ZIP архив

Текст

200001 ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Свае Соввтокик Социалистические РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваКл. 21 е, 36/10 42 тп, 14 Заявлено 06.И,1966 ( 1079628/26-10) исоединением заявкиПК 6 01 г Ст Обд ДК 621.316,722,4;68риоритетпубликовано 29,711.1967. БюллетеньЫваятвт оо двлам вбрвтвний и открытий ри Соввтв Миниотров СССРисания 22,1 Х,1967 ата опубликован ВС РОССИ КЛ:;"; ПА 1 ВМ-ЗЯИ%;: БОИСЬвторызобретения А. А. Можейко и В, П, Герасименкоосковский ордена Ленина энергетический и аявит УСТРОЙСТВО ДЕЛЕНИЯ АМПЛИ НАПРЯЖЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТО НАПРЯЖЕН ИДНОГО ЗНАЧЕНИЯА НА ПОСТОЯННОЕ пряжение У, которое и является выходной величиной. Йапряжение 1/ постоянного тока подано на диод через добавочное сопротивление 5,Работа делительного устройства основана на использовании экспоненциальной части вольт-ампсрной характеристики полупроводникового .",иода, описываемой уравнением: де 15 гав 1 -диода Для компенсации влияния соп базового слоя г на точность резул 20 ния в схему включено активное ние 2, являющееся плечом мостов Выходное напряжение У, снятое с моста, связано с входными нап уравнением: 25где К - константа, зависящаясхемы. араметров Известные устроиства деления амплитудного значения напряжения переменного тока на постоянное напряжение, выполненные по схеме суммирования токов на полупроводниковом диоде с управляемым динамическим сопротивлением.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что диод включен в одно из плеч мостовой схемы, в смежное плечо которой к катоду диода подключен элемент, компенсирующий сопротивление его базового слоя например активное сопротивление. Два других плеча моста выполнены на активных сопротивлениях, причем переменное напряжение подано на одну диагональ моста, другая диагональ является выходом устройства, а напряжение постоянного тока включено на диод через добавочное солротивление, Такое выполнение устройства позволяет повысить точность деления,На чертеже представлено описываемое устройство,Оно выполнено в виде моста, в одно плечо которого включен полупроводниковый диод 1. В смежное плечо к катоду. диода включен элемент 2, компенсирующий сопротивление базового слоя диода, Два других плеча моста представляют активные сопротивления 8 и 4. Переменное напряжение Уподано на диагональ моста. С другой диагонали снимают паепловои ток;емпературный потенциаопротивление базовогоок базового слоя диода.200001 4 Предмет изобретения Составитель Ю, В. Шевколович Редактор Н, С, Коган Техред Т. П. Курилко Корректоры Н. И. Быстрова и Л. В. НаделяеваЗаказ 2983/2 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изо 5 ретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр, Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 Устройство деления амплитудного значения напряжения переменного тока на постоянное напряжение, выполненное по схеме суммирования токов на полупроводниковом диоде с управляемым динамическим сопротивлением, отличающееся тем, что, с целью повышения точности деления, диод включен в одно из плеч мостовой схемы, в смежное плечо которой к катоду диода подключен элемент, компенсирующий сопротивление его базового слоя, например активное сопротивление, два других плеча моста выполнены на активных сопротивлениях, причем переменное напряжение подано на одну диагональ моста, другая диагональ является выходом устройства, а напряжение постоянного тока включено на диод через добавочное сопротивление.10

Смотреть

Заявка

1079628

А. А. Можейко, В. П. Герасименко Московский ордена Ленина энергетический институт, пАТЕНтно таиичЕ

МПК / Метки

МПК: G01R 17/00

Метки: библиотека

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-200001-biblioteka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Библиотека</a>

Похожие патенты