера (1 - 1,5 кв) илп при пропуске одного из двух игнайтеров, работающих 1;араллельно, нижняя сетка ИВ может почти полностью принять положительный потенциал игнайтера, и по;еточой цепи ниж 11 еи сетки потечет короткий импульс тока в обратном направлении (от сетки к балластному сопротивлению). Падение напряжения от этого импульса тока на балластном сопротивлении 11 Эивсдет к резком снижсни 10 няпряхксния схещенп 51 ня Всрхпси ссткс и прсджсВрсме 11- ному отпиранию 11 В,Прсдлягяема 51 схема стрОЙствя Оолсс а. дежна, Она отли 1 астся от известных гем, что цепи деионизации верхней и нижней сеток разделены вентилем, балластное сопротивлсние служит цепью для замыкания тока дсионизации только нижней сетки. Цепь дсионизации верхней сетки замыкается через вторичную обмотку импульсного трансформатора, сердечник которого к этому моменту врсмени имеет определенную степень насыщения.На чертеже представлена принц 1 пцьяльная схема предлагаемого устройства,Устроиство состоит из сеточного импульсного трансформатора 1, разделяющего вснтиля256100 Составитель Н. НестеренкоРедактор Т, И. Гребенник Тскрс;1 Т, П. Курилко Корректор А. П. Васильева Заказ 57917 Тираж 480 Подписное1 НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква )К, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 2, балластного сопротивления 3, сеточных сопротивлений 4 и 5, источника отрицатсльного запирающего напряжения б и вспомогательных фильтрующих конденсаторов 7 и 8.Для получения в цепи основной верхней сетки тока деионизации, сравнимого по величине с сеточным током, к моменту окончания отпирающего импульса магнитопровод сеточного трансформатора 1 по цепи его первичной обмотки доводится до определенной степени насыщения. При насыщенном магнитопроводе трансформатора 1 ток деионизации верхней сетки протекает в обратном направлении по вторичной обмотке трансформатора, причем величина его ограничивается в основном сопротивлением 4 и сопротивлением вторичной обмотки тоансформатора 1.1Ток деионизации нижней сетки практически не оказывает влияния на процесс деионизации верхней сетки после прохождения анодного тока через вентиль, Поэтому ток деионизации нижней сетки может быть выбрать очень малым, а балластное сопротивление может быть увеличено по сравнению с известными схемами на порядок. В этом случае мощность источника огпирающего импульса не зависит от режима деионизации.Конденсатор 7 служит для уменьшения обратных 11 апряжений Вентил 51 2 при 1(ратковремегп 1 ых повышениях положительного потенциала на нижней сетке,Конденсатор 8 фильтрует высокочастотныепомехи, индуктируемые на проводах сеточной5 цепи при работе ионного преобразователя,В паузе между отпирающими импульсамиток намагничивания трансформатора 1 спадает в контуре первичной обмотки трансформатора. Если закон спадания этого тока линей 10 ный, то на вторичной обмотке трансформатора будет индуктироваться постоянная отрицательная э,д.с., которая может выполнять рольотрицательного смещения на сетках вентилей.К моменту формирования очередного отпира 15 ющего импульса магнитное состояние сердечпика трансформатора 1 должно быть вне об ласти насыщенного состояния,Пр едм ет изобретения 20 Устройство для сеточного управления, например, двухсеточным ионным вентилем, содержащее импульсный трансформатор, источник смещения, сеточные сопротивления верхней и нижней сетки, балластное сопротивление 25 деионизации и 1151 од, отличающееся тем, что,с целью повышения надежности, сеточное сопротивление ьерхпей сетки подключено к аноду указанного диода, а балластное сопротивление деионизации шунтировано кодснсато ром.

Смотреть

Заявка

1226533

В. П. Вчерашний

МПК / Метки

МПК: H02M 1/04

Метки: f-xhp4aj, lijutj, но, тейт

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-256100-tejjt-no-f-xhp4aj-fl-lt-gt-amp-s5u-lijutj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тейт. но. f-xhp4aj; . fl lt; gt; amp; s5u. lijutj, .</a>

Похожие патенты