Ключ на мдп-транзисторе

тельно включены второй 7 и третий 8резисторы, общая точка которых соединена с анодом стабилитрона 4, анодамипервого 2 и второго 3 диодов, подложкой МДП-транзистора и первым выводомпервого резистора 6, второй вывод которого подключен к объединенным междусобой катодам стабилитрона 4, разде,"лительного диода 5 и затвору МДП-тран зистора 1. Анод разделительного диода5 подключен к выходной клемме 15 уст-,.ройства 9 управления, которая является общей точкой соединения нагрузочного резистора 11 и биполярного транзистора 10, которые включены последовательно между первой 16 и второй 17шинами питания, База биполярного транзистора является управляющей клеммой18 устройства, которая через согласую щий каскад 1 связана с входом 19 уп-.равления устройства.Ключ на МДП-транзисторе функционирует следующим образом,В открытом состоянии ключа с входа 2519 управления устройства через согласующий каскад 12 на управляющую клемму 18 устройства подается потенциал,запирающий биполярный транзистор 10.Положительный потенциал от второй шины питания 17 устройства через нагруэочный резистор 11 и разделительныйдиод 5 подеется на затвор 1 ЩП-транзистора 1, Наименьший из потенциаловВходной 13 или выходной 14 шин устрой"Ства через соответствующие параллельносоединенные первый диод 2 и второй резистор 7 или второй диод 3 и третийрезистор 8 передается на подложкуИДП-транзистора и анод стабилитрона 4,40Напряжение на второй шине питания17 выбирается таким, чтобы при макси".мальном коммутируемом напряжении навходной шине 13 устройства происходилпробой стабилитрона 4. Тогда при любом 5Значении коммутируемого напряжения уп-равляющее напряжение затвор - истокЩП-транзистора 1 будет постоянным ипримерно равным падению напряжения настабилитроне 4, что обеспечивает постоянное сопротивление ключа в открытомсостоянии На нагрузочном, резисторе 11 устройствауправления падает излишек управляюшего напряжения. второй шинь, питания 17 за счет тока, протекающегов управляющей цепи от выходной клем.- мы 15 устройства управления 9 через резделительный диод 5, стабилитрон 4 и один из диодов 2 или 3.Величины сопротивления второго 7 и третьего 8 резисторов выбираются достаточно большими, чтобы токи, протекающие через них, не оказывали существенного влияния на напряжение на нагрузке, подключаемой к выходной шине 14 устройства, Эти резисторы служат только для передачи потенциала стока или истока МДП-транзистора на анод стабилитрона 5 и подложку МДП-транзистора 1, что дополнительно повышает линейность сопротивления МДП-транзисто" ра в открытом состоянии.В закрытом состоянии ключа биполярный транзистор 10 устройства управле- ния 9 открыт, и напряжение на выходной клемме 15 устройства управления близко по величине к напряжению на первой шине питания 1 Ь устройства, которое выбирается меньшим, чем мини" мальное коммутируемое напряжение. Поэтому разделительный диод 5 будет закрыт, и затвор МДП-транзистора 1 через первый резистор 6, один иэ диодов 2 или 3 приобретает потенциал стока или истока МДП-транзистора, в зависимости от того, какой из них имеет более отрицательное значение. Величина первого резистора 6 выбирается достаточно большой,с тем, чтобы ток через него и подложку МДП-транзистора был мал по сравнению с током канала ИДП-транзистора в открытом, состоянии, Таким образом, в закрытом состоянии ключа напряжение затвор - исток МДП-транзистора близко к нулю и ток через него не протекает.Формула изобретенияКлюч на МДП-транзисторе, содержащий МДП-транзистор, первый и второй диоды, стабилитрон, разделительный диод, первый резистор и устройство управления, выполненное на биполярном транзисторе, коллектор, эмиттер и база которого подключены соответственно к выходной клемме устройства управления, первой шине. питания и управляющей клемме ключа, входная шина ключа подключена к первому токовому электроду МДП-транзистора и катоду первогодиода, выходная шина ключа подключена к второму токовому электроду ИДП-транзистора и катоду второго диода, аноды первого и второго диодов объединены и соединены с анодом стабилитрона, аСоставитель Д,ЛементуТехред М,Ходанич актор Д.Циткина Корректо равцоваС Заказ 3745 Тираж . 667 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 45оизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 10 516105976 ,затвор ИДП-транзистора соединен с его .ду коллектором биполярного транзистоподложой Через, первый резистор, о т- ра и второй шиной питания, общая то 4- Д и, Ч 8 ю Щ И, й с я тем, что, с целью ка второго и третьего резисторов соеповышени линейности передачи ключа, динена с анодом стабилитрона и с подв,него введенц второй и третий резис- ложкой ИДП-транзистора, затвор которо. 5,торы, включенные последовательно между го соединен с катодами стабилитрона входной и выходной шинами ключа, а в и разделительного диода, анод которо- устройство управления ключом введен го подключен к выходной клемме устнагрузочный резистор, включенный меж ройства.управления.