Фазовращатель

И Б ИДЕТЕЛ Ь СТ К АВТОРСКО к радиотехнике для управления олебаний. Цельюжение паразит- и и неравномерарактеристикиотрезок 1 пололючающий экран вые проводники ллельно в одной азделены зазоГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕ(56) Авторское свидетельство СССРМ 358743. кл. Н 01 Р 1/185, 1973.Авторское свидетельство СССРМ 936106, кл. Н 01 Р 1/18, 1982.(57) Изобретение относитси может быть использованофазой электромагнитных кизобретения является сниной амплитудной модуляциности фазочастотной хФазовращатель содержитсковой линии передачи, вк2, первый и второй полоско3 и 4, расположенные параплоскости, одни их ребра р.Ы 1 16262 ром 5, в котором установлены полупроводниковые диоды 6 на расстоянии один от другого и подключены первыми электродами к второму, а вторыми - к первому полосковым проводникам 3 и 4 соответственно. Другое ребро второго полоскового проводника 4 по всей своей длине соединено с экраном 2. Расстояние О/ между другими ребрами первого и второго полосковых проводников 3 и 4. а также величинавыбраны из соотношений Л 1/12Л 1 Г 6, чч =Л 2 г 4, где Л 1 иЛ 2 длины волн Т-типа в отрезке 1 на верхней и нижней рабочих частотах соответственно. При закрытых полупроводниковых диодах 6 в отрезке 1 распространяется электромагнитная волна Т-типа, а при открытых - Н-типа, Отличие дисперсионных характеристик этих волн обеспечивает разностный фазовый сдвиг в полосе частот. Изменение числа одновременно включенных диодов 6 изменяет величину вносимого фазовращателя разностного фазового сдвига. 1 ил.1626272 ЛЗ48 ( 2 аэкв ) Л = (1 йэф 4) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для управления фазой электромагнитных колебаний.Целью изобретения является снижение паразитной амплитудной модуляции и неравномерности фазочастотной характеристики.На чертеже показана конструкция фазовращателя.Фазовращатель содержит отрезок 1 полосковой линии передачи, включающий экрдн 2, первый 3 и второй 4 полосковые проводники, расположенные параллельно в одной плоскости, одни их ребра разделены зазором 5, в котором установлены полупроводниковые диоды б на расстоянииодин от другого и подключены первыми электродами к второму, а вторыми - к первому полосковым проводникам 4 и 3 соответственно, Другое ребро второго полоскового проводника 4 по всей своей длине соединено с экраном 2. Расстояние Вl между другими ребрами первого и второго полосковых проводников 3 и 4, а также величинавыбраны из соотношений Ь/12Ь/6, Рl =Л 2/4 где Ь и Л 2 - длины волн Т-типа в отрезке 1 нд верхней и нижней рабочих частотах соответственно,Фдзовращдтель работает следующим образом.Гри закрытых полупроводниковых диодах 6 в отрезке 1 распространяется электромагнитная волна Т-типа, Длина Лт этой волны на частоте 1 равна где гэф - эффективная диэлектрическаяпроницаемость;,и - магнитная проницаемость,На участке отрезка 1 длиной о электромагнитные колебания приобретают фазовый сдвиг р 1 = 2 л о Л гПри открытых полупроводниковых диодов 6 в отрезке 1 распространяется электромдгнитная волна Н-типа, что обеспечиваетсявыбором ширины И/. Длина Лн такой волнынд той же частоте равнаК) 2 - 1/2Лн.=Л 1 -Л, (2 дэкв)где д.кв - рдзмер широкой стенки эквивалентного прямоугольного волновода,На участке отрезка 1 длиной о электромагнитные колебания имеют фазовый сдвиг р 2 = 2 2 т о Л нТаким образом, при изменении состояния полупроводниковых диодов б обеспечивается разностный фазовый сдвиг р - щ =2 л+10 2 (2 аэкв) 15 частотная зависимость которого, в значительной мере, определяется параметрамиаэкв, зависимым от величины 1, При выбранных значенияхобеспечивается минимальная заъисимость величины разностного20 фазового сдвига от частоты,Изменение числа одновременно включенных полупроводниковых диодов б обеспечивает изменение длины о и, тем самым,величины вносимого фазовращателем раз 25 ностного фазового сдвига. Формула изобретения Фаэовращатель, содержащий отрезокполосковой линии передачи, включающий 30 экран, первый и второй полосковые проводники, расположенные параллельно, а также полупроводниковые диоды, подключенные первыми электродами к второму полосковому проводнику и размещенные вдоль него, 35 отличающийся тем,что,сцельюснижения паразитной амплитудной модуляции и неравномерности фазочастотной характеристики, второй полосковый проводник расположен в одной плоскости с 40 первым полосковым проводником, одни ихребра разделены зазором, а другое ребро второго полоскового проводника по всей своей длине соединено с экраном, полупроводниковые диоды установлены в зазоре на 45 расстоянииодин от другого и подключенывторыми электродами к первому полосковому проводнику, при этом расстояние Иl между другими ребрами первого и второго полосковых проводников, а также величина 50выбраны из соотношений Л 1/12Л 1/б: О/ =Л 2/4 где Ь и Л 2 - длины волн т-типа в отрезкахполосковой линии передачи на верхней инижней рабочих частотах соответственно,