Ю. н. филиппоеский, а. я. штаркер, и. с. маршак, в. е. семененко, в.м. лебедев, а.а. ничипорович, г.а. чижик и л.м. гтяцкаяинститут физиологии растений имени к.а. тимирязева
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 238009
Текст
О П И С А Н И Е 238009ЙЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сока Советских Социалистических Респуалик(Л 936680 аявлецо 31.Х 11.19 вок Уо 936679)6-25 .хЪ 936683 26-25 цсоелцненцем з рпорцтет Комитет по деламизобретений и открыти при Совете Ыииистрав УДК 621,327.9:53,0 .54 (088.8) сць х,е Опубликовано 20.11,1 Лата опубликования олл 11.1969 псацц Авторыизобретения ский, А. Я. Ш , А. А, Ничип В. Е, СемененкоЛ. М. Пяцкаямирязева кер, И. С, Марша вич, Г. А, Чижик ений имени К. А,. Н. Филиппо В. М. ЛебедевИнститу иологии раст аявптел ТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ым оклаклснцем; на фиционное покрытие. 2 - пнтерфере.холят в полулофцльтра как О СТОЛО 2, Тан Ц ЧСЦИЯ ВЫКОДЯТ ы зеркала какстолба, так и дуговая с воля Известны источники излучения, содержащие светящееся тело, заключенное в прозрачный баллон, на поверхность которого нанесено интерференциочное покрытие. Наряду с заданными участками излучения (напри)ер, видимого) в сферу действия этик источников попадает значительный процент вредного излучения (например, инфракрасного),Предлагаемый источник излучения позволяет получить направленный лучистый поток полезцьк спектральных зон (Например, видимого излучения) и исключить из этого излучения бли)кцюю инфракрасную область (илц отдельные неэффективные спектральные зоны). Он отличается тем, что на противолежащие части поверкности баллона нанесены полярные по спектральным характеристикам пропусканеея и Отр 2 жснея ентерференционцье покрытия. Одно из этик покрытий (например, интерферсцционный теплофильтр) пропускает полезные участки спектра (например, видимое излучение) и отражает неэффективные (например, инфракрасные), другое (например, интерференционное зеркало) отражает полезные участки (напри)ер, видимое излучение) и пропускает вредные (напри)пер, инфракрасные) . На фиг. 1 показана ксеноноватрубчатая лампа колодного све Б цилцнлреческую кварцевую горелку 1, 2 полненную ичертным газом (ксен оном), впав;ы вольфрамовые электролы 2. Ковке;алино с гор.якой расположена ццлццдрцческая р башка Л водяного оклаиленця. Ру Пка ц ГО)ел 2 Герметически соедц 11 сцы лруг с другом фланцами 4 с патрубкамп г), и которым полключают шланги замкнутой системы, прокачпвающей через рубашку 1 Оклажлагощуо дистиллированную волу. На рубашку 3 водяного охлаждения нанесецо интерфсренционное покрытие 6, состоящее из зеркала 7 и теплофпльтра 8, расположсннь 1 ца прот волежащик частя. поверхности баллона.Дуговой разряд в атмосфере кссцона пспсиест кв 2 нты Вили)1 ОГО и цнфр 2 красцОГО излучений. Кванты волн 380 в 7 гя в пространство со стороны теп 5 цспосрслствсццо цз разрялцог отпажснные от зеркала. Кванты инфракрасного пзл в полупространство со сторон непосредственно цз разрялног 0 отразившись от тсплофильтра,-е гактор рилк 11 одиисносте Министров СССР Заказ 14549 1 праги 480ЦН 11 ИПИ Комитета по делам изобретеиий и открытий при СМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 Таким образом, на облучаемый объект направляется интенсивное видимое излучение,Для более полного поглощения инфракрасного излучения во всем пространстве, окружающем источник света, рубашка водяного охлаждения может быть полностью покрыта интерферснционным зеркалом. Чпогократное отражение вредных спектральных зоп приводит к почти полному, поглощению их сравнительно тонким слоем охлажда 1 ощей жид кости.Указанные принципы коррекции спектра применены для импульсных источников света. Предмет изобретения Источник излучения, содержащий светящееся тело, заключенное в прозрачный бал 5 лон, на поверхность которого нанесено интерференционное покрытие, от,гичаощийся тем,что, с целью получения направленного лучистого потока полезных спектральных зон (например, видимого излучения), на противоле 10 жащие части поверхности баллона нанесеныполярные по спект 1 альпым характеристикампропускания и отражения интерференционныепокрытия,
СмотретьЗаявка
936680
МПК / Метки
МПК: G01J 3/10
Метки: аа, в.м, га, гтяцкаяинститут, имени, ка, л.м, лебедев, маршак, ничипорович, растений, семененко, тимирязева, физиологии, филиппоеский, чижик, штаркер
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-238009-yu-n-filippoeskijj-a-ya-shtarker-i-s-marshak-v-e-semenenko-vm-lebedev-aa-nichiporovich-ga-chizhik-i-lm-gtyackayainstitut-fiziologii-rastenijj-imeni-ka-timiryazeva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ю. н. филиппоеский, а. я. штаркер, и. с. маршак, в. е. семененко, в.м. лебедев, а.а. ничипорович, г.а. чижик и л.м. гтяцкаяинститут физиологии растений имени к.а. тимирязева</a>
Источник р-излучения, например, для толщиномеров покрытий
Номер патента: 401258
Опубликовано: 25.05.1974
Автор: Тумулькан
МПК: G21H 5/00
Метки: источник, например, покрытий, р-излучения, толщиномеров
...1 аНЯЯ ПРН Э О.т а 111 Ы ДнаМСтР источника, и достаточно большую вероятность однократного и многократного рассеяния Р-частиц на повсрхностР 1 самоГО нс Очника с целно обогащеш 1 я выходного потока 1-час- о ти ца м и малых энерГР й.Ьнутренн 51 я поверхность подложки, изготовленной, НРГр 1 мер, из нсркавсОщеи стали, на которой нанесен фиксированный слой радиоактивного вещества имеет форму усечен- О ного конуса с п.1 Оскнк 1 дном 1 и зубчатыми боковымн поверхностями 2, 3. Активный слой нанесс также на верхних плоских участках 4.Наружная поверхность 5 источника глад о кая без активного слоя. Для увеличения площади подложки, на которой зафиксирован активный слой, угол а между соседними плоскостями зубчатой боковой поверхности, обращенный к...
