Балаханов

Номер патента: 1688832

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Балаханов, Каштан, Кива, Коптенко, Кравчук, Матвиенко, Мусиенко, Надточий, Нижник, Сухина

МПК: A43D 95/10

Метки: сушки

...работу оператора.На внутренней поверхности вакуумных цилиндрических емкостей установлены инфракрасные нагреватели 20, токовводы 21 которых выведены на наружную сторону емкостей,Люльки 4 и 5 для обуви закреплены в шарнирах 22 и 23, которые позволяют вращаться этажерке при загрузке - выгрузке.Устройство работает следующим обраОператор, папример, производит загрузку обуви на верхнюю люльку 5, закрывает блокировочную шторку 19 и после этого включает электропривод, который позволяет плавно по направляющим рейкам 14 и 15 подниматься крышке 3 и герметично закры3 1688832 18 5 вать верхнюю цилиндрическую сушильнуюемкость 1. В последней включаются инфракрасные электронагреватели 20, создается разрежение и по определенной программе...

Номер патента: 1650625

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Балаханов, Горчаков, Лифанов, Орешкин

МПК: C04B 7/00

Метки: вяжущее

...аппретирова микросфера хорошо смешивается с, .Ж 1650625 А 1 лоизоляционных строите для теплоизоляции реэкт готовления конструкцио онных ограждающих кон повышения активности в сти цементного камня в мась: гидравлический ц лые стеклянные микросф ные у-аминопропилтриэт Активность полученного тие 10,3-26,1 МПа, на из Прочность цементного 17,2 - 35,3 МПа, на изги 1 табл. льных материалов оров АЭС и для из- нно-теплоизоляциструкции С целью яжущего и прочнояжущее содержит, емент 85-95 и поеры, аппретированоксисиланом 5-15, вяжущего на сжагиб 3,22-4,82 МПа, камня на сжатие б 3,43-5,34 МПа. ландцементом, остаток на сите й ставляет 13,80/, для всех составов вяжущего, указанных в таблице,Полученное вяжущее равномерно изменяет обьем для...

Номер патента: 1012038

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Балаханов, Коробов, Пустовойт

МПК: G01J 5/60

Метки: температуры, цветовой

...величину ческих колебаний. ь 1При этом осуществляют коллинеар" ) 2 ЬЬ ную акустооптическую дифракцию, 1 где 4 - длина акустооптического взаи"Реализация способа состоит в том, " модействия; что в качестве внешнего воздействия используют акустические колебания, на которых осуществляют акустооптиЭо ческую дифракцию излучения, а в ка дй=и- и,в, Ко=27 с/А - волновое числоО честве управляющего параметра используют частоту акустических колебаний. )- длина волны излученияизлучения. В условиях акустооптического взаимо- Электронное управление частотой действия, когда выполняются законы акустических колебаний осуществляетанения энергии и лч дви ф ся с чою определяемои точн жения:тью измерения частоты, т.е. не худ -О/ = +;. (1) же 10 . К "К...

Номер патента: 1010661

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Балаханов, Пустовойт

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, модуляции

...скорость дрейфа носителей в этом поле больше фазовой скорости звукаБлагодаря электронфонониому взаимодействию возбуждается генерация акустических фононов. Излучение, направленное на кристалл под углом Брэгга, претерпевает дифракцию двух типов: без взаимодействия с фононом, которая дает структурные дифракционные максимумы, и включающую взаимодействие с фоновом, которая дает сателлиты структурных дифракционных максимумов в направлениях, отличных от направления дифракционного максимума.В предлагаемом способе расширение функциональных возможностей осуществляется благодаря использованию свойств сетеллита, заключающихся в том, что с помощью изменения концентрации носителей в зоне проводимости можно управлять положением сателлита, Изменение...

Номер патента: 728166

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Балаханов, Пустовойт

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, модуляции, реализации

...монокрйсталлы ЫОЬХЫЬОЗ В 1 аесао и ДР,Примером выполнения модулятора 2может служить образец фоточувствительного пьеэополупроводниковогомонокристалла сульфида кадмия длиной4 юю, шириной 1,5 мм, толщиной30 мкм, на концы которого нанесеныойические индиево-галлиевые контакты3 и 4. Ось симметрии кристалла С 4лежит вдоль длинной стороны. Вдольэтого же направления прикладывается35 40 4550 55 Формула изобретения 60 65 5 10 15 20 25 ЭО электрическое поле от источника 5,Дифракция излучения происходит наплоскости (1010), которая выходит наповерхность кристалла, или на плоскости (0002). Источник света 8 расположен над кристаллом и освещает его.Концентрация носителей в образцесоставляет величину 10 ю - 104 см з,при частоте генерации фононов от...

Номер патента: 186163

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Балаханов, Стриганов

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционный, фильтр

...штрихи, причем штрпластины перпендикулярны штрихТакое выполнение позволило повьрешающую способность фильтра илосу пропускания.Для увеличения пропускания ндлине волны между двумя пластинбыть установлена третья аналогичнна, штрихи на которой параллельнодной из пластин.Пропускаемая фильтром узкаядлин волн может регистрироватьсявующим приемником, Имея набор ттров для разных длин волн, можнспектр в достаточно большом динеобходимыми подробностями.На чертеже изображен фильтр с дстинами.В качестве подложки служат плвые пластины 1 и 2, в которых прпараллельные отверстия прямоуголмы с определенным периодом, Нповерхностей каждой пластиныслой серебра порядка 25 мак, Пла полагаются параллельно друг другу, металлические штрихи пластин скрещены...