Люминофор

Номер патента: 384061

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ефремов, Кохов, Лаврентьев, Мамикон

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, излучения, интервале, рентгеновского, спектральном, узком

...по площади частей таким образом, что в первом фильтре одна часть изготовлена из двух элементов, имеющих энергии К-края поглощения ц 1.-края поглощения больше энергии К,-излучения определяемого элемента, и другая часть цз двух элементов, имеющих энергии К-края поглощения ц 1,-края по глощецця меньше эцсрпш К:-излучения определяемого элемента. а во втором фильтре одна часть цзготоьлсна цз двух элементов, один из которых имеет энергию К-края поглощения больше, а другой эцергшо 1.-края погло щения меньше энергии К-излучения определяемого элемента, и другая часть цз двух элементов, пеовый цз которых имеет энергию К-края поглоще;шя меньше, а второй энергию 1.-края поглощения больше энергии К,-излу чения определяемого элемента.Использование...

Номер патента: 1672235

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Голюка, Засименко

МПК: G01J 5/16

Метки: диапазоном, излучения, пирометр, смещающимся, спектральным, частичного

...практически не поступает, при этом величины электрических сигналов на втором входе первого суммирующего усилителя 16 и на втором и третьем входах сумматора 22 близки к нулю, а на первый вход сумматора 22 через первый суммирующий усилитель 16 поступает электрический сигнал, пропорциональный излучению, поступившему на вход первого приемника 10 излучения, Таким образом, на регистраторе 23 будет фиксироваться температура, соответствующая началу диапазона измерений,При увеличении температуры исследуемого объекта излучение, лежащее в спектральном диапазоне 1.2 - 1,8 мкм, отраженное от третьего спектроделителя 5 и ограниченное второй полевой диафрагмой 8, поступает на вход второго приемника 11 излучения, с выхода которого электрический сигнал...

Номер патента: 1774191

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Андреев, Михайлов, Морозов

МПК: G01J 1/04

Метки: излучения, относительной, охлаждаемых, приемников, спектральной, характеристики, чувствительности

...сопряженной с плоскостью держателя исследуемого приемника и соединен с входом синхронизации.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства для определения относительной спектральной характеристики чувствительности охлаждаемых приемников излучения,Устройство содержит оптически связанные модулятор 1 с секторами 2 и с приводом для вращения, объектив 3, приемник 4 излучения, закрепленный в держателе 5, и регистрирующий осциллограф 6, При этом модулятор 1 установлен в плоскости, оптически сопряженной с плоскостью держателя 5, в которой расположен исследуемый приемник 4, и соединен с входом синхронизации осциллографа 6, Секторы 2 модулятора. 1 выполнены в виде узкополосных селективно отражающих зеркал с различающимися...

Номер патента: 2004566

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Попов, Суятин, Хайдуков

МПК: C09K 11/61, C09K 11/85

Метки: излучением, ик-области, люминофор, неорганический, спектра

...лампой МКГН, используя монохроматсры МДРи МДРс регистрацией с помощью ФЭУи ФЭУсо светофильтром КСили КС. Полученная информация регистрировалась и обрабатывала:ь с помощью микроЭВМ "Электроника ДЗ".В спектрах люминесценции неодима в кристаллах двойных фторидов калия-иттрия при у = О, х = 0,1 наблюдаются две интенсивные группы линий с максимумами 980 и 1046 нм, соответствующие Езус - 1 оп и44Гза -41(2 переходам. В кристаллах, активированных одновременно ионами неодима и иттербля, люминесценция ионов неодима тушится, наблюдаются интенсивное свечение иттербия с максимумом 968 нм,переход Ру 2- Е",(ц(фиг.1,спектр 2). Спектры возбуждения люминесценцли неодима и иттербия совпадают, что свидетельствует о передаче от ионов неодима к...

Номер патента: 1485938

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Китаев, Костюков, Кузнецов, Марков

МПК: H01L 21/66

Метки: спектральной, схемы, твердотельной, фоточувствительной, характеристики, чувствительности

Способ определения спектральной характеристики чувствительности твердотельной фоточувствительной схемы, включающий измерение отклика схемы на облучение ее фоточувствительной области излучением с различными длинами волн, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения спектральной характеристики чувствительности схемы как в процессе изготовления, так и после него, в качестве отклика используют спектр отражения фоточувствительной области исследуемой схемы или тестовой полупроводниковой пластины, созданной в едином технологическом процессе с исследуемой схемой при формировании ее фоточувствительной области, дополнительно измеряют спектр отражения фоточувствительной области и...