189900

Номер патента: 749945

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Акопян, Болотаева, Крестьянов, Попов

МПК: C25D 21/12

Метки: оболочек, формирования, электрофоретического

...подачи моделейс приводом 10 подач, кинематически10связанного с ним датчика 11 положения,устройства 12 управления приводом иустройства 13 перемешивания форетической суспензии.Устройство работает следующим образом.После нанесения токопроводящето слояна модельные блоки и обсыпания их зернистым материалом последние последовательно с помощью устройства подачи мо- Мделей автооператорного типа подаются вфоретическую ванну 1, При подаче модельного блока 2 в ванну в определеннойзоне на него подается положительныйпотенциал в результате контактированияпружины 14 с медной шиной 15. Причемпружина 14 соединена электрическис зажимом 16, в который вставляетсяметаллический стояк 17 модельного блока2, а медная шина 15 соединена с положительной шиной...

Номер патента: 824201

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Арцатбанов, Гречишников, Телековец

МПК: G06F 7/49

Метки: избыточнойдвоичной, системе, сложения, счисления

...результата.Устройство содержит вход 1 отрицательной шины аргумента А, вход 2 положительной шины аргумента А, вход 3 отрицательной шины аргумента В, вход 4 положительной шины аргумента В, блок 5 анализа входных аргументов, первый, второй, третий, четвертый элементы 6-9 задержки, в качестве которых используются О-триггеры, блок 10 формирования результата 2; выход 11 отрицательной шины результата, выход 12 положительной шины результата.Входы блока 5 соединены со входами 1 и 2 шин входного аргумента А и входами 3 и 4 шин входного аргумента В. Первый выход блока 5 соединен с первым входом блока 10, второй - со вторым входом блока 10 и входом первого элемента задержки б, третий и четвертый выходы блока 5 соединены соответственно со входами...

Номер патента: 898605

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Иванов, Истомин

МПК: H03K 7/02

Метки: импульсный, модулятор

...2 Д), а энергияИ , запасенная в емкости С ф линии 10Лффформирования, равнаЛфгде С =С +С +С - суммарная емЛФ 1 2.Икость линии 5формированиясостоящей изп ячеек.Веэ учета потерь в цепи зарядалинии формирования должно выполняться условие Ч 1,=ИЛф, откуда, учитываявыражение1), имеем(ящ " пф /СИз выражения (2 ) следует, что если -1 что всегда выполнимо,бто найрлжение на линии 6 формирова 1/ ЬС А 1ния всегда превышает напряжение Еисточника 1 питания и это условиеположено в основу работы импульсногомодулятора.В момент окончания заряда линии6 формирования напряжение О Ф на последней фиксируется зарядным диодом355, а энергия, запасенная в паразитных емкостях схемы ( емкость междуанодом второго диода и общей шиноймодулятора, междувитковая...

Номер патента: 1029221

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Задубовский, Калугин, Ляпко, Николаенко

МПК: G09G 3/00

Метки: газоразрядной, индикаторной, панелью

...транзисторы Формируют импульсы поддерживающего напряжения(,(Фиг. 2 о,б) в режиме поддержки,В режиме управления (записи н стирания) первые и вторые группыразрядных транзисторов 1 и 2 совместно с разрядными диодами 9 образуют матричный высоковольтный дешиФратор,1029221 3с помощью которого на выбранныхэлектродах ГИП формируются импульсы,выэЫвакицие поджиг или гашение выбранных ячеек. Управление (запись илистирание)достигается путем расширения импульсов поддерживаккцего напряжения за счет более позднего отпирания выбранных траваМеторов из числа 1 . 1 и 2 по сравнению со всеми другиминевыбранными ключами.В устройстве по агавой из координат 10(например х) форевруют дэа импульсаподдерживающего вавряжеиия в пределаходного такта (фаг. 2...

Номер патента: 1290404

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Коптев, Левкоев

МПК: G09G 3/288

Метки: газоразрядной, генератор, индикаторной, панели, переменного, поддерживающего

...напряжения, осуществляетсяпосле окончания действия управляющего импульса по цепи: первый диод 4,третий и четвертый диоды 12 и 13 одного формирователя, эквивалентнаяемкость, диоды 12 и 13 другого формирователя, резистор 11, шина 15 нулевого потенциала,(4) 3 12904 нию с прототипом число используемых транзисторов за счет сокращения в каждом формирователе однополярных импульсов транзистора, обеспечивающего управление первым ключевым транзистором. Кроме того, уменьшается мощность рассеивания на ключевом транзисторе, в чем можно убедиться из следующих расчетов.Среднюю рассеивающую мощность за 10 счет заряда эквивалентной емкости панели определяют из соотношения: где РсР , - средняя мощность, рассеиваемая за счет заряда эквивалентной...