Устройство для сверхвысокочастотного нагрева

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 64 51)5 Н 0 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ И ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР598275, кл. Н 05 В 6/64, 1975.Пюшнер Г. Нагрев энергией сверхвысоких частот. - М.; Энергия, 1968, с. 124 и 125. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СВЕРХВЫСОКО- ЧАСТОТНОГО НАГРЕВА(57) Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - обеспечение нагрева пленочных резисторов (ПР) 3 на сетчатой подложке 4 и повышение эффективности нагрева. Устр-во СВЧ-нагрева содержит СВЧ-г-р, с выходом которого соединен корпус, в котором расположена рабочая камера (РК), выполненная в виде ЯО 16 О 17 отрезка 1 волновода Н-образного сечения, вдоль оси которого в узких стенках 2 прорезаны щели для размещения обрабатываемого материала - ПР 3, размещенных на подложке 4. Подложку 4 с ПР 3 устанавливают в кассету 9 и размещают в РК. РК помещается в резонансную камеру микроволновой печи, При ее включении СВЧ-мощность возбуждает в РК типы волн, соответствующие его размерам и граничным условиям, Т. к. стенки 2 снабжены с двух сторон выступами 5 и 6 треугольной формы и попарно соединены перемычками 7 и 8 из электропроводящего материала, в зоне расположения этих выступов 5 и 6 с перемычками 7 и 8 формируется волна, которая, распространяясь по волноводу, реализует объемный прогрев ПР 3. Это способствует эффективному и кратковременному дублению ПР 3. 2 3. и. ф-лы, 1 ил.1601785 формула изобретения Составитель Е. АдамоваРедактор Н. Бобкова Техред А. Кравчук Корректор Н. КорольЗаказ 3279 Тираж 683 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно. издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 01 Изобретение относится к радиотехнике, в, частности к средствам обработки фоторезисторов в электромагнитном поле сверхысоких частот.Целью изобретения является обеспечение нагрева пленочных резисторов на сетчатой одложке и повышение эффективности нагрева.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид,Устройство для сверхвысокочастотного (агрева содержит СВЧ-генератор (не показан), рабочую камеру, выполненную в виде атрезка 1 волновода Н-образного сечения, вдоль оси которого в узких стенках 2 прорезаны щели для размещения обрабатывае)ого материала - пленочных резисторов 3 (ПР) на сетчатой подложке 4, части узкихенок 2, образованные узкими стенками 2, азделенные щелью, снабжены с двух сторон ыступами 5 и 6 треугольной формы в лоскости узких стенок 2, причем выступыи 6 треугольной формы противополож 1 ых узких стенок 2 попарно соединены перемычками 7 и 8 из электропроводящего материала, угол выступов 5 и 6 находится в интервале 60 - 70, а диаметр перемычек 7 и 8 равен (0,025 - 0,05)Л, где Л - длина волны.Устройство для сверхвысокочастотного нагрева работает следующим образом.Сетчатую подложку 4. с нанесенным на нее ПР 3 (эксперименты проводились с фоторезистором марки ФП) устанавливают в кассету 9 и размещают в рабочую камеру. Рабочую камеру помещают в резонансную камеру микроволновой печи, при включении которой СВЧ-мощность возбуждает в рабочей камере типы волн, Соответствующие его размерам и граничным условиям. В зоне расположения выступов 5 и 6 с перемычками 7 и 8 формируется в соответствии с формой возбудителя волна, которая может распространяться в волноводе. Эта волна, распространяясь по волноводу, реализует объемный прогрев ПР 3, одновременно вследствие омических потерь в стенках волновода и в сетчатой подложке 4. Поднимается температура кассеты 9, и к объемному СВЧ-воздействию добавляется тепловой прогрев ПР 3. Это способствует эффективному и кратковременному (до 16 мин) дублению ПР 3, нанесенного на сетчатую подложку 4.По сравнению с базовым объектом, в качестве которого принят типовой технологический процесс дубления пленочного фоторезистора МЖ 017100040, химическая устойчивость обработанного фоторезистора к спиртами кетонам повышается в 3 - 4 раза, а время обработки снижается в 2 - 2,5 раза.Опытные исследования макетного образца предлагаемого держателя при дублении партии из 250 ФР показывают его высокую эффективность. 201. Устройство для сверхвысокочастотногонагрева, содержащее СВЧ-генератор, рабочую камеру, выполненную в виде отрезкаволновода Н-образного сечения, вдоль оси25 которого в узких стенках прорезаны щелидля размещения обрабатываемого материала,отличающееся тем, что, с целью обеспечения нагрева пленочных резисторов на сетчатой подложке и повышения эффективности нагрева, части узких стенок, образованные узкими стенками, разделенныещелью, снабжены с двух сторон выступами треугольной формы в плоскости узкихстенок, причем выступы треугольной формыпротивоположных узких стенок попарносоединены перемычками из электропроводящего, материала, рабочая камера расположена в введенном корпусе, соединенном с выходом СВЧ-генератора.2. Устройство по п. 1, отличающеесятем, что угол выступов треугольной формынаходится в интервале 60 - 70,4 О 3. Устройство по п. 1, отличающеесятем, что диаметр перемычек из электропроводящего материала равен (0,025 -0,05)Л, где Л - длина волны.