Способ определения параметров магнитных полей
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Соаетскик Социалистических Республик(23) Приоритет -Опубликовано 3009,81, бюллетень Йо 36Дата опубликования описания ЗОР 9,81(51)М. Кл 3 С 01 й 33/02 Государственный комитет СССР но дедам изобретений н открытий(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙИзобретение относится к способам исследования магнитных полей, а также полей рассеяния у поверхности тел, помещенных в магнитное поле, н может ,быть использовано для измерения величинхарактеризующих магнитное поле в эаданных тбчках на заданной линии или поверхности, контроля полей рассеяния деталей с ферритными сердечниками, дефектоскопни ферромагнитных и металлических изделий, изучения записи информации на магнитных лентах и пластинах й воспроизведения этих записей при относительных скоростях записи датчика от нуля до максимально возможных, определяемых прочностью носителя записи. Известен способ исследования магнитных полей, заключающийся в том, что выбитым с поверхности фотокатода электронам придают нужное распреде.- ление по энергиям и направлению, обеспечивающее Фокусировку и изменение контрастности, позволякщее при необходимости получать изображение с преобразованием длины волны электромагнитного излучения. В этом способе применяется освещени фотокатода как неподвижным изображением, так н сканированием луча света по поверх-ности Фотокатода Г 11 .Недостатком способа является то,что он не дает возможности получитькартину распределения исследуемойвеличины, характеризующей магнитноеполе в заданных точках на заданнойлинии поверхности, сеущей поле исследуемого объекта.О Цель изобретения - расширение Функциональных возможностей способа, аименно получение картины распределения измеряемой величины, характеризующей магнитное поле в заданных15 точках на заданной линии или поверхности, секущей поле исследуемогообъекта.Для достижения укаэанной цели вспособе, основанном на получении в20 вакууме Фотоэлектронов, выбитых наповерхности фотокатода фиксированнымили Сканирукщим лучом света, фотокатод помещают в исследуемое магнитное поле, измеряют изменение тока25 электронов, вызванное этим полем врайоне светового пятна на фотокатоде,а изменение тока фотоэлектронов синхронно со сканированием пятна светапо фотохатоду развертывают на экра 30 не электронно-лучевой трубки,868659 формула изобретения Редактор С. Юско Корректор Л. Бокшан Техред И.Асталош Заказ 8319/66 Тираж 735 Подписи ое ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4 На чертеже показана структурнаясхема устройстваВ схеме обозначен Фотокатод 1, исследуемый объект 2, луч света 3,Фотоэлектроны 4, анод 5, блок 6, формирующйй световой луч, сетка 7, блок8 синхронизации и развертки, усилитель 9, электронно-лучевая трубка 10.Способ осуществляется следующимобразом,фотокатод 1, выполненный в Формезаданной поверхности сечения магнитного поля, располагают в стенке вакуумного баллона и помещают в исследуемое магнитное поле объекта. 2,находящегося вне вакуумного объема.Лучом света 3 выбивают из поверхности фотокатода фотоэлектроны 4,которые собирают анодом 5. Ток Фотоэлектронов между фотокатодом 1 и анодом 5 измеряют, Он зависит от вели,чины напряженности магнитного поля 20(Н) или индукции (В) у поверхностикатода. Чувствительным элементом,определяющим область усреднения измеряемой величины, является объем,прилегающий к пятну света на Фотокатоде, форма катода определяетгеометрию поверхности, секущей магнитное поле, для которой получаютраспределение исследуемой величиныпо заданной программе сканированиясветового луча по фотокатоду. При ЗОсинхронной развертке сигнала на экране электронно-лучевой трубки 10получают изображение или кривые распределения исследуемой величины, характеризующей магнитное поле (напряженность Н или индукция В).Реализация предлагаемого способа в устройствах позволяет применить его не только для измерений при исследованиях, но и для дефектоскопии изделий из Ферромагнитных материалов и металлов, а также при обработке информации с магнитных пленок и пластин. Способ определения параметровмагнитных полей, основанный на получении в вакууме фотоэлектронов, выбитых из поверхности фотокатодафиксированным или сканирующим лучомсвета, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения Функциональных возможностей способа,Фотокатод помещают в исследуемоемагнитное поле, измеряют изменениетока электронов, вызванное этим полем в районе светового пятна наФотокатоде, а изменение тока фотоэлектронов синхронно со сканированием пятна света по фотокатоду развертывают на экране электронно-лучевой трубки.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Электронная оптика и электромагнитные приборы. М., "Высшая школа", 1972, с. 442-459,
СмотретьЗаявка
2873187, 16.01.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2679
РЯБИНКИН ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, САЛИН ИГОРЬ ВИТАЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитных, параметров, полей
Опубликовано: 30.09.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-868659-sposob-opredeleniya-parametrov-magnitnykh-polejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров магнитных полей</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения напряженности переменного магнитного поля
Следующий патент: Ферромагнитный экран
Случайный патент: Устройство для исследования оперативной памяти