Способ измерения толщинб1 и скорости нанесения пленок
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 182339
Текст
Союз Советских Социалистических Республик, 42 о, 12/О Комитет по делам обретекий и открытий ри Совете Министров СССР.1966. Бюллетень11 а опубликования описания 22,И 1.1966 СОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ И СКОРОС НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОКобладают рякоторых являИзвестные способы контроля скорости нанесения и измерения толщины пленокнаносимых на основу, заключаются в применении двух кристаллических резонаторов, каждый из которых задает частоту соответствующего генератора. При этом один из кристаллических резонаторов является эталонным, а второй (рабочий) помещен в контролируемом потоке.По мере того как на рабочий кристаллический резонатор напыляется пленка испаряемого материала, возрастает его эффективная масса и, следовательно, уменьшается его собственная частота, а собственная частота эталонного кристаллического резонатора (при тех же температурных услОвиях) не изменяется.Частоты обоих генераторов смешиваются в смесительном блоке, который выделяет разностную частоту.,Эта разностная частота и служит мерой толщины слоя пленки, напыленной на рабочий кристалл.Однако известные способыдом недостатков, основными изются следующие:1, Значительный уход резонансной частоты измерительного кристалла при его нагреве.2. Ограничены пределы измерения толщинпленок.Для расширения диапазона измеряемых толщин и получения информации в удобном для автоматизации процесса виде предлагается контролируемую часть потока наносимого материала, образующего пленку, пере ключать по достижении заданной части требуемой толщины с одного резонатора на другой и обратно, при этом о толщине пленки судят по числу переключений, а о скорости ее нанесения - по частоте переключений.10 Предлагаемый способ заключается в следующем.Кварцедержатель с кристаллами располагается в контролируемой части потока напыляемого материала и снабжается специаль пым устройством - электромагнитной заслонкой, позволяющей поочередно направлять поток напыляемого материала то на первый, то на второй кристалл (кристаллы должны быть идентичны по своим электроме ханическим и температурным параметрам).Каждый из кристаллических резонаторов задает частоту соответствующего генератора, Частоты обоих генераторов смешиваются в смесительном блоке, который выделяет раз постную частоту, являющуюся мерой толщины одного цикла напыления между двумя переключениями электромагнитной заслонки из одного положения во второе.Поскольку процесс переключения потока ЗО напыления происходит достаточно часто (вЗаказ 193911 Тираж 1100 Формат бум, 60 Х 90/8 Объем 0,1 изд. л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 сравнении с,изменением их температуры), это позволяет создать для обоих кристаллов практически идентичные температурные и электромеханические условия работы. Предмет изобретенияСпособ, измерения толщины и скорости нанесения пленок в процессе их .нанесения на основу с помощью двух пьезоэлектрических резонаторов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых толщин и получения информации в дискретном виде, удобном для автоматизации процесса, контролируемую часть потока наносимого материала, образующего пленку, переключают по достижении заданной части требуемой толщины с одного резонатора на другой и обратно, прои этом о толщине, нанесения пленки судят,по числу переключений, а о скорости 10 нанесения - по частоте переключений,
СмотретьЗаявка
1002173
МПК / Метки
МПК: G01B 7/06
Метки: нанесения, пленок, скорости, толщинб1
Опубликовано: 01.01.1966
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-182339-sposob-izmereniya-tolshhinb1-i-skorosti-naneseniya-plenok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения толщинб1 и скорости нанесения пленок</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения толщины слоя
Следующий патент: Устройство для измерения толщииы и скорости нанесения пленок
Случайный патент: Устройство для определения наклона карданного подвеса относительно истинной вертикали