Запоминающий элемент

Номер патента: 538419

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Водяхо, Тимофеев

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: запоминающего, запоминающий, информации, магнитного, магнитный, считывания, элемент, элемента

...из которых прошита через малое крайнее отверстие. и выходную обмотку, в котором вторая координатная обмотка прошита через малое крайнее и центральное отверстия в одном направлении и через большое крайнее отверстие в другом направлении, а выходная осмотка прошита два раза через центральное отверстие в одном направлении и через большое и малое крайнее отверстия в другом направлении,На фиг, 3 изображен магнитный запоминающий элемент для ссуществлегяя предложенного способа считьвания; на фиг, 2 - граф переходов сердечника элемента под действием импульсных управляющих токов.Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и...

Номер патента: 658599

Опубликовано: 25.04.1979

Автор: Бережной

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мноп-типа, элемент

...- Да (в МНОП-транзисторах энергетическая глубина ловушек вблизи границы окисел-нитрид кремния составляет 0,8 -0,9 эцв) и более глубокими ловушками в объеме диэлектрика Д (энергетическая глубина этих ловушек в пленке нитрида кремниянхарактеризуется спектром уровнеи вблизи1,2 энв, 1,7 эцв, 1,9 энв). При совместномдействии электрического поля, вызываюгцегоинжекцию носителей в диэлектрике Д, и термического воздействия, способствующегоэнергетическому перераспределению инжектированных носителей в диэлектрике Д, основная часть накопленного заряда локализуется на глубоких ловушках. Эффективность такого перераспределения низка и основная часть накопленного заряда (особенно ири относительно толстом диэлектрике Дх5для МНОГ 1-транзисторов, если...

Номер патента: 524223

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Аксенов, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающего, информации, считывания, элемента

...сос тояние, а следовательно, повысить быстродействие запоминающего элемента. На фг, 1 приведена схема запоминающего элемента, функционирующего согласно предложенному способу; на фиг, 2 - временные диаграммы тока опроса и выходного сигнала при Однополярном импульсе тока опроса; на Фиг, 3 - временные диаграммы гока опроса и выходного сигнала при дву 15 полярном импульсе тока опроса,Запоминающий элемент состоит из коммутирующего сердечника (КС) 1, запоми ноющего сердечника (ЗС) 2, охваченных резистивным винтом 3, КС и ЗС согласно ,рошиты шиной записи 4, КС прошит разрядной шиной 5 встречно с прошивкой шиной записи, КС и ЗС встречно прошиты ши.Ой опроса 6 и выходной шиной 7,При хранении информации КС находитсясостоянии положительной...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 460579

Опубликовано: 15.02.1975

Автор: Орлов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, информации, накопитель, постоянного, устройства

...информации источника питания, который через резисторы подкл 1 очен к средней точке первичной обмотки выходного трансформатора каждого разряда накопителя, конец первичной обмотки выходного трансформатора каждого разряда подключен через диоды к другому концу обмоток считывания ферритовых сердечников одноименных разрядов, а адресные шины подсоединены к средним точкам обмоток считывания ферритовых сердечников, образующих и разрядов одного числа.На чертеже представлен предлагаемый накопитель, где 1 - выходнь 1 е трансформаторы;2 - разделительные диоды; 3 - сердечники;4 - обмотки считывания; 5 - резисторы; 6 - выходные 1 нццы; 7 -- адресные шины.Как видно по чертежу, обмотки считывания 4, нанесенные на сердечники 3, своим началом и концом...