165794

Номер патента: 276523

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/28, G05B 13/02

Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных, элементов

...тест-сигнал, который подается на вход управляемой модели 1 исследуемой схемы, и сигналы угравления на блок б для проверки условий заданных ограничений на параметры вь".ходного сигнала гу. В ответ на входной сигнал и на выходе управляемой модели схемы формируется выходной сигнал гг, параметры которого автоматически измеряются блоком 2 и последовательно поступают на блок 7 анализа, в котором определяется суммарное отклснение текущих параметров выходного сигнала от заданных. Это выполняется в блоке 7 по шести командам, вырабатываемым блоком б управления.Вычисленное значение отклонения от цели с блока 7 в двоично-цифровом коде пересылается в блок 9 для определения дальнейшего направления поиска. Это достигается путем сравнения...

Номер патента: 292124

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Артамонов

МПК: G01R 35/00

Метки: двух, параметров, радиоэлектронной, схемы, элементов

...секция,Плоская прямоугольная секциялена из эластичного материала, нзины. Боковые кромки секции 1 о линдрические трубки 2 - б. Через трубки проходят тросики б - 9. Тросики охватывают ролики 10 - 17, установленные на осях 18 - 21. Оси 18 и 21, на которых укреплены ортогонально расположенные пары роликов 14, 1 б и 11, 13, снабжены ручками 22, 23 управления.Секция 1 прикреплена в точке 24 к тросику б, в точке 25 к тросику 9, а в точке 2 б - к соединенным вместе тросикам 8 и 7. В точке 27, являющейся началом координат, секция 1 к тросикам не,прикреплена.На плоской части секции 1 (см. фиг. 2) изображено поле распределения параметров в виде концентрических линий определенной вероятности. Здесь же указаны типы элементов и условия,...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 196139

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гайд, Монтримас, Садаускас

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, резистивных, схем, токопроводящих, элементов

...качества схем и упрощение технологии их изготовления достигается использованием в качестве проявителя для токопроводящих участков мелкодисперсного порошка серебра (75 - 85%), покрытого слоем смолы (25 - 15%), например канифоли, который после проявления скрытого изображения подвергают термообработке при температуре 700 - 750 С в течение 2 - 3 час. Проявитель резистивных элементов содержит по 12 - 18% мелкодисперсного серебра и палладия, 55 - 65% легкоплавкого стекла и 8 - 12% смолы, например канифоли. После проявления его также подвергают термообработке.Описанные проявители позволяют получить электропроводные элементы с сопротивлением порядка 1 ом на квадрат площади и Предмет изооретенияСпособ изготовления токопроводящих и...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...