160864

Номер патента: 5167

Опубликовано: 30.04.1928

Автор: Бем

МПК: F16C 17/08

Метки: воспринимаемое, давление, колодками, колодки, которых, наклонно, опорными, передающей, поверхности, подпятник, подпятником, рабочие, сегментными, устанавливаются

...опорных полочек И, При нагрузке подпятника, сегменты В прогнутся, как это изображено на фиг. 1 а, и выступы Ы примут по отношеню к кольцу давления А наклонное положение, изображенное на чертеже в несколько преувеличенном виде.Так как степень наклона сегментных опорных колодок зависит с одной стороны от величины расстояния х, а с другой - также и от степени упругости кольцевого отрезка В, то оказывается возможным, путем придания соответствующих размеров и формы пружинящей части И, равно как и путем соответствующего выбора величины расстояния х, достичь наиболее выгодной величины наклона выступов Ь для основного среднего числа оборотов и нагрузки каждого подпятника.Каждая опорная колодка может быть снабжена только на одном своем конце...

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 1491343

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Хейхати, Цитому

МПК: C09D 3/733, C09D 5/08

Метки: композиция, многослойного, покрытия

...Устойчивость против загрязнения воды определяли н соответствии с 1 Н 1 А К-1974. Пленка расценивалась приемлемой", если количество поглощенного хлора составляло 0,7 ч. на 1 млн. или менее.Проводили испытания полученной здшитной пленки этими тестами, Для сравнения были также подвергнуты таким же испытаниям защитная пленка иэ такого же полиэтилена, который использовался в этом примере (толшиной 45 мкм), и защитная пленка из такой же эпоксидной смолы, что также использовалась в примере 1.Результаты представлены в табл,11 р и м е р 2. 1 ликероподобндя композиция для нанесения покрытия0,8 была приготовлена диспер ированием30 ч. порошка полиэтилена высокогодавления (Р 1,0-ТНЕИЕ Е-ЯО, продуктЯегТеТзгг Кара 1 гг Кольцо К.),...

Номер патента: 1204394

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Ермаков, Тарасов, Яблонский

МПК: B29C 63/26, B29C 63/28

Метки: композиционных, отверстиях, покрытия, приформовки, слоев

...соединенные резьбовые элементы 5 и 6. Элемент 5 снабжен штуцером 7 и каналом 8 для подвода сжатого воздуха в полость оболочки 1. Элемент 6 снабжен для герметизации полости оболочки 1 уплотнительными элементами 9.Для отделки торцовых поверхностей изделия в области отверстия устройство снабжено съемными торцовыми дисками 10 с полированной поверхностью, закрепленными на резьбе 11 фланцев 4.Устройство работает следующим образом.Для облицовки отверстия в изделии 12 делают раскрой листов композиционного материала 13, который выкладывают по всей поверхности отверстия и торца изделия 12.Затем, вывернув элемент 6 центрального стержня до максимально возможного размера, вставляют устройство в отверстие, фиксируют его, наддувая оболочку 1 сжатым...

Номер патента: 150948

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Герхард, Эберхард

МПК: G01G 9/00, G21H 5/00

Метки: веса, покрытия, слоя

...для измерения веса слоя покрытия с помощью приборов, использующих ионизирующее излучение.Контролируемое изделие 1 помещается между источником 2 излучения и ионизационной камерой 3, интенсивность падающих лучей на которую будет соответствовать весу слоя покрытия. Ток в ионизационной камере 3, идущий от плюсового проводника 4 к минусовому проводнику 7, величина которого зависит от веса слоя покрытия, будет протекать через сопротивление б. На концах сопротивления появится падение напряжения, зависимое от веса слоя покрытия, На это же сопрогивление б с датчика 7 заданной величины подается заданное над ряжение.Суммарное падение напряжения на сопротивлении б подается на вход линейного усилителя 8, на выходе которого подключен...