Н.в. в. е. хавкин, а, м. скворцов и л. м. норкинабкй«»йя 11шг. г -шйвн., и»«4: г.: л1 i vf t

Номер патента: 748685

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Бузаев, Прудников, Сердюков, Скороспешкин, Трошин, Чеботков

МПК: H02K 13/14

Метки: автоматической, волновой, коллекторных, коммутации, машин, настройки, обмоткой, электрических, якоря

...устройства.Это достигается тем, что в уст-ройстве автоматической настройки.коммутации коллекторных электрических машин с волновой обмоткой якоря , содержащем вспомогательную обмотку дополнительных полюсов, под ключенную к регулируемому магнитномуусилителю с обмотками управлений,смещения и рабочей , две обмотки-управления магнитного усилителя включены последовательно в цепь щетокодинаковой полярности так, что магнитный поток от дополнительных полюсов регулируется в Функции разности токов в этих щетках.На чертеже представлена схемаустройства.Устройство состоит из регулируемого магнитного усилителя 1 с внутренней положительной обратной связьюпо току, выполненной на диодах Д- Д , с обмотками управления 2 и 3,арабочей обмоткой смещения 5....

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...

Номер патента: 221765

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/06, G11C 5/12

Метки: запоминающие

...средней точкой на две половины,Описываемое устройство отличается тем, что провод смещения куба, разрядная обмотка которого относится к одной половине общей разрядной обмотки, соединен с проводом смещения куба, разрядная обмотка которого относится к другой половине общей обмотки.Это позволяет уменьшить емкостную помеху в разрядных обмотках запоминающего устройства.На чертеже приведена предлагаемая схет ения Предмет изобрЗапоминающее устройствбы памяти с проводами схторов, соединенными посразрядными обмотками, сощую разрядную обмотку, рленной средней точкой наличаюсцееся тем, что, с целкостной помехи в разрядимин ающего устройства,куба, разрядная обмоткак одной половине общей рсоединен с проводом смещная обмотка которого отноловине...

Номер патента: 476516

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Агапов, Бажанов, Башкин, Дорман, Леденев, Хмелинин

МПК: G01P 21/00

Метки: измерителя, компенсационного, коэффициента, масштабного, скорости, угловой

...может быть закороченключом 10. Источник напряжения 8 включен таким образом, чтобы при данном направлении вращения;платформы 1 ток обратной связи измерителя и ток, создаваемый источником 5 8, протекали через конденсатор навстречудруг другу, Параллельно интегратору 7 подключены последовательно соединенные образцовый источник тока 11 и эталонный резистор 12, падение напряжения на котором измеряет- О ся потснцпометром 13. Исто ник тока 11 включен таким образом, чтобы при данном направлении вращения платформы 1 токи источника напряжения 8 и образцового источника 11 протекали через интегратор 7 навстречу друг друСоставитель Ю. Мруч ко Редактор Е. Братчикова Техред Т, Миронова Корректоры: Л. Корогод и А НиколаеваЗаказ 2736/16 Изд.885 Тираж 902...

Номер патента: 533985

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Арефьев, Крештал, Ромащев, Федин

МПК: G11C 11/08

Метки: многоустойчивый, накопительный, элемент

...т. е, участки магнитопровода вокруг отверстий а и Ь не перемагничиваются из одного насыщенного состояния в другое под действием приложенных к ним соответствующих м.д.с. Это обеспечивается тем, что амплитуда переменного тока считывания сп, текущего по обмотке 15, ограничена такой величиной, что образуемое этим током поле недостаточно для перемагничивания магнитопровода вокруг большого отверстия, а импульсы тока форсированного перемагничивания (записи) 1+зап создают поле, направление которого совпадает с направлением остаточной намагниченности внешней перемычки вокруг отверстия а. В обмотки 7, 8, 9 подается постоянный ток подготовки 1,. Величина магнитного поля, создаваемого этим током, достаточна для перемагничивания всего...