Способ определения удельного поверхностного сопротивления электроизоляционных материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 237260
Автор: Бондареико
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬт.ТБУ Сооз Советских Социалистических Республик:)явпсп)Ое от авт. Свп,тетел(л,хе о 17.11.1967 (ЛЪ 11111,(50,18 10 1 е 29 01 25 Б 1 присос,п(пи ем . 51 вкп Л" 5 П 01 г рпорп;(.:1 Котиитет по делаи изобретений и открыт при Совете хинистра СССР,"ГВ 0)пво бр степ ну Л. С. Бондаренко Рижский политехнический института я в Гсл СПОСОВ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УДЕЛЬНОГО ПОВЕРХНОСТНОГОСОП РОТИ ВЛ ЕН ИЯ ЗЛ ЕКТРОИЗОЛЯ ЦИОН Н ЫХ ЧАТЕРИЛЛО 3, (51. Е;ОЛ" е 1 Р,Г(Ь):Сох7).: Л К О Б Ь С,Г) 5 асто 5 шее П 3 обрстсппе о)по(пт(51 к обллСТ 1 3)СР(1151) (К) );1 1 ОХ;,; К(113 всстсп спо(.Оо О;рс;СГ 1(пни т,",С,1 ьпоЙ поБсрхпостпоп прово:п)ости м 1(Рп:лов, О(.по- Б а и н ы и и а и с и О,ь 3 о Б 1 1 и:31 в и ( 11 о с Ги ОГВ 10. О (0101;Бе(",11 51 01 О,1(,1 е1; Б; кС)ОБ 0 О Р Я 31 Я. ) ТОТ ( и О ( О О П О 3 Б О Л 5 С 1 (. П 0 )10 П 1 О двмх алекРО;ОБ п 3)1 с)и Гь Ряллеп 1 Отепп- ля Вдоль Об;)231;л, Бполнепо; о Б Бп;е к,п 12 с усто. и акс 10 п л:1(. бо, ппс 7, 1. ( Б Основном лл 51 к)пстяллов,0 и и с А Б Г 1 с т л Й с и о с О О и 0. Б о,51 Г о и р е;с л 5 т с ООГ 1 пОЙ топос 1 ько ;ельпос пов;Рх:остпос С 0 П ) О 1 П В Г С Н П С Г 1 П ( ГО; Ь Х 1 П Г С П 0 П П 1." )1 Л Т С - Р 1 Я,Ов. Ос 01с ОГ,(. (. 0 .Як,л(.1(.51 тох 1, 0 на;БЯ пссГе:т еть.х обрлвпл Рлапо 1 ТО;1 ГПИ Н Ы П Л К Г Я 2 Ь Б Л 10 3 ГС К 1;) О; Ь, Г 101 П С Пе даметров коорцх Рло отпоПс:по толшпп И С С Л Са Г С )Ы Х ОО Р Л 3 П О Б, 1. 3 ЪС Р 5110) П О Л П 111 Т 0 К утечки, по которому опрслслик,т улетел:;ое по- ВСРХНОСТНОС СОПРОБЛЕП Пе.11 я сртсжс покл 3 лп и,)пппп.1 лл 1 и 151 Олектэпсск 251 скетя и )ср(.:111; 1 ОверхпООпо. ГО СОП РОТПВГ 1 СП ИИ ПО 0:1 (ивС)10)М (ПО(.ОО Е, Г,ТС 1 -- ВЫСОКОБОЛЬ 1 Ь И г;1(К РО;1,ПЛ- мсрптслыыЙ 3.1 скт;)оп, У - п,(,1 слу(.",1,Й обраасп, 1 - п 3 х 1 срптссь то 1(л, пои 1 ьвлопни сумму Говерхпостпо о: оо ьс 1:ого токов.ДГ 51 р 35 СГ 1 Ь 110 0 1 Яхогл(.1.,5 Ок)Б 1 ПОВсрхпостп 1 л и ток ): .,ОбС. Б 1 и 1 ок 1 прс;( :1 1:3 хСе:1.:. (Оли:11 ь 1 ООР(3.,2РЯЗ.,;0: алсГЫ Рд.)Б Б А-Р 3. БО ОГОГько же Рлдактор С. И. Хейфи аказ 1323,11 1 игпгж 480 Подписное 11 ИИПИ Комгпста ио ггслам ггвоорстсиии и открытий при Совете Мигигстров СССР.а 1 осква, 11 ситр, ир. Серова, л 4 иггогггафги иги Саи 1 иова, 2 изменяется эквивалентная длина пути г, тока г, и Йв раз именястся сечение участка, цо которому протекает ток. Поэтому цзмеггсцию размеров в А раз соответствует измсцсццс1объемного сопротивления в - раз, и ироводимость в А раз,Измерив ток в обоих образца, можно найти их полные сопротивления:ДРкгаз 1 Используя эти формулы, а также заьигсимость между размерами электродов г, поверхностным сопротивлением, получаем формулу для определения удельного повсрхностцог о сопротивления:1 - к -(гЕ+ А)У, У, ( 1 - сГ,)У, Уа Дггя определения удельного поверхггостного сопротггвлсггця огггсывасмым способом можно ггспользовать образцы в вггдс диско;, размеры которых установлены ГОСТ 6433 - 65. 10 Способ определения удельного поверхностного сопротивления электроизоляционцых материалов, основанный ца разном характере гагггггсиагостей поверхностного и объемного сопротивлений от геометрических размеров об разцов, от,гтагои 1 ийся тем, что, с целью измерения удельного поверхностного сопротивлсггия пленочных и листовых материалов, на два исследуемых образг 1 а разной толшины накладывают электроды, отношение,диаметров 20 которых равно отношсшпо толщш исследуемых образцов, измеряют полный ток утечки, ио которому определяют удельное поверхностггое соггротивлеггие.
