Ненасыщенная регенеративная схема

Номер патента: 438112

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Бугрова, Соколовский

МПК: H03K 17/56

Метки: переключающая, схема, транзисторах

...что, с целью упро ЗО лампы через диодь1Изобретение относится к автоматике и предназначено для поиска неисправных ламп сигнализации в устройствах автоматики.Известны переключающие схемы на транзисторах, содержащие контрольные и сигнальные лампы, соединенные с одной из шин питания, транзисторы, коллекторы которых подключены к контрольным лампам, диоды, резисторы и контактный прерыватель.Недостаток известных устройств состоит в их сложности,Цель изобретения - упрощение переключающей схемы.Эта цель достигается тем, что сигнальные лампы через диоды, резисторы и контактный прерыватель подключены к другой шине питания, при этом место соединения сигнальных ламп и диодов через резисторы подсоединено к базам соответствующих транзисторов,...

Номер патента: 478423

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Гоффе, Перлов

МПК: H03K 3/2893

Метки: пороговое

...на базу входного транзистора 1 с его коллектора через резистор 6, линию 13 подается дополнительное положительное смешение. В таком состоянйи триггер остается до тех пор, пока не будет повышено входное напряжение Ор При повышении этого напряжения входной транзистор 1, находясь в активной области, начинает закрываться, уменьшается потен 35 пиал его коллектора и потенциал базы,20 40 При повышении входного напряжения О до значения другого порогового уровня) О выходной транзистор 2 начинает готкрываться и в триггере возникает регенеративный процесс обратного опрокидывания.В стадии регенерации с закрьванием выходного транзистора 2 понижается потен циал эмиттеров, входной транзистор 1 скачкообразно открывается, понижение потенциала его...

Номер патента: 748788

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Большов, Макаренко, Подушко, Сенько, Скобченко, Смирнов

МПК: H02P 13/18

Метки: переключающей, схемы, транзисторами

...в режиме холостого хода будет формироваться соответственно напряжение 60 и 61, причем в момент й будет открыт транзистор 32, а транзистор 31 закрыт. Тогда один из выводов резистора 36 подключен к минусовой шине питания усилителей и логических схем, а в точке контроля, образованной соединением первичной обмотки разделительного трансформатора 34 и резистора 36 будет Формироваться напряжение, показанное на диаграмме 62. До момента , транзистор32 закрыт и в точке контроля формируется напряжение, равное удвоенному напряжению питания усилителей мощности. В момент й открывается транэистор 32, на вторичной обмотке разделительного трансформатора 34 меняется полярность напряжения,.и через диод 38 и открытый транзистор 5 клю-, ча 3 протекает ток,...

Номер патента: 1274889

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев

МПК: B23K 31/02

Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов

...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...

Номер патента: 467468

Опубликовано: 15.04.1975

Автор: Любимцев

МПК: H03K 17/082

Метки: ключ, обратной, регенеративный, связью, токовой, транзисторный

...подаче отпирающего импульса в ключе развивается регецеративный процесс от. пцрация ключа и нарастания коллекторного и базового токов, который заканчивается при достижении тока, определяемого нагрузочцойцепью и устройством управления ключа. Напряжения на всех обмотках трансформатора тока задаются базовой цепью транзистора 1, причем напряжение на обмотке 1 положительной обратной связи равно соответственно1" В,Яп.о.с кс эо11 п.о,са напряжение па обмотке 9 отрицательнойобратной связи равно11 о.о.со.о.с =п.о.сВ п.о.сВ случае, когда коллекторный ток меньше некоторой пороговой величины 1 с, напряжение па обмотке 9 (Юо,ос) меньше порогового напряжения У, вентильного элемента 10, и ток в этой цепи отсутствует.Рассмотрим частный случай...