197686

Номер патента: 434395

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Темрезов

МПК: G05F 1/56

Метки: импульсные, импульсный, постоянного, проводимости,уз, различного, регулирующий, содержащие, составной, стабилизатор, стабилизаторы, типа, тока1из1вестны, транзистор, транзисторах

...делителем в цепи коллектора и резпстивцый делитель смещения составного транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и упрощения, в стабилизатор до полнительно введены два конденсатора, одиниз которых включен между отводом рсзцстив ного делителя смещения и эмпттером состав ного транзистора, другой - ,между базой составного транзистора и отводом резистпвцого 0 делителя в цепи коллектора коммутирующеготранзистора. Известны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующиц транзистор па транзисторах различного типа проводимости, узел управления, коммутирующий транзистор с резистивньом делителем в цепи коллектора и резистивный делитель смещения составного...

Номер патента: 1610597

Опубликовано: 30.11.1990

Автор: Сидорук

МПК: H03K 17/687

Метки: ключ, мдп-транзисторе

...8 резисторов выбираются достаточно большими, чтобы токи, протекающие через них, не оказывали существенного влияния на напряжение на нагрузке, подключаемой к выходной шине 14 устройства, Эти резисторы служат только для передачи потенциала стока или истока МДП-транзистора на анод стабилитрона 5 и подложку МДП-транзистора 1, что дополнительно повышает линейность сопротивления МДП-транзисто" ра в открытом состоянии.В закрытом состоянии ключа биполярный транзистор 10 устройства управле- ния 9 открыт, и напряжение на выходной клемме 15 устройства управления близко по величине к напряжению на первой шине питания 1 Ь устройства, которое выбирается меньшим, чем мини" мальное коммутируемое напряжение. Поэтому разделительный диод 5 будет...

Номер патента: 1614009

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Болдырев, Талов

МПК: G05F 1/56, G05F 1/59

Метки: биполярных, включенных, выравнивания, динамического, параллельно, токов, транзисторов

...ИЛИ 201 - 20 п, первичные обмотки трансформаторов 251. - 25 пй2 включены между коллекторами каждых двух из биполярных транзисторов 11- 1 п, а каждая из вторичных обмоток 261 - 26 и п - 1),2 271 - 27 вт в х- между одним иа входов одного иэ логических элементов ИЛИ 201 - 20 п и вторым выходом соответствующего ему управляемого ключевого элемента 131 - 13 п, причем начало первичной обмотки 251 - 25 в те - 1 т соответственно хаждого транс 2форматора соединено с началом первой вторичной обмотки 261 - 26 "(" " этого2трансформатора, а конец первичной обмотки 251 - 25 Яп 1 ) - с концом второй2вторичной обмотки 271 - 27 и ь, одна2клемма 22 блока подключения второго источника 21 питания подключена к второму выводу каждого из развязывающих диодов...

Номер патента: 664297

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Галахтин, Герасимов, Кармазинский, Салгус, Филатов

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент

...транзистора12 и сток транзистора 13 подключены кшине 4 питания, сток транзистора 12 иисток транзистора 13 - к входу 2 выходного инвертора 1, а затворы - квыходу 3 выходного инвертора 1.Логический элемент работает следующим образом.Предположим, что в исходном состоянии на всех входных шинах 9-11 элемен - " та - напряжение логического нуля. Следовательно, транзисторы 6-8 закрыты,Напряжение на входе 2 выходного инвер"тора 1 равно напряжению логической единицы, так как открыт транзистор 12 сканалом р-типа, При этом напряжениена выходе 3 выходного инвертора 1равно напряжению логического нуля.Увеличение напряжения на одной из входных шин элемента, например на шине 9,приводит к отпиранию входного логического транзистора 6. Порог срабатывания...

Номер патента: 285051

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 19/28

Метки: 285051

...в базе его накапливается заряд неосновных носителей. При приходе тактовых импульсов по,шинам 12, 18 положительнын импульс рассасывает накопленный в базе диода 6 зарядвызывая срабатывание подготов.ленного порогового элемента на транзисторе 16 и ТД 17. В результате на выходе 20 появ,ляется с небодыдой задерикой (1 - 1,5 нсек.) положительный импульс, устанавливающий триггер последующей ячейки в нуль. Отрицательный импульс не проходит через запертый диод 5, возможна лишь помеха из-за собственной емкости диода. Она очень мала и не может вызвать срабатывание неподготовленного порогового элемента на транзисторе 14 и ТД 15.Г 1 ри большом уровне отрицательного напряжения на ТД 1 (хранение единичного состояния) напряжение в точке 18 отрицательно;...