Способ неразрушающего контроля ферромагнитных изделий

/82 1)5 СО 1) 44 76987/25-282) 12,08.886) 23.06.90. Бюл1) Московский энт и Иркутский по агУ 23гетический т итехнический инсти(56 емин В,П, Влия на выявление д методом. - Ме тического нера Рига, 1985, с. ие полеи воэ Фектов магии оды и прибор доеннь втом рушающего конт61-63. рол(54) ФЕРР (57) п л У Изобретениещему контролюно для дгфектоизделий.Цель изобреверности контр ряженнос анием, с тся быт Ферротномож юпользоваиндикации, и поля пилообрСпособ ос магнитных коп вышение стои тстро ля за счетгниченности м. аг т влияния нам нтроли размемого руемо На схемаго изделия фиг. 1 пр устройств а. струкреализафиг. ед ами ма 1, Выб ающего а;ая 2 - диаустройства.нитодоменлагаграммУ мого спос а, поясня шн роиство ержит откуолуче гре ом ито че ни ед за ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ПОСОБ НЕРАЗРУИАИЧЕГО КОНТРОМАГНИтНИХ ИЗДЕЛИЙ зобретение относится к нера разователь 1, содержащии м ную пленку 2, Фотоанализат рительный усилитель 4, бло содержащий схему измерения шающему контролю и может быть использовано для дефектоскопии ферром нитных изделий. Цель изобретения- повышение достоверности эа счет отстройки от влияния намагниченности контролируемого изделия. Магнитодоменный преобразователь располагают на поверхности контролируемого иэделия и подмагничивают его магнитодоменную пленку импульсами магнитного поля, например, пилообразной Формы. Измеряют текущий сигнал яркости изображения магнитодоменной структуры пленки, соответствующий намагниченности изделия, сравнивают с опорным сигналом, соот-. ветствующим напряженности магнитного а оля бездефектного изделия, и по моду- ф ю разности слдят о наличии дефекта 2 магнитного поля с эапому сравнения и схему источник 6 магнитного зной Формы.ществляется следующим обнитодоменный преобразователь 1 ют на поверхности контролируеделия и подмагничивают импульгнитного поля пилообразной форор пилообразного подмагничиполя позволяет уменьшить поть измерения и упростить обраолучаемых результатов за счет ия линейной зависимости знаамагничивающего поля при колпсировании доменов от намагничен1513410 Составитель Л.КрюковаН.Яцола Техред М.Ходанич Корректор М.Максимишинец Редак 641 Тираж 515 Подп Государственного комитета по изобретения113035, Москва, Ж, Раушская а о тиям прн ГКНТ СССР4/5 отк роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарин ности изделия. Сигнал яркости изобра" жения магнитодоменной структуры пленки, соответствующий намагниченности изделия, через Фотоанализатор 3 пере дается на предварительный усилитель 4, выход которого подключен к блоку 5 анализа. Последний осуществляет измерение напряженности магнитного поля игточника 6, при котором происходит 10 коллапсирование доменов магнитной пленки Н на период контроля в качестве опорного и запоминает значение Н. При сканировании преобразователем контролируемой поверхности блок 5 15 анализа измеряет текущее значение напряженности магнитного поля, при котором происходит коллапсирование доменов Н,. При условии, что разность Н -Н; превышает величину, определяе муюзаданной чувствительностью к дефектам, блок 5 анализа включает световую сигнализацию о наличии дефекта. Измерение и запоминание значения Н Р происходит в момент времени й (Фиг.2) 25 в последующие моменты времени С.й;, соответствующие коллапсированию Доменов пленки, происходит измерение значений напряженности НН; иконтроль, разностиН-Н;.формула изобретения Способ неразрушающего контроля Ферромагнитных изделий, заключающийся в том, что магнитодоменный преобразователь располагают над иэделием, воздействуют на магнитодоменную пленку преобразователя магнитным полем, определяют состояние пленки и используют его для обнаружения дефектов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения достоверности, используют изменяющееся во времени магнитное поле с амплитудой, большей амплитуды напряженности коллапса магнитодоменной пленки, предварительно на бездефектном изделии измеряют значение напряженности Н магнитного поля, при котором происходит коллапсирование доменов магнитной пленки, сканируют преобразователем поверхность контролируемого изделия и измеряют текущее значение Н; напряженности магнитного поля, при котором происходит коллапсирование доменов, а о наличии дефектов судят по разности Н,-Н,