Аналоговое запоминающее устройство

(57) Изобретение относится к ав контрольно-измери 9 ел ьной техн жет быть использовано для за выборочных значений напряжен ваго сигнала. Цепью изобретени повышение быстродействия у Для этого в устройство введены тельных элемента соответствен и- и р-и-р-транзисторах 10, разделительных элемента на д 1 ил. с 4 ы ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 905861, кл. С 11 С 27/00, 1980.Авторское свидетельство СССРМ 1569902,кл, 6 11 С 27/00, 1988,(54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕРОЙСТВО томатике и ике и мопоминания ия аналоГоя является стройства, два усилино на и-р 11 и два иодах 7, 8,1672530 в известном устройстве, однако быстродействие предложенного устройства в режиме выборки выше по отношению к известному в число раз, равное отношению максимально допустимых токов на выходе формирователя 12,к выходному току ОУ, что и определяет положительный эффект, Естественно, что транзисторы 10 (11 следует выбирать так, чтобы их максимально допустимые токи были больше, чем у формирователя 12. 5 10 Составитель Н,Дикарев Редактор В,Бугренкова Техред М,Моргентал Корректор А.ОсауленкоЗаказ 2844 Тираж 320 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к автоматике и контрольно-измерительной технике и может быть использовано для запоминания выборочных значений напряжения аналогового сигнала.Целью изобретения является повышение быстродействия аналогового запоминающего устройства,На чертеже представлена функциональная схема устройства.Устройство содержит согласующие элементы на резисторах 1 и 2, операционные усилители (ОУ) 3 и 4, разделительные элементы на диодах 5-8, накопительный элемент на конденсаторе 9, усилительные элементы на и-р-и и р-и-р-транзисторах 10 и 11 и формирователь 12 импульсов,Устройсгво работает следующим образом.В режиме выборки на первом выходе формирователя 12 импульсов устанавливается напряжение положительной полярности, а на втором выходе - отрицательной полярности, причем величина этих напряжений больше максимально допустимых значений входного сигнала. При этом диоды 5 и 7 в режиме выборки всегда закрыты, и конденсатор 9 заряжается через транзистор 10 и диод 6 либо разряжается через транзистор 11 и диод 8 в зависимости от полярности рассогласования между входным и выходным напряжениями устройства, Управление транзисторами 10 и 11 осуществляют ОУ 3 и 4, Заряд конденсатора 9 прекращается при уменьшении рассогласования до величины напряжения смещения нуля ОУ, Требования к ОУ 3 и 4 при настройке их напряжений смещения нуля такие же как в известном устройстве.При переходе в режим хранения полярность управляющих напряжений на выходах формирователя 12 импульсов меняется на противоположную по отношению к режиму выборки, При этом диоды 6 и 8 закрыты и ток через транзисторы 10 и 11 не превышает 21, где 1 - обратный ток через закрытый диод. Ток разряда конденсатора 9, который равен разности токов эмиттера транзисторов 10 и 11, несколько больше чем Формула изобретения Аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент на конденсаторе, первый и второй согласующие элементы на первом и втором резисторах, одни выводы которых объединены и являются информационным входом устройства, другие выводы подключены к неинвертирующим входам соответственно первого и второго операционных усилителей, инвертирующие входы которых являются выходом устройства и подключены к одной обкладке конденсатора, другая обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала устройства, четыре разделительных элемента на четырех диодах, неинвертирующие входы первого и второго операционных усилителей подключены к аноду и катоду соответственно первого и второго диодов. катод и анод которых соединены соответственно с первым и вторым выходами формирователя импульсов. вход которого является входом управления режимом работы устройства, отл и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в него введены первый и второй усилительные элементы соответственно на п-р-и и р-п-р-транзисторах катод и анод третьего и четвертого диодов соединены с коллекторами соответственно и-р-и- и р-и-р-транзисторов, эмиттеры которых подключены к одной обкладке конденсатора, а базы - к выходам соответственно. первого и второго операционных усилителей, анод и катод третьего и четвертого диодов соединены с катодом и анодом соответственно первого и второго диодов. 15 20 25 30 35 40 45 50