Способ изготовления электронного прожектора

Номер патента: 456322

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Белюк, Груздев, Крейндель

МПК: H01J 3/04

Метки: источник, электронно-ионный

...снизить разрядное напряжение и повысить плотность плазмы на оси разряда. Однако приложение высокого извлекающего напряжения положительной полярности приводит к подавлению эффекта полого катода и фактическому погасанию сильноточного разряда.Чтобы устранить недостатки существующих источников заряженных частиц на основе отражательного разряда и обеспечить при этом возможность эффективного высоковольтного извлечения из этого разряда как электронов, так и ионов, в систему электропитания введен дополнительный источник напряжения, катоды изолированы друг от друга и присоединены к выводам этого источника напряжения, а во втором катоде выполнена полость, в которую подается рабочее вещество.На чертеже показан предложенный электронно-ионный...

Номер патента: 943623

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Инкин, Мозелев, Саранцев

МПК: G01T 1/29

Метки: колец, параметров, электронно-ионных

...аналиЭ зирующей аппаратуры, испольэоватьАЦП с малым "мертвым" временем налинии с мини-ЭВИ, что позволяет производить измерение параметров в каждом цикле ускорителя.10 Аналогичные расчеты для других тяжелых и средних элементов, ускоряев мых на коллективном ускорителе тяжелых ионов, показывают пригодностьданного способа.15 Способ диагностики электронноионных колец по обратному комптоновскому рассеянию отличается от способа, основанного на регистрации характеристического рентгеновского из2 В лучения. где Ч - объем электронного кольца,Измеряя интенсивность рассеянного излучения по формуле (4), легкоопределить и, Ч - полное число ионо4в электронном кольце, зная остальные параметры, входящие в формулу,в настоящее время они .с...

Номер патента: 1132374

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Курсков, Тютюнников, Шаляпин

МПК: H05H 7/00

Метки: заряда, ионов, кольцах, среднего, электронно-ионных

...= 6 том(ОЙе)о Р 101 Ь (1) интенсивность тормозного.излучения на ионах илиатомах,сечение тормозного излучения на ионах со среднимзарядом, при этом 6 то Ри (О) - сечение тормозного излучения на атоме (Е). =О)",энергетическая эффективность регистрации иэлучениязПосле замены переменных ф = /6получаемДля вычисления сечения (5) надо иметь модели форм-факторов атомов и ионов. На ЭВМ проведено вычисление сечения вторм тормозного излучения для разных энергий-квантов и .разных элементов до Хе включительно. Эти сечения для энергии -квантов Кб 0,2 мс 2=100 кэВ приведены в зависимости от заряда иона для ксенона на фиг,1, для азота - на фиг.2.Из фиг.1 и 2 видно, что если в 2 О эксперименте реализуется точность измерения величиныто это...

Номер патента: 1220556

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Тютюнников, Шаляпин

МПК: H05H 7/00

Метки: ионного, кольцах, компонента, параметров, электронно-ионных

...определяется ио пространственному распределению потерянных электронон. Как показывают расчеты, радиальное рас- Япределение плотности ионов в кольце описывается формулойп (г)=1 ехр(-г (а ), (ч)а распределение плотности электроиов кольца формулой ц (г)=ыехр(-г(ае ) (5) ааг а агде аа и -Е,е а 1+агОтсюда получаютггй а ас аг -а г(6) Таким образом, зная радиальный полуразмер распределения вторичныхэлектронов ае н зная этот параметр для основного электронного кольца, находят по формуле (7) соответствующее значение а; для ионного размера. Измерение радиального профиля потерянных электронов может быть проведено с помощью сцинтиллятора 8. Из измерений частоты бетатронных колебаний электронов кольца 11 можно найти суммарный ионный заряд . по1...

Номер патента: 1225052

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Тютюнников, Шаляпин

МПК: G01T 1/29, H05H 7/00

Метки: диагностики, колец, электронно-ионных

...- 7., - 20 секущие эллипса сечения, параллельные аксиальной оси 2,- 7 Измеряя ширины угловых распределений вдоль прямых .7, С получают 2 Ь сечение распределения потенциала, создаваемого ионами кольца. Так как в видимой области спектра сосредоточена значительная часть мощности СИ (Р100 Вт при М = 5 10 ), то в Зб качестве регистрирующего элемента используют фотопластинку (интегральный датчик) или диссектор,с временным разрешением до десяти наносекунд. Ошибку измерения определяют всли. чиной промежутка между щелями и шириной щели. Оценка дифракционных эффектов показывает, что точность измерения может достигать 47. Задаваясь точностью измерений В0,05, определяют количество электронов в зондирующем пункте:то (О, + 1);"е р 4 еВ условиях...