Патенты с меткой «163790»

Номер патента: 163790

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H03K 19/02

Метки: 163790

...приводит к изменению потенциала общей р-области, с которой снимают выход: 1 ой сигнал.На чертеже схематично изображен моно кристалл полупроводника (в разрезе).Поданный на любой из входов 1 твердой логической переключающей схемы НЕ - ИЛИ отрицательный потенциал, соизмеримый с высотой потенциального барьера уп равляющего р-гг перехода 2, приводит к инъекции дырок из р-области 3 в гг-область 4. Эта диффузия дырок понижает сопротивление на обратно смещенном гг-р переходе 5, на котором происходит почти все падение на- З 0 РЕКЛЮЧАЮЩИ Е СХЕМЫЛЛАХ ПОЛУПРОВОДНИКА пряжения системы. В результате снижения сопротивления гг-р перехода 5 повышается потенциал общей р-области 6, с которой снимается выходной сигнал через контакт Т и прикладывается плюс...