210781

Номер патента: 579665

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Мешкаускас, Попов, Раткявичюс, Скорин

МПК: H01J 29/76

Метки: кинескопа, масочного, следа, смещения, точечном, цветного, экрана, электронного, элементе

...электронного 5 следа с точечным элементом,Дополнительное магнитное поле действует в плоскости 1, расположенной между катодами 2 и условным центром отклонения ЗПри отсутствии дополнительного магнитного поля 0 луч 4 после. прохождения через отверстие маски 5 высвечивает алектронный след на экране 6 с центром в точке 7, смещенной относительно точечного алемента 8 экрана, Под воздействием дополнительного магнитнс 15 го поля луч займет положение 9 и высветит апектронный след с центром в точке 10, раоположенный концентрично точечному элементу (см,. также фиг, 2). К оэффициент пропорциональности опредеФ ляется следующим соотношением: ЬХ АХ на (выставление контролируется с помольюоптических средств)Отключают разверткуи измеряют в координатах...

Номер патента: 1611984

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Деменков, Катханов, Лысенко

МПК: C23C 8/70

Метки: боридного, диффузионного, поверхности, слоя, стальных, удаления

...С О О участки иглборидов нию отдельных частей слоя, и в.связи с этим происходит. некоторое выравнивание скорости удаления слоя с поверхности обрабатываемого .изделия.Способ осуществляют следующим образом.В водный раствор хлористого железа с концентрацией 390 г/л завешивается в качестве анода борированный стальной образец, из стали 40 Х, размером 25 хЭСх 3 мм, со слоем боридов железа О, 15-0, 16 мм; катодом служит свинец размером 50 х 60 х 5 мм. Процесс проводится в стеклянном стакане емкостью 0,7 л при комнатной температуре плотности тока 50 А/дм в течение 30 мин. Затем образец промывается в воде,Результаты исследований по отработке оптимальных параметров процесса удаления боридного слоя 150-160 мкм приведены в табл, 1. Из данных...

Номер патента: 522462

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Бутурлин, Вишнева, Ержанов, Кремлев, Чистяков

МПК: G01N 27/00

Метки: глубины, монокристаллического, полупроводника, слоев

...кипения или близкой к ней)раствор, содержащий 35,1% моль этилендиамина (М Н-СН) - Я,3,7% моль пирокатехинаС , Н( О Н )г) и 61,2% моль воды, (применяетсяпри температуре 100-110 С),В результате рельефного анизотропного трав.ления образца получают наклоненную плоскость9, составляющую угол сг с рабочей поверхностьюобразца и лежащую в кристаллографическойплоскости (111) 6.Подтравливание под край окна в маскирующем слое, расположенном по линии пересечениярабочей поверхности образца с кристаллографической плоскостью (111), отсутствует, На наклоненную плоскость выходят полупроводниковые слои и разделяющие их р - з 2 переходы; их линейныеразмеры (глубины) выглядят на наклоненнойплоскости увеличенными в масштабе, определяемом величиной...

Номер патента: 526768

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Кацнельсон, Фурман

МПК: G01B 11/06

Метки: детали, изготовлении, оптического, покрытия, слоев, толщин

...производят при напылении слоя на уже готовую систему слоев.Непосредственно на деталь наносят первый простой диэлектрический пропускающий интерференционный фильтр к-го порядка, состоящий из двух одинаковых многослойных зеркал, разделенных слоем диэлектрика. Зеркала представляют собой двухкомпонентные системы из чередующихся непоглощающих слоев диэлектриков с высоким и низким показателями преломления, оптические толщины которых равны между собой. Оптическая толщина разделительного слоя в 2 к раз больше оптической толщины слоев зеркал.О том, что оптическая толщина достигла требуемой величины, делают заключение, регистрируя минимумы светопропускания для слоев с высоким показателем преломления и максимумы - для слоев с низким показателем...

Номер патента: 1610239

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Аграновский, Брандорф

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, толщины

...22 в состояние, при котором на его выходе появляется уровень лоГической единицы, Поэтому элемент 25 равнозначности выполняет функцию повторителя. В процессе дальнейшего движения эллипсоид 5, магнитный момент М которого направлен, например, слева направо, входит в участок первой трубки 2, размещенный в объекте 1 контроля, и по мере приближения к преобразователю 4 на его выходе появляетсянапряжение О 4, зависимость от времени которого изображена на фиг,2, Это напряжение поступает на вход блока 27 дифференцирования, На его выходе зависимость выходного сигнала О 27 имеет вид, показанный на фиг.2. Нули О 27 соответствуют экстремумам О 4, При этом положение регистрируемых экстремумов практически не изменяется при воздействии внешних полей за...