Тьхнимсскай •iбийлиотв. ф. боровик
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 185571
Текст
18557 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.Ч 11.1965 ( 1019627/26-24) 3 аявле присоединением заявкиМПК 6 06 ПриоритетОпубликовано 13.Ч 111.1966. Бюллетень17Дата опубликования описания 13.Х.19 бб Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Мииистрсв СССР. Ф. Боровик Заявител М ДЕКАТРОНОМ СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ОДНОИМПУЛ дом и вторым подкатодом и, когда она достигнет величины напряжения зажигания, разряд переходит на второй подкатод 7. После снятия импульса транзистор закрывается, 5 и разряд переходит на штырек третьего подкатода К 9, Г 1 ри этом на сопротивлении 10 создается повышенный потенциал относительно катода 2, вследствие чего разряд на нем не удерживается и переходит на катод 2. Кон денсатор Ь разряжается через сопротивление 11.Этот процесс повторяется после каждой по.дачи импульса на вход схемы.Когда разряд доходит до нулевого катода 5 12, на выходе 13 возникает импульс благодаря диоду 14 и сопротивлению 1 б, включенным в цепь нулевого катода.Сброс в схеме осуществляется подключением нулевого катода к минусу источника питания ключом 1 б. Предмет изобретени При подаче управл зу транзистора 4 он переходит на первый удерживается до тех конденсатор б. Г 1 о в возрастает разность 25 Схема упр роном, состоя ных в цепях цепи основно что, с целью30 ее надежнос Известны схемы управления декатроном, в которых управление осуществляется подачей отрицательного импульса на подкатоды декатрона. Однако в них на подкатодах декатрона создается дополнительное смещение, а для формирования управляющего импульса используется дополнительный усилитель,Предложенная схема отличается от известных тем, что, с целью ее упрощения и повышения надежности, она содержит транзистор, коллектор которого соединен со вторым подкатодом непосредственно, а с первым катодом - через параллельно соединенные конденсатор и сопротивление, причем база транзистора подключена к источнику запускающих импульсов,На чертеже дана предложенная схема.Схема работает следующим образом.В исходном состоянии разряд горит между анодом 1 и одним из катодов 2, при этом на сопротивлении д создается падение напряжения. Это напряжение должно быть выше напряжения зажигания. яющего импульса на баоткрывается, и разряд подкатод б, на котором пор, пока не зарядится ере заряда конденсатора потенциалов между аноавления одноимпульсным декатщая из сопротивлений, включен- катодов, и диода, включенного в го катода, отличающаяся тем, упрощсния схемы и повышения ти, она содержит транзистор,Заказ 3015/5 Тираж 1075 Формат бум. 60 Х 901/8 Объем 0,13 изд. л, ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 коллектор которого соединен со вторым подкатодом непосредственно, а с первым катодом - через параллельно соединенные конденсатор и сопротивление, причем база транзистора подключена к источнику запускающих импульсов.
СмотретьЗаявка
1019627
МПК / Метки
МПК: G09G 3/10
Метки: боровик, тьхнимсскай, •iбийлиотв
Опубликовано: 01.01.1966
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-185571-tkhnimsskajj-ibijjliotv-f-borovik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тьхнимсскай •iбийлиотв. ф. боровик</a>
Формирователь импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 503353
Опубликовано: 15.02.1976
Автор: Солод
МПК: H03K 5/02
Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь
...транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в...
Формирователь импульсов на моп-транзисторах
Номер патента: 333683
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Липовецкий, Проценко, Сивобород, Солод
МПК: H03K 3/33
Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь
...напряжения источника питания на величину, равную двум пороговым напряжениям МОП-транзистора, Кроме того,они имеют большое потребление мощности встатическом режиме.С целью получения амплитуды выходного 15импульса, равной по величине напряжениюисточника питания, и уменьшения потребляемой мощности в статическом режиме в предлагаемом формирователе времязадающий конденсатор включен между истоком транзистора, 20затвор которого соединен со стоком и минусом источника питания, и выходом двухтактного усилителя,На фиг. 1 приведена схема предлагаемогоустройства; на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство состоит из МОП-транзисторов1 - 5 и конденсатора б.Напряжение, подаваемое на вход транзистора 5 двухтактного...
Многоканальный генератор импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 512570
Опубликовано: 30.04.1976
МПК: H03K 3/78
Метки: генератор, импульсов, мдп-транзисторах, многоканальный
...цгц"5.:кехцем ца выходе 10 мультивибрато",2, НЯИО 5 жецс ца выходе элемента НЕ - ИЛИ разно г лю цз-за высокого готецциалая сс Входе, подклочегц 10 м к Выходху 32 ОдсЦ,";РДР.1:ТОЛЯ Ц.,ПЛЬСОВ.Б момент запирация усилителя 3 цапрякение ца его входе прцолизцтельцо равно поро- ГОВОМУ ЦаПРЯжЕЦИЮ У ТРЯНЗИСТОР 1, ВРСМЯЗЯ- дающий конде:сатор 9 зарякец до цапряже;ия Е - У;, а времязадающий конденсатор 8 рязр 5 и;Рп. Перспад напряжения запцряция, равьц 1 1:апряжеццо источника питания Е, пас.,пясг че;ез конденсатор 8 ца вход хсцли"ся 5 2 и Отпирает ОГО, 1 ОПВР 1 сатоо 9 Оазочжяеся:срез Выходию цепь открытого .Ри 1 ПТРЛя 2, 00 Ц,О ШИПМ ИСТОЧ,ИКОВ НаПО;1 жеи;я н стоковые р - и-переходы транзисторов 6 ц 7, смещенные В прямох цапОЯВлецци цяпряжением ца...
Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора
Номер патента: 586858
Опубликовано: 30.12.1977
Автор: Адель
МПК: H03F 3/34
Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора
...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...
Формирователь импульсов на моп-транзисторах
Номер патента: 790335
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Высочина, Сидоренко, Солод
МПК: H03K 19/08
Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь
...до величины потенциала 40и -и, ,(точка а) . При поступлении на вход устройства отрицательного потенциала открываются транзис торы 7,12 и 14. В точках д,е, ж устанавливается нулевойпотенциал, что принс-ит к закрываниютранзистора 3 и установлению на выходе дополнительного инвертора, благо"даря токостабилизирующей нагрузке,отрицательного потенциала равногоБИП, а н точке - потенциала равного -2ип -1) я . Транзистор 9 открыти происходит заряд конденсатора 10в точке г цо потенциала Ф 1)ьП , гдеьП - падение напряжениямежду стоком и истокомтранзистора 559, н результате протекания токаи заряд конденсатора 8 до величиныПя -Б. При подаче на вход устройства положительного перепада напряжения транзисторы 7,12,14 закрываются,щОтрицательный...
Предыдущий патент: Патентноft т. хпич: гилй ш. голизидйбиблиотека
Следующий патент: Устройство для регистрации и наблюдения
Случайный патент: Электротермическая установка с нагревателями из карбида кремния