Формирователь импульсов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 03 К 3/53 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ТОРСКО ТЕЛЬСТВ еенный униве о СССР984.Формирователидиапазона наах. Сб. Статей.тельной и измеинатне, 1972, с,4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(21) 4423141/2 (22) 10.05.88 (46) 15.08.91. Б (71) Белорусск ситет им. В.И, (72) И.А.Коба к (53) 621,374(08 (56) Авторское М 435586, кл.Вишневски импульсов на полупроводник Тунельные дио рительной техн юл. МЗОий государстЛенинаи И.Д.Бандар8.8)свидетельствНОЗ КЗ/53, 1й В.Н. идр.носекундногоовых приборды в вычислиике. Рига, 3(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к наносекундной импульсной технике и может быть использовано для формирования импульсов с регулируемой длительностью и задержкой, Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем обеспечения независимого управления задержкой и длительностью импульсов - достигается тем, что в формирователь введены переменные резисторы 5, 7, Устройство также содержит транзистор 1, диоды 2, 3 с накоплением заряда и резисторы 4, 6, 1 ил.1670773 Составитель Н. КраснюкТехред М.Моргентал Корректор М. Кучерявая Редактор Ю, Середа Заказ 2756 Тираж 453 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к наносекундной импульсной технике и может быть использовано для формирования импульсов с регулируемой длительностью и задержкой,Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей формирователя путем обеспечения независимого управления задержкой и длительностью импульсов,На чертеже приведена принципиальная схема формирователя импульсов.Формирователь содержит транзистор 1, первый диод 2 и второй диод 3 с накоплением заряда (ДНЗ) и резисторы 4-7. Диод 2 включен между базой транзистора и общим приводом, а диод 5 - в цепь змиттера транзистора, катоды диодов 2 и 3 соединены через переменные резисторы 5 и 7 с источником напряжения смещения. Входной сигнал подается через резистор 4 на катод диода 2 и базу транзистора 1. Выходной си, нал снимается с коллектора, который через резистор 6 соединен с источником питания,Формирователь работает следующим образом.В исходном состоянии через диоды 2 и 3 протекает прямой ток и переход база - эмиттер транзистора 1 закрыт за счет падения напряжения на диоде 2, связанного с протеканием прямого тока. При поступлении через резистор 4 на вход формирователя запирающего перепада напряжения первым переключится диод 2 и вызовет отпирание транзистора 1, что приведет к появлению фронта формируемого импульса в цепи коллектора транзистора 1 Возрастание тока транзистора 1 приведет к рассасыванию накопленного заряда в базе диода 3 и его переключению, В результате переключения диода 3 потенциал эмиттера резко возрастает, что приводит к запиранию транзистора 1 и к формированию спада импульса. Задержка формируемого импульса относительно входного перепада напряжения определяется временем высокой обратной 5 проводимости диода 2. Так как время высокой обратной проводимости ДНЗ определяется величиной прямого тока смещения, то изменяя переменным резистором 5 величину прямого тока, протекающего через диод 10 2, регулируется задержка формируемых импульсов. Длительность формируемых импульсов определяется временем высокой обратной проводимости диода 3. Поэтому, изменяя переменным резистором 7 величи ну прямого тока, протекающего через диод3, независимо регулируется длительность формируемых импульсов.При необходимости формирования импульсов другой полярности в схеме изменя ется полярность включения диодов,используется транзистор другой проводимости и изменяется полярность источников питания на противоположную.Формула изобретен ия 25 Формирователь импульсов на транзисторе и двух диодах с накоплением заряда, первый диод включен между эмиттером транзистора и общей шиной, второй диод катодом соединен с базой транзистора и с 30 первым резистором, коллектор транзисторасоединен с вторым резистором и шиной питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введены два подстроечных ре зистора, причем первый подстроечныйрезистор соединен с базой транзистора и с шиной смещения, второй подстроечный резистор соединен с катодом первого диода, эмиттером транзистора и с шиной смеще ния, анод второго диода соединен с общейшиной.