Патенты с меткой «418739»

Номер патента: 418739

Опубликовано: 05.03.1974

МПК: G01J 1/00

Метки: 418739

...солротивлецием фоторезистора 1 принекоторой фиксированной освещенности,Таким образом, чтобы величина тока г,проч екающего через диод, была,пропорциональна освещенности в логарифмическом масштабе, необходимо, чтобы величина 1 д(Уо -(4 )а оставалась постояйной при изменении тока через транзистор 2.Изменение этой величины обусловлено зависимостью Уо и а от тока транзистора 2 ибудет тем меньше, чем больше Уо по сравцению с У, с и чем больше коэффициент усиления,по току транзистора 2 в схеме с общимэмиттером. При этом, как видно из формулы,происходит частичная компецсация изменения/эи а, поскольку у большинства транзисторов с увеличением тока возрастает как падение напряжения на переходе база - эмиттер,так и коэффициент усиления по...