ZIP архив

Текст

)63790 Союз Советских Социалистических РеспубликКласс 42 пг, 14 21 аг, 36, аявлено 08.Н 1.19 б 2 (Мо 715095/2 б) ЛП 061 031 государственный комитет по делам изобретений и открытий СССРОпубликовано 22 ЛП,1964 г. Ьюллетень Ы Дата опубликования описания б.Х.19 б 4 Авторизобретени, И. Реймеров ТВЕРДЫЕ НЕ - ИЛИ ГИЧЕСКИЕ МОНОКРИ едмет изобретени Тверд НЕ - И ника, о упроше и повы лючаюшие схемы аллах полупроводтем, что, с целью малогабаритности ия, они выполнены ые логические пере ЛИ па монокрист тл ич ающ неся ния, компактности, щения быстродейств Подписная групга М 145 Известны твердые логические переключаю. шие схемы, представляющие собой монокристаллы полупроводника, отдельные области которого эквивалентны пассивным и активным элементам электронных схем: сопротив 5 лениям, емкостям, диодам, транзисторам и т. п.Предлагаемые твердые логические переключающие схемы НЕ - ИЛИ на монокристаллах полупроводника отличаются от из. 10 вестных тем, что, с целью их упрощения, малогабаритности н повышения быстродейст. вия, они выполнены в виде плоской системы р-п-р-и переходов, содержащей один общий р-п переход и несколько управляющих пере ходов, изменение проводимости каждого из которых приводит к изменению потенциала общей р-области, с которой снимают выход: 1 ой сигнал.На чертеже схематично изображен моно кристалл полупроводника (в разрезе).Поданный на любой из входов 1 твердой логической переключающей схемы НЕ - ИЛИ отрицательный потенциал, соизмеримый с высотой потенциального барьера уп равляющего р-гг перехода 2, приводит к инъекции дырок из р-области 3 в гг-область 4. Эта диффузия дырок понижает сопротивление на обратно смещенном гг-р переходе 5, на котором происходит почти все падение на- З 0 РЕКЛЮЧАЮЩИ Е СХЕМЫЛЛАХ ПОЛУПРОВОДНИКА пряжения системы. В результате снижения сопротивления гг-р перехода 5 повышается потенциал общей р-области 6, с которой снимается выходной сигнал через контакт Т и прикладывается плюс источника питания. Минус источника питания прикладывается к крайней гг-областн 8.Преимуществом твердой логической пере. ключающей схемы НЕ - ИЛИ на монокристаллах полупроводника является возможность параллельного вкл вчем ия на выход предлагаемой твердоц схемы более 15 входов, что ооеспечивается инъекцией электронов из общей гг-области н отрицательным значением сопротивления в момент переключения.При исследовании твердых логических переключающих схем НЕ - ИЛИ установлено, что помехи (обратные токи до 100 лка при комнатной температуре, проводимость обратной связи управляющего и управляемого переходов до 10 10 6/оя) не влияют на функцию передачи сигналов р-гг переходами.163790 Составитель И. Заикина Редактор П. Шлаин Текред А. А. Камышникова Корректор М. П. Ромашова Заказ 22324 Тираж 800 Формат бум. 60 Х 90/в Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4", виде плоской системы р-и-р-п переходов, содержащей. один общий р-и переход и несколько управляющих переходов, изменение проводимости каждого из которых приводитк изменению потенциала общей р-области, скоторой снимают выходной сигнал,

Смотреть

Заявка

715095

МПК / Метки

МПК: H03K 19/02

Метки: 163790

Опубликовано: 01.01.1964

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-163790-163790.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">163790</a>

Похожие патенты