Устройство преобразования плотности потока излучения, например, ядерного в широтно-импульсный сигнал
Номер патента: 468550
Опубликовано: 25.05.1978
Авторы: Галушко, Клемпнер, Крамарев, Чередниченко
МПК: G01T 1/16
Метки: излучения, например, плотности, потока, преобразования, сигнал, широтно-импульсный, ядерного
...В каждую лСцепочку включены потетшиометры Я и К,оси которых механически связаны междусобой; части ЯС - цепочек включены навход пороГового устройство (ПУ),Схема работает следуюшим образом.Рабочий поток излучения Ф поступает наобоих потоков на детектор будет попадать либо Ф, либо Ф .Импульсы, п(ступающие с детектора, усиливаются и подаются на переключатель, который переключается синхронно с модулятором. При этом скорость счета детектораН + й Эт соответствУет облУчению детектора потоком+ Ф т, а скорость счета г - потоком Ф. Последовательности импульсов с частотой и и Иипоступаюто поочередно на КС - цепочки, постоянная времени которых приблизительно равна периоду модуляции. Нв каждой из ЯС - цепочек выделяются переменные напряжения...
Устройство для электростатического нанесения покрытия на колбы источников света
Номер патента: 1128823
Опубликовано: 07.12.1984
Авторы: Андраш, Бела, Ерне, Иштван, Маклош, Шандор
МПК: B05B 5/08
Метки: источников, колбы, нанесения, покрытия, света, электростатического
...колб 7, камерой 36 распылителя 9. На входепыпегенератор 8, электростатический в пылеулавливающий циклон 39 устапистолет-распылитель 9., отсасываю О новлен ионизационный электрод 42,щую. систему 10, блок 11 питания вы- который подсоединен к отрицательномусокого напряжения. электроду источника высокого напряжеПылегенения. Пылеулавливающий циклон 39 снабылегенератор 8 состоит из ко- жен встряхивателем 43 порошка инусообразного резервуара 12 сконическим сборником 44 цорошка, вкрышкой 13 и днищем 14. На крышкеФкрышке котором смонтирован эжектор 45, свя 13 смонтированы вращающийся .ротор 15, занный через резиновый затвор 46 снаправляющий цилиндр 16, труба 17трубой 17 пыпегенератора 8. Транспор,сообщающаяся с отсасывающей систе- тировка колб...
Двухслойное покрытие колб газоразрядных источников света
Номер патента: 1781730
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Басалаева, Девятых, Корнеенков, Коробкова
МПК: H01J 61/35, H01J 61/44
Метки: газоразрядных, двухслойное, источников, колб, покрытие, света
...с защитной пленкой, которые работают с ОО плотностью тока в положительном столбе (0,11 - 0,095) А/см, При плотности тока (0,05 - 0,06)А/см эффект замедления спада (Д светового потока в течение срока службы С) ламп был незначительным и составлял 1;.Недостатком описанной лампы с покрытием является наличие значительной мощности излучения в длинноволновой ультрафиолетовой области 300-400 нм около 0,16 - 0,20 Вт.Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявляемому является двухслойное покрытие, состоящее из отражающего свет видимого1781730 Таблица 1 Таблиц двуокиси титана заменена на Фотохимически стойкую окись алюминия. В результате в процессе горения ламп уменьшается потемнение защитного слоя,Использование...
Материал для эмиссионного покрытия катодов газоразрядных источников света низкого давления
Номер патента: 930424
Опубликовано: 23.05.1982
Авторы: Дубок, Зорина, Конаков, Королев, Пронкин
МПК: H01J 1/142, H01J 1/144
Метки: газоразрядных, давления, источников, катодов, материал, низкого, покрытия, света, эмиссионного
...потерь и, как следствие, к понижению КПД источника света и сокращению продолжительности горения. Цель изобретения - повышение КПД и увеличение продолжительности горения газоразрядных источников света низкого давления.Указанная цель достигается за счет применения материала для эмиссионного покрытия катодов, состоящего из окиси бария и окисла редкоземельного металла, когда в качестве материала покрытия используется стехиометрическое соединение состава ВазМе 40 э, где Ме - редкоземельный металл.Пример, Изготовление материала. Такое соединение может быть получено совмест ным прокаливанием оксалата бария и окса- лата редкоземельного металла при 1500 К с последующей термообработкой полученной смеси при 2000 К в течение 20 мин в...
Предыдущий патент: Автоматическое устройство для смены перегоревших ламп накаливания
Следующий патент: Устройство для крепления патрона люминесцентной лампы в кожухе светильника
Случайный патент: Лигатура