СмотретьЗаявка
1141180
Л. С. Бондареико Рижский политехнический институт
МПК / Метки
МПК: G01R 27/02
Метки: поверхностного, сопротивления, удельного, электроизоляционных
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-237260-sposob-opredeleniya-udelnogo-poverkhnostnogo-soprotivleniya-ehlektroizolyacionnykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения удельного поверхностного сопротивления электроизоляционных материалов</a>
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов
Номер патента: 1583814
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Богобоящий, Дроздов, Петряков, Раскевич, Рогулин
МПК: G01N 27/00
Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного
...К - коэффициент включения, который зависит от конФигурации электродов, измерительного зазора между ними и толщины образца, Точный расчет коэффициента включения для планарного конденсатора является сложной задачей, поэтому для конкретных практических применений достаточно произвести градуировку по образцам с известными номиналами Ь определенными независимым методом.Примером конкретного применения устройства может служить устройство для измерения удельного сопротивления пластин кремния и теллурида кадмия (фиг, 1 и фиг2), Генератор 6 высокой частоты нагружен на делитель, состоящий из сопротивления образца (К ) и сопротивления нагрузки (К ), на котором измеряется сигнал, пропорциональный току, протекающему по цепи. Площадь контактных...
Способ локального контроля удельного сопротивления полупроводников и устройство для его осуществления
Номер патента: 1822972
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Антюшин, Румянцева, Шалыгин, Штурбин
МПК: G01N 27/62
Метки: локального, полупроводников, сопротивления, удельного
...расположен в отверстии плоского конденсатора, при этом расстояние от острия электрода до рабочей поверхности базового электрода, на которую кладут исследуемый образец 7, составляет величину порядка 0,1 мм. Конденсатор б, показанный на рис. 1 пунктиром, представляет собой межэлектродную емкость резистора 4, которая, как будет видно из дальнейшего, играет важную роль в работе устройства.Работает устройство следующим образом,Конденсатор 2 выступает в роли накопительного конденсатора; при включении источника напряжения 1 он начинает заряжаться, высокое внутреннее сопротивление источника напряжения обеспечивает относительную медленность этого процесса. Одновременно растет и потенциал зондирующего электрода 5 по отношению к образцу 7,...
Токовихревой преобразователь для измерения удельного сопротивления жидкости
Номер патента: 493722
Опубликовано: 30.11.1975
Авторы: Будкин, Вяхорев, Трахтенберг
МПК: G01N 27/46
Метки: жидкости, сопротивления, токовихревой, удельного
...элементов, диска и груза расположен ниже и на оси торцовой поверхности системы 2 компенсационных катушек индуктивности на расстоянии, превышающем ее диаметр.Токовихревой преобразователь работает следующим образом.Система рабочих катушек 1 индуктивности в процессе измерения устанавливается до соприкосновения краем своей торцовой поверхности с горизонтальной поверхностью жидкости. При этом торцовая поверхность системы рабочих катушек индуктивности расположена под углом к поверхности жидкости. Между центром поверхности системы рабочих катушек индуктивности и поверхностью жидкости образуется зазор, и сигнал с системы рабочих катушек индуктивности зависит от этого зазора и изменения удельного сопротивления жидкости, Одновременно...
Способ локального измерения удельного сопротивления полупроводникового материала
Номер патента: 1100544
Опубликовано: 30.06.1984
Автор: Помялов
МПК: G01N 22/00
Метки: локального, полупроводникового, сопротивления, удельного
...условию ферромагнитного резонанса, и которое перпендикулярно переменному магнитному полю, после чего измеряют ширину линии ферромагнитного резонанса ферритового образца в присутствии исследуемого полупроводникового материала и без него и по изменению ширины линии ферромагнитного резонанса определяют удельное сопротивление исследуемого полупроводникового материала в исследуемой области. На фиг. 1 приведена схема устройства для реализации способа, нафиг. 2 - линии ферромагнитного резонанса ферритового образца.Устройство содержит генератор 1высокой частоты, соединенный с первым плечом циркулятора 2, второеплечо которого соединено с короткозамкнутым волноводом 3, в пучностьмагнитного поля которого помещенферритовый образец 4,...
Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока
Номер патента: 496515
Опубликовано: 25.12.1975
Автор: Наливайко
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, высокоомных, жизни, носителей, полупроводниковых, свободных, сопротивления, удельного
...резонансная частота резонатораО(рабочая частота при проведении измерений).В известном устройстве точность измерения снижаетея из за наличия неконтролируемых зазоров между штырем резонатора и исследуемым образцом, которые уменьшают коэффициент включения образца в резонатор.Целью изобретения является повышение точности измерений, Она дос 1 игается тел 1, что торец емкостного штыря в измерительном резонаторе выполнен сферическим,На чертеже изображен измерительный резонатор описываемого устройства с номешенным в него исследуемым образцом,Резонатор образован отрезком волновода 1, емкостным штырем 2, введенным в волновод 1 через его широкую стенку, и снабжен элементами 3 и 4 связи, служашило 1 для ввода и вывода энергии СВЧ колебаний. Торец 5...
Предыдущий патент: 237259
Следующий патент: Компенсационно-мостовое устройство
Случайный патент: Электрографическая машина