ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 19 ОО 62ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЯЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 17.Х 11,1965 ( 1043784/26-24) Кл. 42 тп, 14 присоединением заявкиМПК 6 061 Приорите Комитет по лелам зобретеиий и открытий ари Совете Мииистрав СССРОпубликовано 16.Х.196 Дата опубликования опи Авторыизобретения В. П. Скуридин В. М. васов чников ститут нститут кибернетики АН УССР и полупроводников АН УССР Заявители ФОТОМАТРИ ед изооретения подл ож ы, нане- фотопронные на проводя- проводяс целью оложены ткальной по гориом ряду зрешаюИзвестные фотоматрицы состоят из общей подложки, нанесенных на нее горизонтальных проводящих шин, отдельных подложек с анесенными на них электродами, фотопроводящего слоя и вертикальных проводящих шин, расположенных на фотопроводящем слое.Предложенное устройство отличается от известных тем, что электроды расположены двумя рядами по обе стороны вертикальной проводящей шины с перекрытиями по горизонтали. В каждом ряду по вертикали имеется зазор, равный величине разрешающей способности фотоматрицы по вертикали. Причем размер электрода по вертикали в три раза больше упомянутой разрешающей способности. Это обеспечивает четкое считывание.На чертеже изображена предлагаемая матрица, вид сверху и разрез по А - А.Она состоит из вертикальной проводящей непрозрачной шины 1, являющейся общим электродом фотосопротивлений данного вертикального ряда; общего фотопроводящего слоя 2 вертикального ряда матрицы; одной из горизонтальных шин 3; одного из непрозрачных электродов 4 фотосопротивления вертикального ряда, соединенного (пайкой или напылением) с одной из нечетных горизонтальных шин; одного непрозрачного электрода 5 фотосопротивления вертикального ряда, соединенного с однои из четных горизонтальных шин; индивидуальной непрозрачной подложки 6 данного вертикального ряда фотоматрицы и общей непрозрачной подложки 7 фото. матрицы.Соотношение размеров индивидуальных61электродов 4 и 5- ) равно - ,,а 3Принцип работы предложенного устройства не отличается от аналогичных устройств, позволяющих реализовать эффект поперечной фотопроводимости, когда напряженность поля между шинами 1 и 3 перпендикулярна направлению света. Фотоматрица, содержащая общую2 О ку, горизонтальные проводящие шинсенные на нее, отдельные подложки,водящий слой и электроды, нанесеотдельные подложки, вертикальныещие шины, расположенные на фото2 щем слое, отличающаяся тем, что,четкого считывания, электроды распдвумя рядами по обе стороны верттпроводящей шины с перекрытиямизонтали, а также с зазором в каждЗО по вертикали, равным величине рараза больше упомянутой разрешающей способности,оставитель В. М, ЩегловТехред Т. П. Курилко Редактор В. Дербино гказ 4343/1 Тираж 535 Подписное НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 пография, пр. Сапунова, д,щей способности фотоматрицы по вертикали, причем размер электрода по вертикали в три екторы: В. В, Крылова и Е. ф. Полионов

Смотреть

Заявка

1043784

В. М. Квасов, С. В. Свечников, В. П. Скуридин, Институт кибернетики УССР, Институт, полупроводников УССР

МПК / Метки

МПК: G11C 11/42

Метки: фотоматрица

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-190062-fotomatrica.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотоматрица</a>

Похожие патенты