Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. сви льства ге 1 ПК 6 11 10 75555/18-24) аявлено 27.Х.1969 (Уприсоединением заявк риоритетпубликовано 28,Х.19 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР(088,8) Бюллетень та опубликования описания 6.1.1972 Авторыизобрете А ипов и Ю. И, Шойфе Заявите ПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ2 а го аправлениярабочей зонитовой матрипроходящим величины элемента(СФМ) ерез плоИзвестен способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве (ЗУ)на слоистых ферритовых матрицах по системе2,5 Д, при котором по разрядному и числовомупроводникам подают токи, создающие поле, непревышающее порогового поля для магнитопровода вокруг этих проводников.Цель изобретения - увеличение амплитудысчитанного сигнала и повышение быстродействия,Цель достигается тем, что предварительнопо числовому проводнику подают ток фиксации состояния матриц, совпадающий по направлению с током считывания, с амплитудой,обеспечивающей поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнитопровода, а поразрядному проводнику при записи и по числовому проводнику при считывани подают токи, создающие поле, равное пороговому полюдиагонального магнитопровода.На фиг. 1 показаны состояния элемента пмяти слоистой матрицы, характеризующие еработу в режиме считывания, записи и разрушения 1 и О; на фиг. 2 приведена диаграмма работы ЗУ в режиме считывания и записи1 и О.Любое изменение нмагнитного потока в епамяти слоистой ферр цьпроисходит по путям,ч щадки 1, 2, 3, 4. Крестом и точкой на фиг. 1 обозначены начало и конец вектора остаточьой индукции любой площадки или ее отдельных частей. При обращении к элементу памя ти СФМ по числовому проводнику б подаютчисловые токи считывания 1, и записи 1 а по разрядному проводнику б - разрядный ток считывания Уз, а также ток записи 14 в случае записи 1, который отсутствует при запн си О.Перед сборкой ЗУ по числовым проводникам б подают ток фиксации состояния матриц Уф, совпадающий по направленшо с током 1, и создающий поле, превосходящее пороговое по ле диагонального магнитопровода, которыйпроходит через площадки 1 и 3.По окончании действия тока 1 в силовые линии охватывают только числовой проводник 5 и проходят через площадки 1 - 2 и 3 - 4.20 Запись 1 осуществляют одновременнымвоздействием на элемент памяти двух токов Уз и 1. Поля, создаваемые этими токами в площадках 1 и 3, складываются. Так как система симметрична, то в случае равенства амплитуд 25 этих токов, поля, создаваемые в площадках 2и 4, взаимно компенсируются (фиг. 1 б). Таким образом, в результате действия токов Уз и Уч образуется информационный диагональный по ток, который охватывает проводники б и б и 30 характеризует единичное состояние элемента,35 40 45 т. е. появление в площадках 1 и 3 зоны противоположной намагниченности относительно начальной установки (треугольниками на площадках 1 и 3 условно обозначены части этих площадок, по которым проходит диагональный поток),После действия токов 1, и 1 состояние намагниченности площадок 1 и 3 соответствует исходному и характеризует нулевое состояние элемента (фиг. 1 в).В данной системе выборки информация может быть разрушена в направлении считывания или записи вдоль проводников б и б. На фиг, 1 г, д, е, ж показано разрушение единичного и нулевого состояний диагонального магнитопровода под действием токов разрушения 1, и 1 полярность которых соответственно совпадает с полярностью токов считывания 1 1, и токов записи 1 з, 14Действие токов разрушения по другим направлениям приводит к подтверждению состояния информационного диагонального магнитопровода.Если по числовому проводнику б в направлении тока 1, действует ток разрушения 1 то поле, создаваемое им, подтверждает намагниченность площадок 2, 4 и стремится разрушить единичное состояние диагонального магнитопровода площадок 1, 3 (фиг. 1 г). При этом разрушение единичного состояния начинается с того момента, когда поле, создаваемое током 1 становится равным пороговому полю диагонального магнитопровода.Таким образом, амплитуда числового тока считывания 1 может превышать амплитуду порогового тока для числового проводника б во столько раз, во сколько пороговый ток диагонального магнитопровода превышает этот пороговый ток. Для практически используемых СФМ эта особенность приводит к увеличению допустимой амплитуды числового тока считывания 1 в 1,3 - 1,4 раза.Разрушение по разрядному проводнику б в направлении тока 1 начинается с того момента, когда амплитуда тока У; становится равной пороговому току этого проводника (фиг. 1 д). По мере роста тока разрушения У 5 диагональный поток, характеризующий единичное со 5 10 15 20 25 30 стояние элемента памяти, уменьшается за счет увеличения магнитного потока вокруг проводника б. Следовательно амплитуда числового тока считывания 1 в зависимости от геометрических размеров элемента памяти СФМ может быть в 1,3 - 1,4 раза больше амплитуды разрядного тока считывания 1 (фиг. 2 а).При рассмотрении процессов разрушения нулевого состояния диагонального магнитопровода током 16 (фиг. 1 е, ж) в направлении тока записи по проводникам б и б оказывается, что амплитуда разрядного тока записи 14 может быть равна амплитуде порогового тока диагонального магнитопровода, а амплитуда числового тока записи Уз не должна превышать величины порогового тока для числового проводника б, т. е. допустимый ток 1 может быть в 1,3 - 1,4 раза больше, чем допустимый ток 1 (фиг. 2 б). При записи О разрядный ток записи 1 по проводнику б не пропускают.При одновременном действии двух токов, на. пример, тока У, по проводнику б и тока 1,41, по проводнику б (фиг. 26), кроме информационного диагонального потока, который возникает в площадках 1 - 3, в площадках 1 - 4 и 2 - 3 за счет несимметрии токов также возникает поле, которое, однако, не влияет на состояние их намагниченности, так как не превышает порогового поля для проводника б в рабочей зоне элемента памяти,Предмет изобретения Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве на слоистых ферритовых матрицах с выборкой по системе 2,5 Д, отличающийся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанного сигнала и повышения быстродействия, предварительно по числовому проводнику подают ток фиксации состояния матриц, совпадающий по направлению с током считывания, с амплитудой, обеспечивающей поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнитопровода, а по разрядному проводнику при записи и по числовому проводнику при считывании подают токи, создающие поле, равное пороговому полю диагонального магнитопровода,318993 Редактор И, Орлова Заказ 3834/18 Изд.1526 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, )К, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 Составитель А. Соколов Техред Т, Ускова Корректоры: А. Васильева и О. Зайцева