Устройство для управления магнитным сопротивлением цепи в функции от температуры
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 212365ИЗОБРЕТЕНИЯ Совд Советоинд Соиидлистическид РвоптелидВ ЛЬСТВУ АВТОРСТВО ависимое о ельствавт. св;л. 21 д, 4/04 100287/26-9) Заявлено 03,1 Х.1966 ( с присоединением заявк ПриоритетОпубликовано 29,11,1968 Дата опубликования оп МПК Н 01 ЬЬ ДК 538.271(088 Ноюитет оо деледт зобрвтвиий и открытийори Совете МиниетровСССР юллетеньания 16 Х.1968 Авторыизобретения ейм гиБ Я. М, Беккер, И,витель УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ МАГНИТНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ ЦЕПИ В ФУНКЦИИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЬне показаноблучении гнитное по в состояние со изменяет , в которую ика теплового излучения,а чертеже. При тепловоермоэлементов создают маорое приводит пластину 1ения, в результате чего резнитное сопротивление цепиастина включена.ойство может быть испольвлении тепловых реле. источи ного н токи т ле, кот насыщ ся маг эта плУстр изгото ано при мет изобретения Известное устройство для управления магнитным сопротивлением цепи в функции от температуры, содержащее включенный в управляемую магнитную цепь ферритовый элемент, выполненный в виде пластины, обладает относительно низкой чувствительностью,В описываемом устройстве повышение его чувствительности достигнуто тем, что пластина снабжена отверстиями, которые заполняют полупроводниковой массой, например антимонидом кобальта или теллуридом свинца, образующей термоэлементы, соединяемые между собой печатными проводниками, и ориентируют пластину одной из плоскостей перпендикулярно направлению на источник теплового излучения.На чертеже показано предлагаемое устройство и разрез по А - А.Ферритовая пластина 1 с прямоугольной петлей гистерезиса снабжена отверстиями 2, которые заполняют полупроводниковой массой, например антимопидом кобальта или теллуридом свинца, образующий термоэлементы, Эти термоэлементы соединены между собой параллельно печатными проводниками 3. Пластину ориентируют в направлении Устройство для управления магнитным со противлением цепи в функции от температуры, содержащее включенный в управляемую магнитную цепь ферритовый элемент, выполненный в виде пластины, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности 20 устройства, пластина снабжена отверстиями,которые заполняют полупроводниковой массой, например антимонидом кобальта или теллуридом свинца, образующей термоэлементы, соединяемые между собой печатными 25 проводниками, и ориентируют пластину однойиз плоскостей перпендикулярно направленик на источник теплового излучения.212365А 4Составитель В. Судариков едактор А. Шиллер Техред А. А. Камышникова Корректоры; И. Л. Кирилловаи А. П. Васильева Заказ 1034/11 Тираж 530 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова,
СмотретьЗаявка
1100287
Я. М. Беккер, И. В. Берг, Б. Е. Клейман
МПК / Метки
МПК: G05D 23/26, H01H 37/32
Метки: магнитным, сопротивлением, температуры, функции, цепи
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-212365-ustrojjstvo-dlya-upravleniya-magnitnym-soprotivleniem-cepi-v-funkcii-ot-temperatury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для управления магнитным сопротивлением цепи в функции от температуры</a>
Способ точной магнитной записи функций
Номер патента: 142054
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: G11B 27/10, G11B 5/00
Метки: записи, магнитной, точной, функций
...на схемы несовпадений 14, 15, на выходах которых формируются импульсы с длительностью, определяемой соотношением скорости воспроизведения к к скорости записи Г. Импульсы, несущие информацию об изменении скорости, подаются на один из входов блока формирования 1 б, 17. На другие входы этих блоков подз142054ются сигналы сосхем блокировки 18, 19, управляемые теми же импульсами, которые запускают кипп-реле 12 и сд. Таким образом, на одном входе блокаформирования действует сигнал, пропорциональный огношению - , анадругом входе - сигнал, пропорциональный произведе 2/ книюна 1, где 1 - длительность соответствующего импульса при2записи.Б блоках 1 б и 17 осуществляется логическая операция деления, в результате которой длительность импульса на...
Способ точной магнитной записи функций
Номер патента: 178164
Опубликовано: 01.01.1966
Автор: Быков
МПК: G11B 27/00, G11B 5/00
Метки: записи, магнитной, точной, функций
...ошибки и последующегозования его для восстановления цецскаго сигнала, отличающийся тем, что, супрощения аппаратуры записи ц воспдения, при записи подмагнцчцванце звающей головки осуществляют от выс25 бцльцого источника, а прц воспроцзвсигнал ошибки выделяют путем сравнестоты подмагнцчцванця с частотой опгенератора. цкццй, неста.ыделе- споль- женноцелью роизве- аписы- окостаедеццц нця чаор ного Известные способы точной магнитной записи функций, основанные на компенсации влияния нестабильности движения носителя путем выделения сигнала ошибки и последующего восстановления исходного сигнала, сложны и требуют для реализации большого количества дополнительной аппаратуры.Предложенный способ позволяет повысить точность работы стандартных...
Способ контроля теплового состояния полупроводниковых вентилей
Номер патента: 350095
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H02H 7/10
Метки: вентилей, полупроводниковых, состояния, теплового
...контроля теплового состояния полупроводниковых вентилей путем подачи контрольных импульсов и измерения сопротивления р - и перехода между двумя электродами.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с целью повышения надежности контрольные импульсы подают на управляющий переход вентиля в течение отрицательного полупериода анодного напряжения и измеряют сопротивление р - тг перехода между управляющим электродом и катодом вентиля.На чертеже дана блок-схема, поясняющая описываемый способ.От фазосдвигающего устройства через эмиттерный повторитель ЭП подается импульс на генератор запускающих импульсов ГЗИ. Генератор ГЗИ вырабатывает импульсы, которыми включается вентиль В силовой схемы. Во время отрицательного полупериода анодного...
Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора
Номер патента: 1559320
Опубликовано: 23.04.1990
МПК: G01R 31/26
Метки: индикатор, полупроводникового, прибора, пробоя, теплового
...герметичнуюоболочку 1, выполненную из полихлорвинила и заполненную нашатырнымспиртом 2 теплового пробоя полупроводниковыхприборовЦель изобретения - расширение функциональных возможностейиндикатора за счет индикации теплового пробоя полупроводникового прибора, недопустимого для визуальногонаблюдения. Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора содержит термоиндикатор плавления изполихлорвинила, выполненный В Видегерметичной оболочки, наполненнойнашатырным спиртом, Расплавлениеоболочки при тепловом пробое прибора приводит к испарению нашатырногоспирта, появление запаха которого Индикатор располагается на верхности полупроводникового3. При тепловом пробое приб рметичная оболочка 1 расплав ся и нашатырный спирт испаряет...
Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах
Номер патента: 1575829
Опубликовано: 15.08.1994
Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин
МПК: H01L 21/26
Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.
Предыдущий патент: Электромагнит
Следующий патент: Устройство импульсного размагничивания магнитоносителя
Случайный патент: Устройство для автоматического управления процессом обработки